FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 10A, 20A, 10uA, 0.039 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.039 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 707pF. Costo): 224pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 60A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 20N6LG. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 9.6 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 15V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 2. Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 20A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 20N06LG. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 50 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 990pF. Disipación máxima Ptot [W]: 60W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 12A, 12A, 0.084 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 12A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.084 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 45A. Pd (disipación de potencia, máx.): 48W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Power MOSFET. Función: ID pulse 45A/10us. Cantidad por caja: 1. Nota: serigrafía/código SMD 55094G

Transistor de canal N, 9A, 9A, 0.122 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.122 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 27A. Pd (disipación de potencia, máx.): 29W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Power MOSFET. Función: ID pulse 27A/10us. Cantidad por caja: 1. Nota: Serigrafía/código SMD 3150G

Transistor de canal N, 12A, 12A, 0.089 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 12A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.089 Ohms. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaje Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 45A. Pd (disipación de potencia, máx.): 48W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Power MOSFET. Nota: 55L104G. Función: nivel lógico, pulso ID 45A/10us. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 12A, 10uA, 0.089 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.089 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 316pF. Costo): 105pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 45A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 48W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 9.2 ns. Tecnología: Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 15V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Función: nivel lógico, pulso ID 45A/10us. Cantidad por caja: 1. Nota: serigrafía/código SMD 55L104G. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 12A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 55L104G. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 40 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 440pF. Disipación máxima Ptot [W]: 48W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=100°C): 96A. DI (T=25°C): 124A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.4M Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 4490pF. Costo): 952pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 34 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 230A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 4804NG. Pd (disipación de potencia, máx.): 107W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 24 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Nota: serigrafía/código SMD 4804NG. Spec info: ID pulse 230A. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 5.1A, 25uA, TSOP, TSOP-6, 20V, 0.036 Ohms. DI (T=25°C): 5.1A. Idss (máx.): 25uA. Vivienda: TSOP. Vivienda (según ficha técnica): TSOP-6. Voltaje Vds(máx.): 20V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.036 Ohms. C(pulg): 510pF. Costo): 200pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 20A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 446. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 9 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 12V. Vgs(th) mín.: 0.6V. Número de terminales: 6. Función: Aplicaciones de baterías de iones de litio, PC portátil. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 3000. Spec info: control de puerta por nivel lógico. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V. DI (T=100°C): 83A. DI (T=25°C): 118A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.02 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247-3L, CASE 340CX. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 4416pF. Costo): 296pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 28 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 472A. IDss (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 503W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 40 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 19V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Tecnología: MOSFET – SiC Power, Single N-Channel. Función: UPS, convertidor CC/CC, inversor elevador. Spec info: IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 38A, 53A, 53A, 7.6m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. DI (T=100°C): 38A. DI (T=25°C): 53A. Idss (máx.): 53A. Resistencia en encendido Rds activado: 7.6m Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8FL. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 108A. Marcado en la caja: 4744N. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 47W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Power MOSFET. Función: ID pulse 108A/10ms. Cantidad por caja: 1. Nota: serigrafía/código SMD 4744N

Transistor de canal N, 138A, 191A, 191A, 1.3M Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. DI (T=100°C): 138A. DI (T=25°C): 191A. Idss (máx.): 191A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.3M Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8FL. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 288A. Marcado en la caja: 4833N. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 114W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Power MOSFET. Función: ID pulse 288A/10ms. Cantidad por caja: 1. Nota: serigrafía/código SMD 4833N

Transistor de canal N, 75A, 104A, 104A, 2.9m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 104A. Idss (máx.): 104A. Resistencia en encendido Rds activado: 2.9m Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8FL. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 208A. Marcado en la caja: 4835N. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 63W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Power MOSFET. Función: ID pulse 208A/10ms. Cantidad por caja: 1. Nota: serigrafía/código SMD 4835N

Transistor de canal N, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 10A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 10A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.03 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 790pF. Costo): 175pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 15.5 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Mejora del nivel lógico. Identificación (diablillo): 40A. Pd (disipación de potencia, máx.): 32W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 11.8 ns. Td(encendido): 2.2 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 30A, 0.1uA, 30A, TO-220, TO-220AB, 0.014 Ohms. DI (T=25°C): 30A. Idss: 0.1uA. Idss (máx.): 30A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Resistencia en encendido Rds activado: 0.014 Ohms. C(pulg): 860pF. Costo): 450pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 60.4k Ohms. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK). DI (T=25°C): 50A. Idss: 50uA. Idss (máx.): 50A. Resistencia en encendido Rds activado: 5.1M Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-263 (D2PAK). C(pulg): 2780pF. Costo): 641pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 34 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 100A. Pd (disipación de potencia, máx.): 59.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 8 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 50A. Idss: 25uA. Idss (máx.): 50A. Resistencia en encendido Rds activado: 15m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 1200pF. Costo): 600pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Modo de mejora del nivel lógico. Identificación (diablillo): 150A. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 75A. Idss: 25uA. Idss (máx.): 75A. Resistencia en encendido Rds activado: 5M Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 5000pF. Costo): 1800pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 37 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Modo de mejora del nivel lógico. Identificación (diablillo): 170A. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 24 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 30A, 45A, 10uA, 0.016 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 25V. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 45A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.016 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-404. Voltaje Vds(máx.): 25V. C(pulg): 920pF. Costo): 260pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 52 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor de potencia de efecto de campo, Control de nivel lógico. Identificación (diablillo): 180A. IDss (mín.): 0.05uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 86W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 78 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: TrenchMOS transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 15V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 45A, 45A, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 25V. DI (T=25°C): 45A. Idss (máx.): 45A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.016 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 25V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor de potencia de efecto de campo, Control de nivel lógico. Identificación (diablillo): 180A. Pd (disipación de potencia, máx.): 86W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: TrenchMOS transistor. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 6.2A, 8.7A, 8.7A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 6.2A. DI (T=25°C): 8.7A. Idss (máx.): 8.7A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 88W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: V-MOS SOT78

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 100V, 1.9A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: PMV213SN. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 5.5 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 9.5 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 330pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V. DI (T=100°C): 47A. DI (T=25°C): 68A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 13.9m Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK (SOT404). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 3195pF. Costo): 221pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 52 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación estándar. Identificación (diablillo): 272A. IDss (mín.): 0.06uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 170W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 52.5 ns. Td(encendido): 20.7 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 60.8A, 75A, 500uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 100V. DI (T=100°C): 60.8A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 12m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 4900pF. Costo): 390pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 240A. IDss (mín.): 0.05uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 95 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: transistor de efecto de campo en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 36A, 50A, 500uA, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V, 30 milliOhms. DI (T=100°C): 36A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). Voltaje Vds(máx.): 150V. Resistencia en encendido Rds activado: 30 milliOhms. C(pulg): 4720pF. Costo): 456pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 118 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 200A. IDss (mín.): 0.05uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 79 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: transistor de efecto de campo en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: IDM 200A (Tmb 25°C; pulsed). Protección G-S: NINCS