Transistor de canal N, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Vivienda: TO-247. Vivien...
Transistor de canal N, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. RoHS: sí. C(pulg): 2200pF. Costo): 140pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: TO-247AC. Unidad de acondicionamiento: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Función: Ultrarrápido, para altas frecuencias operativas de 8 a 40 kHz. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 49A. Ic (pulso): 84A. Marcado en la caja: 230 ns. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 230 ns. Td(encendido): 63 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.85V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
Transistor de canal N, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. RoHS: sí. C(pulg): 2200pF. Costo): 140pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: TO-247AC. Unidad de acondicionamiento: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Función: Ultrarrápido, para altas frecuencias operativas de 8 a 40 kHz. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 49A. Ic (pulso): 84A. Marcado en la caja: 230 ns. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 230 ns. Td(encendido): 63 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.85V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Vivienda: TO-247. Vivien...
Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1600pF. Costo): 130pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Función: Ultrarrápido, para altas frecuencias operativas de 8 a 40 kHz. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 42A. Ic (pulso): 84A. Marcado en la caja: G4PC40K. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Spec info: Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 30 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.7V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1600pF. Costo): 130pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Función: Ultrarrápido, para altas frecuencias operativas de 8 a 40 kHz. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 42A. Ic (pulso): 84A. Marcado en la caja: G4PC40K. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Spec info: Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 30 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.7V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Vivienda: TO-247. Vivien...
Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1600pF. Costo): 130pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Función: Ultrarrápido, para altas frecuencias operativas de 8 a 40 kHz. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 42A. Ic (pulso): 84A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 53 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.6V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1600pF. Costo): 130pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Función: Ultrarrápido, para altas frecuencias operativas de 8 a 40 kHz. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 42A. Ic (pulso): 84A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 53 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.6V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivien...
Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 2100pF. Costo): 140pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Función: Ultrarrápido, para altas frecuencias operativas de 8 a 40 kHz. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 160A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 34 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.72V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V
Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 2100pF. Costo): 140pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Función: Ultrarrápido, para altas frecuencias operativas de 8 a 40 kHz. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 160A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 34 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.72V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V
Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivien...
Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1900pF. Costo): 140pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 160A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 27 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.05V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1900pF. Costo): 140pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 160A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 27 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.05V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda: TO-247. Vivien...
Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 6050pF. Costo): 360pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Función: IGBT de alta velocidad . Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 90A. Ic (pulso): 360A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 520W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 310 ns. Td(encendido): 42 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 6050pF. Costo): 360pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Función: IGBT de alta velocidad . Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 90A. Ic (pulso): 360A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 520W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 310 ns. Td(encendido): 42 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
Transistor de canal N, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 21A. Vivienda: TO...
Transistor de canal N, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 21A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 1800pF. Costo): 120pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Función: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 41A. Ic (pulso): 82A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 220 ns. Td(encendido): 24 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.43V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3.1V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
Transistor de canal N, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 21A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 1800pF. Costo): 120pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Función: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 41A. Ic (pulso): 82A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 220 ns. Td(encendido): 24 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.43V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3.1V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
Transistor de canal N, 48A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 48A. Vivienda: TO-247. Vivien...
Transistor de canal N, 48A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 48A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 3025pF. Costo): 245pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 90A. Ic (pulso): 144A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 165 ns. Td(encendido): 145 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.65V. Tensión puerta/emisor VGE: 30 v. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4 v
Transistor de canal N, 48A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 48A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 3025pF. Costo): 245pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 90A. Ic (pulso): 144A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 165 ns. Td(encendido): 145 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.65V. Tensión puerta/emisor VGE: 30 v. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4 v
Transistor de canal N, 40A, TO-247, TO-247 ( AC ), 300V. Ic(T=100°C): 40A. Vivienda: TO-247. Vivien...
Transistor de canal N, 40A, TO-247, TO-247 ( AC ), 300V. Ic(T=100°C): 40A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 300V. C(pulg): 2250pF. Costo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Unidad de acondicionamiento: 25. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 70A. Ic (pulso): 250A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 112 ns. Td(encendido): 36ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+140°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.29V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.57V. Tensión puerta/emisor VGE: 30 v. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2.6V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V
Transistor de canal N, 40A, TO-247, TO-247 ( AC ), 300V. Ic(T=100°C): 40A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 300V. C(pulg): 2250pF. Costo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Unidad de acondicionamiento: 25. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 70A. Ic (pulso): 250A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 112 ns. Td(encendido): 36ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+140°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.29V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.57V. Tensión puerta/emisor VGE: 30 v. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2.6V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 130A. Vivienda: soldadura de PC...
