FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.95 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP-3-1. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 490pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Identificación (diablillo): 13.5A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 04N60C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 31W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 58.5 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Nota: Paquete completamente aislado (2500 VCA/1 minuto). Spec info: Capacidad excepcional de dv/dt. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.3A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.54 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 790pF. Costo): 260pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacidad de corriente pico alto con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 21.9A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 07N60C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 32W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 60 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Nota: Paquete completamente aislado (2500 VCA/1 minuto). Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, ITO-220 (PG-TO220FP), 650V, 7.3A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: ITO-220 (PG-TO220FP). Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 07N60C3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 4.6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3.9V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 6 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 60 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 790pF. Disipación máxima Ptot [W]: 32W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.56 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1100pF. Costo): 46pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacidad de corriente pico alto con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 24A. IDss (mín.): 20uA. Marcado en la caja: 08N60C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Cool Mos POWER trafnsistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Paquete completamente aislado (2500 VCA/1 minuto). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.34 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 1200pF. Costo): 390pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: caja aislada (2500VAC, 1 min). Identificación (diablillo): 33A. IDss (mín.): 0.1uA. Marcado en la caja: 11N65C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 33W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 44 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.39 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP-3-1. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacitancia efectiva ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 33A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 11N80C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 41W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Paquete completamente aislado (2500 VCA/1 minuto). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.25 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 560V. C(pulg): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 420 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 48A. IDss (mín.): 0.1uA. Marcado en la caja: 16N50C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 34W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Capacidad excepcional de dv/dt. Nota: Paquete completamente aislado (2500 VCA/1 minuto). Spec info: capacités effectives ultra faibles. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 28A, 32A, 32A, 0.028 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=100°C): 28A. DI (T=25°C): 32A. Idss (máx.): 32A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.028 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET controlado por nivel lógico. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: SIPMOS Power Transistor. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 56A, 56A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 30 v. DI (T=25°C): 56A. Idss (máx.): 56A. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-263 ( D2PAK ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET controlado por nivel lógico. Marcado en la caja: 56N03L. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: SIPMOS Power Transistor. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.4M Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 4480pF. Costo): 1580pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 195 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Modo de mejora . Identificación (diablillo): 320A. IDss (mín.): 0.01uA. Marcado en la caja: 2N04H4. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 46 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: transistor MOSFET de potencia. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.6A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.50 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 560V. C(pulg): 750pF. Costo): 350pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 370 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacitancia efectiva ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 22.8A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 08N50C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 83W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 60 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: Cool Mos POWER transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V. DI (T=100°C): 6.5A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.093 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 215pF. Costo): 75pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Modo de mejora nominal dv/dt. Identificación (diablillo): 37A. IDss (mín.): 0.1uA. Marcado en la caja: SPD09N05. Pd (disipación de potencia, máx.): 24W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=100°C): 28A. DI (T=25°C): 30A. Idss: 100uA. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.023 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 790pF. Costo): 390pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 32 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET controlado por nivel lógico. Identificación (diablillo): 112A. Marcado en la caja: 28N03L. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: SIPMOS Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.6V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 85m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220-3-1. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 490pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Identificación (diablillo): 13.5A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 04N60C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 58.5 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Capacidad excepcional de dv/dt. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.78 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220-3-1. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 490pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Identificación (diablillo): 13.5A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 04N80C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 58.5 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.78 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220-3-1. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 785pF. Costo): 33pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 520 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Identificación (diablillo): 18A. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: 06N80C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 83W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.3A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.54 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 30pF. Costo): 55pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 750 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacitancia efectiva ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Fecha de producción: 2015/05. Identificación (diablillo): 14.6A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 07N60S5. Pd (disipación de potencia, máx.): 83W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 170 ns. Td(encendido): 120ns. Tecnología: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: COOL MOS TRANSISTOR. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.56 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1100pF. Costo): 46pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacidad de corriente pico alto con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 24A. IDss (mín.): 20uA. Marcado en la caja: 08N60C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 104W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Cool Mos POWER trafnsistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 100V, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 10N10. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.17 Ohms @ 7.8A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 44 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 426pF. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.34 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 1200pF. Costo): 390pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacidad de corriente pico alto con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 33A. IDss (mín.): 0.1uA. Marcado en la caja: 11N60C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 44 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Cool Mos POWER trafnsistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 7A, 11A, 250uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 600V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.34 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220-3-1. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1460pF. Costo): 610pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 650ms. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Carga de puerta ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 22A. IDss (mín.): 25uA. Marcado en la caja: 11N60S5. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 130 ns. Tecnología: Cool Mos POWER transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 7.1A, 11A, 11A, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 11A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.39 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 33A. Pd (disipación de potencia, máx.): 156W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Cool Mos. Función: ID pulse 33A. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.25 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Carga de puerta ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 51A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: SPP17N80C2. Pd (disipación de potencia, máx.): 208W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Cool Mos. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.25 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 2320pF. Costo): 1250pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Carga de puerta ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 51A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 17N80C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 208W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 77 ns. Td(encendido): 45 ns. Tecnología: Cool Mos. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V. DI (T=100°C): 13.1A. DI (T=25°C): 20.7A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.16 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): P-TO220-3-1. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 2400pF. Costo): 780pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Carga de puerta ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 62.1A. IDss (mín.): 0.1uA. Marcado en la caja: 20N60C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 208W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 67 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Cool Mos. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS