FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1960pF. Costo): 220pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Función: IGBT PT de alta velocidad para conmutación de 40-100 kHz. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 56A. Ic (pulso): 230A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Spec info: Superficie posterior aislada eléctricamente. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 92 ns. Td(encendido): 19 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.3V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 48A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V. Ic(T=100°C): 48A. Vivienda: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Vivienda (según ficha técnica): ISOPLUS247. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 3900pF. Costo): 280pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 35ns. Función: C2-Class High Speed IGBT. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 75A. Ic (pulso): 300A. Nota: transistor HiPerFAST IGBT. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. RoHS: sí. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms 300A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 95 ns. Td(encendido): 18 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.7V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V

Transistor de canal N, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 2113pF. Costo): 197pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Función: IGBT con diodo de recuperación suave ultrarrápido. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 75A. Ic (pulso): 260A. Nota: aislamiento 2500V (50/60Hz RMS, t=1minuto). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 268W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 127 ns. Td(encendido): 43 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.6V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.9V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4 v. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V

Transistor de canal N, 36A, 200uA, 0.092 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263AB ), 300V. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.092 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263AB ). Voltaje Vds(máx.): 300V. C(pulg): 2250pF. Costo): 370pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: N-Channel Enhancement Mode. Identificación (diablillo): 90A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 97 ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: PolarHTTM Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AD, 500V, 24A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AD. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IXTH24N50. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.23 Ohms @ 12A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 30 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 80 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 4200pF. Disipación máxima Ptot [W]: 300W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AD, 1 kV, 5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AD. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IXTH5N100A. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 100 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 200 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2600pF. Disipación máxima Ptot [W]: 180W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 75A, 96A, 250uA, 24m Ohms, TO-247, TO-247, 200V. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 96A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 24m Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 4800pF. Costo): 1020pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 160 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: N-Channel Enhancement Mode. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 225A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 600W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 75 ns. Td(encendido): 28 ns. Tecnología: PolarHT Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.5V

Transistor de canal N, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-220, TO-220, 300V. DI (T=100°C): 36A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 92m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 300V. C(pulg): 2250pF. Costo): 370pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: N-Channel Enhancement Mode. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 90A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 97 ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: PolarHT Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 50A, 150uA, 92 Ohms, TO-220, TO-220, 300V. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 92 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 300V. C(pulg): 4000pF. Costo): 420pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: N-Channel Enhancement Mode. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 130A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 97 ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: PolarHT Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 75A, 90A, 250uA, 0.066 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 90A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.066 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 2500pF. Costo): 440pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: N-Channel Enhancement Mode. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 240A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 176W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: TrenchMVTM Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 90A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.07 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 2770pF. Costo): 420pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 37 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: N-Channel Enhancement Mode. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 240A. IDss (mín.): 2uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: TrenchT2TM Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. DI (T=100°C): 36A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 92m Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 300V. C(pulg): 2250pF. Costo): 370pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: N-Channel Enhancement Mode. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 90A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 97 ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: PolarHT Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 12A, 24A, 200uA, 270 milliOhms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 24A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 270 milliOhms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 2890pF. Costo): 280pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: N-Channel Enhancement Mode. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 50A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 480W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: PolarP2TM Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V

Transistor de canal N, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 88A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 40m Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 300V. C(pulg): 6300pF. Costo): 950pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: N-Channel Enhancement Mode. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 220A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 600W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 96 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: PolarHT Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V

Transistor de canal N, 8 Ohms, TO-92, TO-92, 25V. Resistencia en encendido Rds activado: 8 Ohms. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 25V. C(pulg): 160pF. Costo): 35pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: JFET. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 100mA. IGF: 50mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 350mW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 5 ns. Td(encendido): 6 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 0.7V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 4.5V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.5V

Transistor de canal N, 30 Ohms, 35V. Resistencia en encendido Rds activado: 30 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 35V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: FET. Función: Up 10V. IDss (mín.): 20mA. IGF: 50mA. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 10V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 3V

Transistor de canal N, 5mA, TO-92, TO-92 Ammo-Pak, 35V. Idss (máx.): 5mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 Ammo-Pak. Voltaje Vds(máx.): 35V. C(pulg): 28pF. Costo): 5pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: FET. Función: Up 4.5V. IGF: 50mA. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 5V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 1V

Transistor de canal N, 100 Ohms, TO-92, TO-92, 35V. Resistencia en encendido Rds activado: 100 Ohms. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 35V. C(pulg): 28pF. Costo): 5pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: FET. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 0.2mA. IGF: 50mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 350mW. RoHS: sí. Spec info: VGS(off) min 0.5V, max 3V. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 35V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 3V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.5V

Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 650V. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 100A. Ic (pulso): 180A. Marcado en la caja: 60T65PES. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 535W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 142ns. Td(encendido): 45 ns. Tecnología: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.85V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.4V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4 v. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V

Transistor de canal N, 1.4A, 1.4A, 30 v. DI (T=25°C): 1.4A. Idss (máx.): 1.4A. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: FET. Función: 0505-111646. Nota: serigrafía/código SMD QU. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: SMD 5p.

Transistor de canal N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. DI (T=100°C): 6.9A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.45 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1700pF. Costo): 184pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Diodo Trr (Mín.): 430 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: SMPS, conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 44A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 49W. RoHS: sí. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 76 ns. Td(encendido): 38 ns. Tecnología: Cool Mos POWER transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V. DI (T=100°C): 6.9A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.45 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO220F. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 1650pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Diodo Trr (Mín.): 355 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: SMPS, conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 48A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 49.6W. RoHS: sí. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 132 ns. Td(encendido): 27 ns. Tecnología: Cool Mos POWER transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 5.5A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.72 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 780pF. Costo): 100pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 272 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 28 nC, Crss bajo 24 pF. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 36A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 38W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 38 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: +55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 1uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.65 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1160pF. Costo): 134pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Diodo Trr (Mín.): 360ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: SMPS, conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: MDF9N60. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 48W. RoHS: sí. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 48 ns. Td(encendido): 31 ns. Tecnología: Cool Mos POWER transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 2A, 6uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 62V. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 6uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.3 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 62V. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Electrónica del coche. Protección G-S: sí. IDss (mín.): 0.6uA. Marcado en la caja: L2N06CL. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Spec info: MOSFET HYBRID. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 5us. Td(encendido): 1us. Tecnología: SMARTDISCRETES MOSFET Logic Level. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 10V. Vgs(th) mín.: 1V