FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 12A, 12A, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 12A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.15 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: MegaFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 53W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: MOSFET de potencia en modo de mejora

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 60V, 11A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: RFP3055LE. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.107 Ohms @ 8A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 22 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 350pF. Disipación máxima Ptot [W]: 38W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 60V, 50A, 50, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Vivienda (norma JEDEC): 50. Resistencia en encendido Rds activado: 0.022 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 60V. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: RFP50N06. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 37 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2020pF. Disipación máxima Ptot [W]: 131W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 37 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 60V, 70A, 50, TO-220, TO-220, 60V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. Vivienda (norma JEDEC): 50. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: RFP70N06. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 32 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2250pF. Disipación máxima Ptot [W]: 150W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Spec info: Modelo PSPICE® con temperatura compensada. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 32 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: MegaFET process, Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PSG. Tensión colector/emisor Vceo: 330V. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 23 ns. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 35A. Ic (pulso): 250A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Spec info: trr 0.1us. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 60 ns. Td(encendido): 20 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.6V. Tensión puerta/emisor VGE: 30 v. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V

Transistor de canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PSG. Tensión colector/emisor Vceo: 330V. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 23 ns. Corriente del colector: 35A. Ic (pulso): 250A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Spec info: trr 0.06us. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 60 ns. Td(encendido): 20 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 30 v. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V

Transistor de canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PSG. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. C(pulg): 1200pF. Costo): 80pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 23 ns. Compatibilidad: Samsung PS42C450B1WXXU. Función: Conmutación de energía de alta velocidad. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 35A. Ic (pulso): 250A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Spec info: trr 0.06us. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 0.06 ns. Td(encendido): 0.02 ns. Tecnología: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.4V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.9V. Tensión puerta/emisor VGE: 30 v. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V

Transistor de canal N, 20A, 20A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 20A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 500V. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 178W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Field Effect Power MOSFET

Transistor de canal N, 40A, 40A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 40A. Idss (máx.): 40A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 500V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Trr 450ns, td(on) 52ns, td(off) 180ns. Identificación (diablillo): 60.4k Ohms. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor MOSFET de canal N

Transistor de canal N, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensión colector/emisor Vceo: 360V. C(pulg): 85pF. Costo): 40pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Función: IGBT. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 30A. Ic (pulso): 250A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Spec info: 150ns, 30W, 40A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 90 ns. Td(encendido): 40 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.6V. Tensión puerta/emisor VGE: 30 v. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V

Transistor de canal N, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. DI (T=25°C): 115mA. Idss (máx.): 115mA. Resistencia en encendido Rds activado: 7.5 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 25pF. Costo): 10pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Interfaz y conmutación. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 0.8A. Marcado en la caja: RKM. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: Silicon N-channel MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 2.5A, 2.5A, 0.074 Ohms, TSMT3, 30 v. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 2.5A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.074 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TSMT3. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación de potencia, convertidores CC/CC. Identificación (diablillo): 10A. Nota: serigrafía/código SMD QY. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: N-Ch MOS FET

Transistor de canal N, 9.5A, 1uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 45V. DI (T=25°C): 9.5A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.011 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 45V. C(pulg): 1830pF. Costo): 410pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de potencia, convertidores CC/CC, inversores.. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 35A. Marcado en la caja: TB. Número de terminales: 8:1. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 78 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: MOSFET de canal N de unidad de 4 V. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 10A, 10A, 0.0125 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0125 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: MOSFET de canal N de unidad de 4 V

Transistor de canal N, 20A, 20A, TO-247, TO-247. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Cantidad por caja: 1. Función: transistor MOSFET. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Cool Mos

Transistor de canal N, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1970pF. Costo): 310pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Función: IGBT de alta velocidad. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 48A. Ic (pulso): 90A. Marcado en la caja: G30N60RUFD. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 235W. RoHS: sí. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 54 ns. Td(encendido): 30 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.2V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5V

Transistor de canal N, 10.6A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 10.6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 550pF. Costo): 62pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Función: Controles de motor, inversor.. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 20A. Ic (pulso): 40A. Marcado en la caja: G10N60A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 92W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 178 ns. Td(encendido): 28 ns. Tecnología: IGBT rápido en tecnología NPT. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.7V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.4V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: GP15N120. Tensión colector-emisor Uce [V]: 1.2 kV. Corriente del colector Ic [A]: 30A. Corriente máxima del colector (A): 52A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 24 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 750 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Disipación máxima Ptot [W]: 198W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 30A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. RoHS: sí. C(pulg): 1600pF. Costo): 150pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Diodo Trr (Mín.): 3. Función: Controles de motor, inversor.. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 41A. Ic (pulso): 112A. Marcado en la caja: G30N60. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 291 ns. Td(encendido): 44 ns. Tecnología: IGBT rápido en tecnología NPT. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.7V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.4V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 3.6A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: P4. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 75 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 235pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.7W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 30V, SOT23. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 30V. Vivienda: SOT23. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Serie: TrenchFET. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 4A. Rds on (max) @ id, VGS: componente montado en superficie (SMD). VGS (th) (max) @ id: 3. QG (Total Gate Charge, max @ vgs): L6. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.25W. Temperatura de funcionamiento: 0.057 Ohms @ 2.8A. Tipo de montaje: SMD. Características: 25 ns. Información: 305pF. MSL: 0.8W

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, MS-012, 60V, 2.3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.3A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L8. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 6 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 190pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.66W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 8A, 10A, 10A, 0.013 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.013 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: D-S-MOSFET

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, 30 v, 7.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: SI4410BDY. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 10A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 40 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.4W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 10.5A, 13.5A, 13.5A, 0.008 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 10.5A. DI (T=25°C): 13.5A. Idss (máx.): 13.5A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 50A. Marcado en la caja: 4420AP. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: D-S-MOSFET