FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 55V, 30A, 30A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Vivienda (norma JEDEC): 30A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRLZ34NPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 16A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.9 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 21 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 880pF. Disipación máxima Ptot [W]: 68W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 33A, 47A, 250uA, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 33A. DI (T=25°C): 47A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.022 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1700pF. Costo): 400pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: control de puerta por nivel lógico. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 160A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 26 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 55V, 0.022 Ohms, TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): 55V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.022 Ohms. Vivienda: TO-220AB. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Control: Nivel lógico. Corriente máxima de drenaje: 41A. Potencia: 83W

Transistor de canal N, 31A, TO-220, TO-220AA, 390V. Ic(T=100°C): 31A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AA. Tensión colector/emisor Vceo: 390V. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Función: Ic 46A @ 25°C, 31A @ 110°C. Diodo de germanio: Supresor. Corriente del colector: 46A. Marcado en la caja: V5036P. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. RoHS: sí. Spec info: td(On) 0.7us, td(Off) 10.8us. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 10.8 ns. Td(encendido): 7 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 10V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 1.3V

Transistor de canal N, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V. DI (T=25°C): 130A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.01 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-263. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 6600pF. Costo): 640pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 300A. IDss (mín.): 10uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 360W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 24 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AD, 800V, 13A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AD. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IXFH13N80. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 6.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 63 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 4200pF. Disipación máxima Ptot [W]: 300W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AD, 500V, 26A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AD. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 26A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IXFH26N50. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 16 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 65 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 4200pF. Disipación máxima Ptot [W]: 300W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 26A, 1mA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247AD, 600V. DI (T=25°C): 26A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.25 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 4700pF. Costo): 580pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 104A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 360W. RoHS: sí. Spec info: dv/dt 10V/ns. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 80 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.5V

Transistor de canal N, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V. DI (T=25°C): 32A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.15 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 5700pF. Costo): 750pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 128A. IDss (mín.): 200uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 360W. RoHS: sí. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 35 ns. Tecnología: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AD, 200V, 58A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AD. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 58A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IXFH58N20. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 29A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 25 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 90 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 4400pF. Disipación máxima Ptot [W]: 300W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-264AA, 300V, 140A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-264AA. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 300V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IXFK140N30P. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 70A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 30 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 100 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 14000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1040W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. DI (T=25°C): 34A. Idss (máx.): 2mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.24 Ohms. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264AA. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 7500pF. Costo): 920pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 136A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 560W. RoHS: sí. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 45 ns. Tecnología: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 44A, 2mA, 0.12 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 2mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.12 Ohms. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264AA. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 8400pF. Costo): 900pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: F-Class--MHz Switching. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 176A. IDss (mín.): 400uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 500W. RoHS: sí. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 44A, 1.5mA, 0.19 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 1.5mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.19 Ohms. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264AA. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 12pF. Costo): 910pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Enhancement Mode, Avalanche Rated. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 100A. IDss (mín.): 50uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1200W. RoHS: sí. Spec info: dv/dt 10V/ns. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 75 ns. Td(encendido): 28 ns. Tecnología: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-264AA, 25, 500V, 44A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-264AA. Vivienda (norma JEDEC): 25. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264AA. Voltaje Vds(máx.): 500V. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IXFK48N50. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 30 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 100 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 8400pF. Disipación máxima Ptot [W]: 500W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-264AA, 600V, 48A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-264AA. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IXFK48N60P. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ 24A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 30 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 85 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 8860pF. Disipación máxima Ptot [W]: 830W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 5.5V, 64A, 1mA, 85m Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. DI (T=100°C): 5.5V. DI (T=25°C): 64A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 85m Ohms. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264AA. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 7900pF. Costo): 790pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 150A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 830W. RoHS: sí. Spec info: dv/dt 20V/ns. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 85 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-264AA, 600V, 64A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-264AA. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IXFK64N60P. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.096 Ohms @ 32A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 28 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 79 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 12000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1040W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, SOT-227B (ISOTOP), 75V, 480A. Vivienda: SOT-227B (ISOTOP). Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 480A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: GigaMOS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0019 Ohms @ 480A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 48 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 80 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 41000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 940W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V. DI (T=25°C): 105A. Idss (máx.): 2uA. Resistencia en encendido Rds activado: 17m Ohms. Vivienda: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Vivienda (según ficha técnica): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 9100pF. Costo): 2200pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Superficie posterior aislada eléctricamente. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 480A. IDss (mín.): 100uA. Nota: tensión de aislamiento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 400W. RoHS: sí. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: Polar HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 75A, 100A, 1.5mA, 13m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 150V. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 100A. Idss (máx.): 1.5mA. Resistencia en encendido Rds activado: 13m Ohms. Vivienda: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Vivienda (según ficha técnica): ISOPLUS247. Voltaje Vds(máx.): 150V. C(pulg): 7000pF. Costo): 2250pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Superficie posterior aislada eléctricamente. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 380A. IDss (mín.): 25uA. Nota: tensión de aislamiento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Spec info: dv/dt 10V/ns. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: Polar HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V

Transistor de canal N, 75A, 133A, 1mA, 0.009 Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100V. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 133A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.009 Ohms. Vivienda: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Vivienda (según ficha técnica): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 7600pF. Costo): 2900pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Superficie posterior aislada eléctricamente. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 400A. IDss (mín.): 25uA. Nota: tensión de aislamiento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Spec info: dv/dt 10V/ns. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: Polar HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, PLUS247, PLUS-247 (TO247 sin orificio de fijación), 800V. DI (T=25°C): 34A. Idss (máx.): 2mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.24 Ohms. Vivienda: PLUS247. Vivienda (según ficha técnica): PLUS-247 (TO247 sin orificio de fijación). Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 7500pF. Costo): 920pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 136A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 560W. RoHS: sí. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 45 ns. Tecnología: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V. Ic(T=100°C): 24A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AD ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1500pF. Costo): 170pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. Función: HiPerFAST IGBT with Diode. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 48A. Ic (pulso): 80A. Nota: transistor HiPerFAST IGBT. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 75 ns. Td(encendido): 15 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.5V

Transistor de canal N, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V. Ic(T=100°C): 32A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 2700pF. Costo): 270pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 120ns. Función: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Corriente del colector: 60A. Ic (pulso): 60.4k Ohms. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 25 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.3V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V