FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220 ( AB ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1100pF. Costo): 73pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Función: UltraFast CoPack IGBT. Corriente del colector: 23A. Ic (pulso): 92A. Marcado en la caja: IRG4BC30UD. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 91 ns. Td(encendido): 40 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.95V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.1V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminales: 3. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V. Ic(T=100°C): 12A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 980pF. Costo): 71pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Función: transistor MOSFET de potencia hasta 150 kHz. Corriente del colector: 23A. Ic (pulso): 92A. Marcado en la caja: IRG 4BC30W. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 99 ns. Td(encendido): 25 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.1V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminales: 3. Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 16A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 16A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 920pF. Costo): 110pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Corriente del colector: 28A. Ic (pulso): 58A. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 160 ns. Td(encendido): 60 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.21V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.7V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminales: 3. Spec info: Transistor IGBT ultrarrápido. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 12A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. DI (T=100°C): 12A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1100pF. Costo): 73pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Función: ULTRA FAST. Corriente del colector: 23A. Ic (pulso): 92A. Marcado en la caja: IRG4PC30UD. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 91 ns. Td(encendido): 40 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.95V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminales: 3. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 2200pF. Costo): 140pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: TO-247AC. Unidad de acondicionamiento: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Corriente del colector: 49A. Ic (pulso): 84A. Marcado en la caja: 230 ns. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 230 ns. Td(encendido): 63 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.85V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminales: 3. Función: Ultrarrápido, para altas frecuencias operativas de 8 a 40 kHz. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1600pF. Costo): 130pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Corriente del colector: 42A. Ic (pulso): 84A. Marcado en la caja: G4PC40K. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 30 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.7V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminales: 3. Spec info: Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT). Función: Ultrarrápido, para altas frecuencias operativas de 8 a 40 kHz. Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1600pF. Costo): 130pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Corriente del colector: 42A. Ic (pulso): 84A. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 53 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.6V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminales: 3. Función: Ultrarrápido, para altas frecuencias operativas de 8 a 40 kHz. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 2100pF. Costo): 140pF. Tipo de canal: N. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 160A. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 34 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.72V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Función: Ultrarrápido, para altas frecuencias operativas de 8 a 40 kHz. Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1900pF. Costo): 140pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 160A. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 27 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.05V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminales: 3. Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 3700pF. Costo): 260pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Corriente del colector: 55A. Ic (pulso): 220A. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 120ns. Td(encendido): 46 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.93V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.3V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminales: 3. Unidad de acondicionamiento: 25. Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 6050pF. Tipo de canal: N. Función: IGBT de alta velocidad . Corriente del colector: 90A. Ic (pulso): 360A. Pd (disipación de potencia, máx.): 520W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 310 ns. Td(encendido): 42 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminales: 3. Costo): 360pF. Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 21A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 1800pF. Costo): 120pF. Tipo de canal: N. Función: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Corriente del colector: 41A. Ic (pulso): 82A. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 220 ns. Td(encendido): 24 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.43V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3.1V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminales: 3. Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 2800pF. Costo): 140pF. Tipo de canal: N. Corriente del colector: 45A. Ic (pulso): 90A. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 200 ns. Td(encendido): 36ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.77V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminales: 3. Función: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V. Ic(T=100°C): 24A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensión colector/emisor Vceo: 1220V. C(pulg): 2800pF. Costo): 140pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Diodo Trr (Mín.): 90 ns. Corriente del colector: 45A. Ic (pulso): 90A. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 87 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.77V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminales: 3. Función: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Corriente del colector: 45A. Ic (pulso): 180A. Marcado en la caja: IRG4PH50U. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 200 ns. Td(encendido): 35 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.56V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminales: 3. Función: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). C(pulg): 3600pF. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 15A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 850pF. Costo): 75pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Diodo Trr (Mín.): 92 ns. Corriente del colector: 31A. Ic (pulso): 62A. Pd (disipación de potencia, máx.): 208W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 184 ns. Td(encendido): 34 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.2V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.5V. Número de terminales: 3. Spec info: Ultrafast Soft Recovery Diode. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 48A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 48A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 3025pF. Costo): 245pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Corriente del colector: 90A. Ic (pulso): 144A. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 165 ns. Td(encendido): 145 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.65V. Tensión puerta/emisor VGE: 30 v. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4 v. Número de terminales: 3. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 40A, TO-247, TO-247 ( AC ), 300V. Ic(T=100°C): 40A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 300V. C(pulg): 2250pF. Costo): 110pF. Tipo de canal: N. Unidad de acondicionamiento: 25. Corriente del colector: 70A. Ic (pulso): 250A. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 112 ns. Td(encendido): 36ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+140°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.29V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.57V. Tensión puerta/emisor VGE: 30 v. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2.6V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V. Número de terminales: 3. Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 130A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 130A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L1004S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0065 Ohms @ 78A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.7V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 16 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 25 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5330pF. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.004 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 6590pF. Costo): 1710pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 63 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 640A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 38 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 0.004 Ohms, TO-220AB, 40V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.004 Ohms. Vivienda: TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): 40V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 160A. Potencia: 200W

Transistor de canal N, 140A, 200A, 200A, 0.005 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 140A. DI (T=25°C): 200A. Idss (máx.): 200A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.005 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 790A. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Función: Conmutación rápida, unidad de puerta de nivel lógico

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 40V, 140A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRL1404ZPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.003 Ohms @ 75A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.7V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 19 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 30 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5080pF. Disipación máxima Ptot [W]: 230W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V. DI (T=100°C): 140A. DI (T=25°C): 200A. Idss: 20uA. Idss (máx.): 200A. Resistencia en encendido Rds activado: 2.5M Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-263 ( D2PAK ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 5080pF. Costo): 970pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 26 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 790A. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 116A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.07 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 3290pF. Costo): 1270pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Identificación (diablillo): 400A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección G-S: NINCS