FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 61A. DI (T=25°C): 86A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 2150pF. Costo): 480pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 340A. IDss (mín.): 1uA. Equivalentes: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Spec info: Impedancia de puerta ultrabaja. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 113A, 160A, 150uA, 2.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 113A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.4M Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 4880pF. Costo): 950pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 18 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: control de puerta por nivel lógico. Identificación (diablillo): 640A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 135W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 21 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 55V, IPAK. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 55V. Vivienda: IPAK. Serie de productos: HEXFET. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 17A. Tensión puerta/fuente Vgs: 110m Ohms / 9A / 4V. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -16V. Max: 45W. Tipo de montaje: SMD

Transistor de canal N, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 8.5A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.075 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 480pF. Costo): 130pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: control de puerta por nivel lógico. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 47W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 7.1 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 55V, 18A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRLZ24NPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 11A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7.1 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 20 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 480pF. Disipación máxima Ptot [W]: 45W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.035 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 880pF. Costo): 220pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 76 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: control de puerta por nivel lógico. Identificación (diablillo): 110A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 68W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 21 ns. Td(encendido): 8.9 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 55V, 30A, 30A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Vivienda (norma JEDEC): 30A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRLZ34NPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 16A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.9 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 21 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 880pF. Disipación máxima Ptot [W]: 68W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 33A, 47A, 250uA, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 33A. DI (T=25°C): 47A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.022 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1700pF. Costo): 400pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: control de puerta por nivel lógico. Identificación (diablillo): 160A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 26 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 0.022 Ohms, TO-220AB, 55V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.022 Ohms. Vivienda: TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): 55V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 41A. Potencia: 83W

Transistor de canal N, 31A, TO-220, TO-220AA, 390V. Ic(T=100°C): 31A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AA. Tensión colector/emisor Vceo: 390V. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Función: Ic 46A @ 25°C, 31A @ 110°C. Diodo de germanio: Supresor. Corriente del colector: 46A. Marcado en la caja: V5036P. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 10.8 ns. Td(encendido): 7 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 10V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 1.3V. Spec info: td(On) 0.7us, td(Off) 10.8us. Diodo CE: NINCS

Transistor de canal N, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V. DI (T=25°C): 130A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.01 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-263. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 6600pF. Costo): 640pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 300A. IDss (mín.): 10uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 360W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 24 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AD, 800V, 13A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AD. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IXFH13N80. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 6.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 63 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 4200pF. Disipación máxima Ptot [W]: 300W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AD, 500V, 26A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AD. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 26A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IXFH26N50. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 16 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 65 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 4200pF. Disipación máxima Ptot [W]: 300W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 26A, 1mA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247AD, 600V. DI (T=25°C): 26A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.25 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 4700pF. Costo): 580pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 104A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 360W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 80 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V. DI (T=25°C): 32A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.15 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 5700pF. Costo): 750pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 128A. IDss (mín.): 200uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 360W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 35 ns. Tecnología: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AD, 200V, 58A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AD. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 58A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IXFH58N20. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 29A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 25 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 90 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 4400pF. Disipación máxima Ptot [W]: 300W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-264AA, 300V, 140A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-264AA. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 300V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IXFK140N30P. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 70A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 30 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 100 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 14000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1040W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. DI (T=25°C): 34A. Idss (máx.): 2mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.24 Ohms. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264AA. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 7500pF. Costo): 920pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 136A. IDss (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 560W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 45 ns. Tecnología: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 25. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 44A, 2mA, 0.12 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 2mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.12 Ohms. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264AA. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 8400pF. Costo): 900pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: F-Class--MHz Switching. Identificación (diablillo): 176A. IDss (mín.): 400uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 500W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 44A, 1.5mA, 0.19 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 1.5mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.19 Ohms. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264AA. Voltaje Vds(máx.): 800V. RoHS: sí. C(pulg): 12pF. Costo): 910pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Enhancement Mode, Avalanche Rated. Identificación (diablillo): 100A. IDss (mín.): 50uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1200W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 75 ns. Td(encendido): 28 ns. Tecnología: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-264AA, 500V, 44A, 25, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-264AA. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Vivienda (norma JEDEC): 25. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264AA. Voltaje Vds(máx.): 500V. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IXFK48N50. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 30 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 100 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 8400pF. Disipación máxima Ptot [W]: 500W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-264AA, 600V, 48A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-264AA. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IXFK48N60P. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ 24A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 30 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 85 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 8860pF. Disipación máxima Ptot [W]: 830W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 5.5V, 64A, 1mA, 85m Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. DI (T=100°C): 5.5V. DI (T=25°C): 64A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 85m Ohms. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264AA. Voltaje Vds(máx.): 500V. RoHS: sí. C(pulg): 7900pF. Costo): 790pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 150A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 830W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 85 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: dv/dt 20V/ns. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-264AA, 600V, 64A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-264AA. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IXFK64N60P. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.096 Ohms @ 32A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 28 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 79 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 12000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1040W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, SOT-227B (ISOTOP), 75V, 480A. Vivienda: SOT-227B (ISOTOP). Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 480A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: GigaMOS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0019 Ohms @ 480A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 48 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 80 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 41000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 940W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C