FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 1uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.65 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1160pF. Costo): 134pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Diodo Trr (Mín.): 360ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: SMPS, conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: MDF9N60. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 48W. RoHS: sí. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 48 ns. Td(encendido): 31 ns. Tecnología: Cool Mos POWER transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 2A, 6uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 62V. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 6uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.3 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 62V. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Electrónica del coche. Protección G-S: sí. IDss (mín.): 0.6uA. Marcado en la caja: L2N06CL. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Spec info: MOSFET HYBRID. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 5us. Td(encendido): 1us. Tecnología: SMARTDISCRETES MOSFET Logic Level. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 10V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 60V, 0.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MMBF170. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 10 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 40pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 60V, 0.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 6Z. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 10 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 60pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 25mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Corriente de drenaje Idss [A] @ Ug=0V: 25mA. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor JFET de canal N. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 6K. Voltaje del punto de interrupción de la fuente de puerta Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +15V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (máx.): 9mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 25V. C(pulg): 4.5pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: JFET. Función: Uni sym. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 2mA. IGF: 10mA. Nota: serigrafía/código SMD 61S. Marcado en la caja: 61 S. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 2mA. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: transistor JFET de uso general. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 3.5V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 7V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 1V

Transistor de canal N, 1mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (máx.): 1mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 40V. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: JFET. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 0.2mA. IGF: 50mA. Nota: serigrafía/código SMD 62P. Marcado en la caja: 62 P. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.2mA. RoHS: sí. Spec info: VGS(off) 0.3V...1.5V. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 40V

Transistor de canal N, 30mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (máx.): 30mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 25V. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: FET. Función: Amplificador, oscilador y mezclador VHF/UHF. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 12mA. IGF: 10mA. Nota: serigrafía/código SMD 6U. Marcado en la caja: 6U. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 12mA. RoHS: sí. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C

Transistor de canal N, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (máx.): 60mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 25V. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: FET. Función: Amplificador, oscilador y mezclador VHF/UHF. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 24mA. IGF: 10mA. Nota: serigrafía/código SMD 6T. Marcado en la caja: 6T. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 350mW. RoHS: sí. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 25V, 60mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 25V. Corriente de drenaje Idss [A] @ Ug=0V: 60mA. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor JFET de canal N. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 6T. Voltaje del punto de interrupción de la fuente de puerta Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 6.95A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.32 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 890pF. Costo): 670pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 375 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Etapas de fuente de alimentación PFC, aplicaciones de conmutación, control de motores, convertidores CC/CC. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 33A. Marcado en la caja: 60R360P. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 31W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 80 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: N-channel POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, SOT-23, soldadura de PCB (SMD), TO-236AB, 50V, 0.22A. Vivienda: SOT-23. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: JD. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.6V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 16 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 60pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.36W

Transistor de canal N, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.10 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 410pF. Costo): 114pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 55.7 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 45A. IDss (mín.): 10uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 48W. RoHS: sí. Spec info: Transistor controlado por nivel lógico. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 14 ns. Td(encendido): 9 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 15V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AE, 100V, 45A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AE. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MTW45N10E. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 22.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 50 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 170 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 180W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-264, 100V, 100A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-264. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MTY100N10E. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 96 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 372 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 10640pF. Disipación máxima Ptot [W]: 300W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=25°C): 52A. Idss (máx.): 52A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.011 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Modo de mejora del nivel lógico. Identificación (diablillo): 156A. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Field Effect Power MOSFET

Transistor de canal N, 25A, 25A, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 25A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.18 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Modo de mejora del nivel lógico. Identificación (diablillo): 100A. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Field Effect Power MOSFET

Transistor de canal N, 75A, 75A, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 75A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.013 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 2960pF. Costo): 1130pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 225A. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 54 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 1.7A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.7A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: NDS355AN_NL. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 25 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 195pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, SO, SO-8. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Cantidad por caja: 2. Función: transistor MOSFET. Número de terminales: 8:1. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: 2xV-MOS

Transistor de canal N, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V. DI (T=25°C): 82A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4.1m Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): MP-25ZP. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 6400pF. Costo): 465pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 900. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low On-Resistance. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 328A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 82N055. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 142W. RoHS: sí. Spec info: transistor MOSFET. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: transistor MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 10A, 20A, 10uA, 0.039 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.039 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 707pF. Costo): 224pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Nivel lógico. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 60A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 20N6LG. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 9.6 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 15V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 20A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 20N06LG. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 50 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 990pF. Disipación máxima Ptot [W]: 60W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 12A, 12A, 0.084 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 12A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.084 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: ID pulse 45A/10us. Identificación (diablillo): 45A. Nota: serigrafía/código SMD 55094G. Pd (disipación de potencia, máx.): 48W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Power MOSFET

Transistor de canal N, 9A, 9A, 0.122 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.122 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: ID pulse 27A/10us. Identificación (diablillo): 27A. Nota: Serigrafía/código SMD 3150G. Pd (disipación de potencia, máx.): 29W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Power MOSFET