FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V. DI (T=100°C): 26A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.044 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1800pF. Costo): 350pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: control de puerta por nivel lógico. Identificación (diablillo): 60.4k Ohms. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. RoHS: sí. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 36A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L540NS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 39 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1800pF. Disipación máxima Ptot [W]: 140W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220A. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 74W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: V-MOS

Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220A. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 69W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: V-MOS

Transistor de canal N, 0.4 Ohms, TO-220, 200V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-220. Tensión drenaje-fuente (Vds): 200V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 9A. Potencia: 74W

Transistor de canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.18 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 1800pF. Costo): 480pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 310 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 68A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 44 ns. Td(encendido): 8 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 10V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 0.18 Ohms, TO-220, 18A, 18A, TO-220AB, 200V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.18 Ohms. Vivienda: TO-220. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 18A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: V-MOS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SMD-220, 200V, 17A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SMD-220. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L640S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 44 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1800pF. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SMD-220, 200V, 17A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SMD-220. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L640S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 44 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1800pF. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 0.0038 Ohms, TO-220, 30V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0038 Ohms. Vivienda: TO-220. Tensión drenaje-fuente (Vds): 30V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 150A. Potencia: 140W

Transistor de canal N, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 130A. DI (T=25°C): 185A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.004 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 7660pF. Costo): 2150pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: control de puerta por nivel lógico. Identificación (diablillo): 740A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 21 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnología: Transistor MOSFET de potencia HEXFET, nivel lógico controlado. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 243A, 343A, 250uA, 1.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 243A. DI (T=25°C): 343A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.4M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 10315pF. Costo): 1980pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 39 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 1372A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 375W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 97 ns. Td(encendido): 65 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Función: Accionamiento por motor de CC, conmutación de potencia de alta velocidad. Spec info: control de nivel lógico. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 45A, 64A, 150uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 45A. DI (T=25°C): 64A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0065 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1077pF. Costo): 360pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 16 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 250A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 9 ns. Td(encendido): 9.1ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Función: Resistencia de encendido ultrabaja, conmutación rápida. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 100A, 150A, 100uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 100A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.5M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 5110pF. Costo): 960pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: UNIÓN POSTAL UNIVERSAL, Convertidor CC/CC. Identificación (diablillo): 620A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 23 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 100A, 150A, 150uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 100A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.5M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 5110pF. Costo): 960pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: UNIÓN POSTAL UNIVERSAL, Convertidor CC/CC. Identificación (diablillo): 620A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 23 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, SUPER-220, SUPER220, 40V. DI (T=100°C): 130A. DI (T=25°C): 185A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.004 Ohms. Vivienda: SUPER-220. Vivienda (según ficha técnica): SUPER220. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 7660pF. Costo): 2150pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: control de puerta por nivel lógico. Identificación (diablillo): 740A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 21 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnología: Transistor MOSFET de potencia HEXFET, nivel lógico controlado. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 126A, 179A, 250uA, 0.005 Ohms, SUPER-220, SUPER220, 30 v. DI (T=100°C): 126A. DI (T=25°C): 179A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.005 Ohms. Vivienda: SUPER-220. Vivienda (según ficha técnica): SUPER220. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 5000pF. Costo): 1800pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: control de puerta por nivel lógico. Identificación (diablillo): 720A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 270W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 29 ns. Td(encendido): 14 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnología: Transistor MOSFET de potencia HEXFET, nivel lógico controlado. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, SUPER-220, 30 v, 179A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SUPER-220. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 179A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRLBA3803PPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 59A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 29 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 270W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 1.7A, 0.20 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. DI (T=100°C): 1.2A. DI (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (máx.): 1.7A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.20 Ohms. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): HVMDIP ( DIP-4 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: FET. Función: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Identificación (diablillo): 14A. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal N, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. DI (T=100°C): 1.8A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.10 Ohms. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): HVMDIP ( DIP-4 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 870pF. Costo): 360pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 110 ns. Varios: Dynamic dv/dt Rating. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 20A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 10V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Función: Conmutación rápida, unidad de puerta de nivel lógico. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, DIP4, 60V, 2.5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP4. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Marcado del fabricante: IRLD024PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 870pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 13A, 19A, 25uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 55V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 25uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.042 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 740pF. Costo): 150pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 52 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Aplicaciones de amplificador optimizadas para audio clase D. Identificación (diablillo): 80A. IDss (mín.): 2uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 39W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 5.7 ns. Tecnología: Audio digital HEXSFET. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 10A, 14A, 25uA, 93m Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 55V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 25uA. Resistencia en encendido Rds activado: 93m Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 660pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 57 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Aplicaciones de amplificador optimizadas para audio clase D. Protección G-S: diodo. Identificación (diablillo): 60A. IDss (mín.): 2uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 33W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 21 ns. Td(encendido): 9.5 ns. Tecnología: Audio digital HEXSFET. Temperatura de funcionamiento: -40...+170°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 55V, 2A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: LL014N. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 5.1 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 14 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 230pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.1W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 55V, 3.1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FL024. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ 3.1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7.4 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 18 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 510pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.1W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C