Transistor de canal N, 12A, 24A, 200uA, 270 milliOhms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V - IXTQ460P2

Transistor de canal N, 12A, 24A, 200uA, 270 milliOhms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V - IXTQ460P2. Transistor de canal N, 12A, 24A, 200uA, 270 milliOhms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 24A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 270 milliOhms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 2890pF. Costo): 280pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: N-Channel Enhancement Mode. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 50A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 480W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: PolarP2TM Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Producto original del fabricante IXYS. Cantidad en stock actualizada el 05/07/2025, 08:25.