FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 3.6A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: P4. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 75 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 235pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.7W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 3.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L6. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.057 Ohms @ 2.8A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 25 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 305pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.8W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, MS-012, 60V, 2.3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.3A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L8. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 6 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 190pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.66W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 8A, 10A, 10A, 0.013 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.013 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: D-S-MOSFET. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, 30 v, 7.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: SI4410BDY. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 10A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 40 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.4W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 10.5A, 13.5A, 13.5A, 0.008 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 10.5A. DI (T=25°C): 13.5A. Idss (máx.): 13.5A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 50A. Marcado en la caja: 4420AP. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: D-S-MOSFET. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 26A, 32A, 10uA, 17m Ohms, SO, SO-8, 12V. DI (T=100°C): 26A. DI (T=25°C): 32A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 17m Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 12V. C(pulg): 12350pF. Costo): 2775pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 84 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Power MOSFET. Identificación (diablillo): 70A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 7.8W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 240 ns. Td(encendido): 38 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Cantidad por caja: 1. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 4.8A, 6A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. DI (T=100°C): 4.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 20uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.026 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 80V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Power MOSFET. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 52 ns. Td(encendido): 12.5 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. DI (T=100°C): 5.2A. DI (T=25°C): 6.2A. Idss (máx.): 20uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.026 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 80V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Power MOSFET. Identificación (diablillo): 40Ap. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 3W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 52 ns. Td(encendido): 12.5 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, 30V/-30V, 3.7A/-3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A/-3A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: SI4532ADY-T1-E3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.053 Ohms/0.08 Ohms @ 4.9/-3.9A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns/8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23/21 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 500pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.13W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.2A/-3.4A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: SI4532CDY-T1-E3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns/10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 25/30 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 305/340pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.14W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, 60V/-60V, 4.5A/-3.1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V/-60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A/-3.1A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: SI4559EY. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms/0.075 Ohms @ 4.5/-3.9A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns/8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 36/12ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.4W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 5A, 6.5A, 5uA, 0.0155 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 5uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0155 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 40Ap. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 4800B. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 32 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 1.8V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Cantidad por caja: 1. Función: Conmutación rápida, MOSFET de potencia. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V. DI (T=100°C): 9.9A. DI (T=25°C): 12.4A. Idss (máx.): 5uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0074 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 2000pF. Costo): 260pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 50A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, 60V, 5.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 30 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 30 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 840pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.6W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0,052 ohmios a 4,7 A. Marcado del fabricante: SI4946BEY-T1-E3

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, 60V, 4.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: SI4946EY-T1-E3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 4.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 60 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.4W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, TO-263AB, 30 v, 6.2A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): TO-263AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: SI9410BDY-E3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 8.1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 15 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 45 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30 v, 4.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: SI9936BDY. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 15 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 40 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 550pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.1W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0075 Ohms. Vivienda: PowerPAK SO-8. Vivienda (según ficha técnica): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 985pF. Costo): 205pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 14 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Interruptor del lado alto . Identificación (diablillo): 50A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 196k Ohms. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 29.8W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 90A, Otro, Otro, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Vivienda: Otro. Vivienda (según ficha técnica): Otro. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 5000pF. Costo): 720pF. Tipo de canal: N. Función: IGBT de alta potencia. Corriente del colector: 100A. Ic (pulso): 150A. Número de terminales: 7. RoHS: sí. Td(apagado): 450 ns. Td(encendido): 30 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.3V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Nota: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 330A, Otro, Otro, 1200V. Ic(T=100°C): 330A. Vivienda: Otro. Vivienda (según ficha técnica): Otro. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 23.1pF. Costo): 1.9pF. Tipo de canal: N. Función: IGBT de alta potencia. Corriente del colector: 470A. Ic (pulso): 600A. Dimensiones: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 650 ns. Td(encendido): 330 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.7V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.15V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Número de terminales: 7. Spec info: IFSM--2200Ap (t=10ms). Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1100pF. Costo): 107pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Función: S-IGBT rápido en tecnología NPT. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 80A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 179W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 445 ns. Td(encendido): 36ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.4V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V. Spec info: K20N60. Diodo CE: sí

Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 1150pF. Costo): 120pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 280 ns. Función: Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery. Corriente del colector: 46A. Ic (pulso): 84A. Marcado en la caja: K25N120. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 313W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 730 ns. Td(encendido): 45 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 3.1V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V. Spec info: Td(on) 50ns / Td(off) 820ns. Diodo CE: sí

Transistor de canal N, 49A, 77.5A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. DI (T=100°C): 49A. DI (T=25°C): 77.5A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.041 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 8180pF. Costo): 310pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 630 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Aumento de la robustez del MOSFET dv/dt . Identificación (diablillo): 267A. IDss (mín.): 5uA. Marcado en la caja: 6R041P6. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 481W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 90 ns. Td(encendido): 29 ns. Tecnología: CoolMOS ™ P6 Power Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, SO, SO-8. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Tipo de canal: N. Marcado en la caja: TB. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Cantidad por caja: 2. Función: Rds-on 0.017...0.025 Ohms