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 130A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 130A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L1004S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0065 Ohms @ 78A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.7V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 16 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 25 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5330pF. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 130A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 130A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L1004S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0065 Ohms @ 78A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.7V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 16 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 25 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5330pF. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
Transistor de canal N, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 110A. DI...
Transistor de canal N, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.004 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 6590pF. Costo): 1710pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 63 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 640A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 38 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V
Transistor de canal N, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.004 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 6590pF. Costo): 1710pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 63 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 640A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 38 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V
Transistor de canal N, 40V, 0.004 Ohms, TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): 40V. Resistencia en...
Transistor de canal N, 40V, 0.004 Ohms, TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): 40V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.004 Ohms. Vivienda: TO-220AB. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 160A. Potencia: 200W
Transistor de canal N, 40V, 0.004 Ohms, TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): 40V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.004 Ohms. Vivienda: TO-220AB. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 160A. Potencia: 200W
Transistor de canal N, 140A, 200A, 200A, 0.005 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 140A. DI ...
Transistor de canal N, 140A, 200A, 200A, 0.005 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 140A. DI (T=25°C): 200A. Idss (máx.): 200A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.005 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 790A. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Función: Conmutación rápida, unidad de puerta de nivel lógico
Transistor de canal N, 140A, 200A, 200A, 0.005 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 140A. DI (T=25°C): 200A. Idss (máx.): 200A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.005 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 790A. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Función: Conmutación rápida, unidad de puerta de nivel lógico
Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 40V, 140A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: ...
Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 40V, 140A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRL1404ZPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.003 Ohms @ 75A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.7V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 19 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 30 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5080pF. Disipación máxima Ptot [W]: 230W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 40V, 140A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRL1404ZPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.003 Ohms @ 75A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.7V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 19 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 30 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5080pF. Disipación máxima Ptot [W]: 230W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
Transistor de canal N, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V. D...
Transistor de canal N, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V. DI (T=100°C): 140A. DI (T=25°C): 200A. Idss: 20uA. Idss (máx.): 200A. Resistencia en encendido Rds activado: 2.5M Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-263 ( D2PAK ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 5080pF. Costo): 970pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 26 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 790A. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET
Transistor de canal N, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V. DI (T=100°C): 140A. DI (T=25°C): 200A. Idss: 20uA. Idss (máx.): 200A. Resistencia en encendido Rds activado: 2.5M Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-263 ( D2PAK ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 5080pF. Costo): 970pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 26 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 790A. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET
Transistor de canal N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 60A. DI (...
Transistor de canal N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 116A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.07 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 3290pF. Costo): 1270pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 400A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V
Transistor de canal N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 116A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.07 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 3290pF. Costo): 1270pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 400A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V
Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 30 v, 100A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda:...
Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 30 v, 100A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRL2203NPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.7V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3290pF. Disipación máxima Ptot [W]: 130W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 30 v, 100A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRL2203NPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.7V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3290pF. Disipación máxima Ptot [W]: 130W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Vivienda: soldadura de PC...
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L2203NS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3290pF. Disipación máxima Ptot [W]: 180W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L2203NS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3290pF. Disipación máxima Ptot [W]: 180W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Vivienda: soldadura de PC...
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L2203NS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3290pF. Disipación máxima Ptot [W]: 180W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L2203NS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3290pF. Disipación máxima Ptot [W]: 180W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
Transistor de canal N, 74A, 104A, 104A, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 74A. DI (T...
Transistor de canal N, 74A, 104A, 104A, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 74A. DI (T=25°C): 104A. Idss (máx.): 104A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Nivel lógico. Identificación (diablillo): 360A. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET
Transistor de canal N, 74A, 104A, 104A, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 74A. DI (T=25°C): 104A. Idss (máx.): 104A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Nivel lógico. Identificación (diablillo): 360A. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 104A. Vivienda: soldadura de PC...
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 104A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L2505S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 54A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 43 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 104A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L2505S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 54A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 43 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C