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Semiconductores Transistores
FET y MOSFET de canal N

FET y MOSFET de canal N

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Cantidad en inventario : 83
IRG4PC40FDPBF

IRG4PC40FDPBF

Transistor de canal N, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Vivienda: TO-247. Vivien...
IRG4PC40FDPBF
Transistor de canal N, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. RoHS: sí. C(pulg): 2200pF. Costo): 140pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: TO-247AC. Unidad de acondicionamiento: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Función: Ultrarrápido, para altas frecuencias operativas de 8 a 40 kHz. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 49A. Ic (pulso): 84A. Marcado en la caja: 230 ns. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 230 ns. Td(encendido): 63 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.85V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
IRG4PC40FDPBF
Transistor de canal N, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. RoHS: sí. C(pulg): 2200pF. Costo): 140pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: TO-247AC. Unidad de acondicionamiento: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Función: Ultrarrápido, para altas frecuencias operativas de 8 a 40 kHz. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 49A. Ic (pulso): 84A. Marcado en la caja: 230 ns. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 230 ns. Td(encendido): 63 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.85V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
Conjunto de 1
9.47€ IVA incl.
(7.83€ sin IVA)
9.47€
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IRG4PC40K

IRG4PC40K

Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Vivienda: TO-247. Vivien...
IRG4PC40K
Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1600pF. Costo): 130pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Función: Ultrarrápido, para altas frecuencias operativas de 8 a 40 kHz. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 42A. Ic (pulso): 84A. Marcado en la caja: G4PC40K. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Spec info: Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 30 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.7V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
IRG4PC40K
Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1600pF. Costo): 130pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Función: Ultrarrápido, para altas frecuencias operativas de 8 a 40 kHz. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 42A. Ic (pulso): 84A. Marcado en la caja: G4PC40K. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Spec info: Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 30 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.7V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
Conjunto de 1
7.54€ IVA incl.
(6.23€ sin IVA)
7.54€
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IRG4PC40KD

IRG4PC40KD

Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Vivienda: TO-247. Vivien...
IRG4PC40KD
Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1600pF. Costo): 130pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Función: Ultrarrápido, para altas frecuencias operativas de 8 a 40 kHz. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 42A. Ic (pulso): 84A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 53 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.6V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
IRG4PC40KD
Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1600pF. Costo): 130pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Función: Ultrarrápido, para altas frecuencias operativas de 8 a 40 kHz. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 42A. Ic (pulso): 84A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 53 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.6V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
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7.55€ IVA incl.
(6.24€ sin IVA)
7.55€
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IRG4PC40U

IRG4PC40U

Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivien...
IRG4PC40U
Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 2100pF. Costo): 140pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Función: Ultrarrápido, para altas frecuencias operativas de 8 a 40 kHz. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 160A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 34 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.72V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V
IRG4PC40U
Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 2100pF. Costo): 140pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Función: Ultrarrápido, para altas frecuencias operativas de 8 a 40 kHz. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 160A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 34 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.72V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V
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7.73€ IVA incl.
(6.39€ sin IVA)
7.73€
Cantidad en inventario : 10
IRG4PC40W

IRG4PC40W

Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivien...
IRG4PC40W
Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1900pF. Costo): 140pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 160A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 27 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.05V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
IRG4PC40W
Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1900pF. Costo): 140pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 160A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 27 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.05V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
Conjunto de 1
9.84€ IVA incl.
(8.13€ sin IVA)
9.84€
Cantidad en inventario : 4
IRG4PC60FP

IRG4PC60FP

Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda: TO-247. Vivien...
IRG4PC60FP
Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 6050pF. Costo): 360pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Función: IGBT de alta velocidad . Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 90A. Ic (pulso): 360A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 520W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 310 ns. Td(encendido): 42 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
IRG4PC60FP
Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 6050pF. Costo): 360pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Función: IGBT de alta velocidad . Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 90A. Ic (pulso): 360A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 520W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 310 ns. Td(encendido): 42 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
Conjunto de 1
13.31€ IVA incl.
(11.00€ sin IVA)
13.31€
Cantidad en inventario : 35
IRG4PH40U

IRG4PH40U

Transistor de canal N, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 21A. Vivienda: TO...
IRG4PH40U
Transistor de canal N, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 21A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 1800pF. Costo): 120pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Función: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 41A. Ic (pulso): 82A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 220 ns. Td(encendido): 24 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.43V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3.1V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
IRG4PH40U
Transistor de canal N, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 21A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 1800pF. Costo): 120pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Función: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 41A. Ic (pulso): 82A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 220 ns. Td(encendido): 24 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.43V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3.1V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
Conjunto de 1
7.47€ IVA incl.
(6.17€ sin IVA)
7.47€
Cantidad en inventario : 32
IRG4PH50K

IRG4PH50K

Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Vivienda: TO...
IRG4PH50K
Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 2800pF. Costo): 140pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Función: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 45A. Ic (pulso): 90A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 200 ns. Td(encendido): 36ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.77V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
IRG4PH50K
Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 2800pF. Costo): 140pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Función: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 45A. Ic (pulso): 90A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 200 ns. Td(encendido): 36ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.77V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
Conjunto de 1
9.87€ IVA incl.
(8.16€ sin IVA)
9.87€
Cantidad en inventario : 12
IRG4PH50KD

IRG4PH50KD

Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V. Ic(T=100°C): 24A. Vivienda: TO...
IRG4PH50KD
Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V. Ic(T=100°C): 24A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensión colector/emisor Vceo: 1220V. C(pulg): 2800pF. Costo): 140pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Diodo Trr (Mín.): 90 ns. Función: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 45A. Ic (pulso): 90A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 87 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.77V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
IRG4PH50KD
Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V. Ic(T=100°C): 24A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensión colector/emisor Vceo: 1220V. C(pulg): 2800pF. Costo): 140pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Diodo Trr (Mín.): 90 ns. Función: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 45A. Ic (pulso): 90A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 87 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.77V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
Conjunto de 1
19.87€ IVA incl.
(16.42€ sin IVA)
19.87€
Cantidad en inventario : 36
IRG4PH50U

IRG4PH50U

Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Vivienda: TO...
IRG4PH50U
Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 3600pF. Costo): 160pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Función: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 45A. Ic (pulso): 180A. Marcado en la caja: IRG4PH50U. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 200 ns. Td(encendido): 35 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.56V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
IRG4PH50U
Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 3600pF. Costo): 160pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Función: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 45A. Ic (pulso): 180A. Marcado en la caja: IRG4PH50U. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 200 ns. Td(encendido): 35 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.56V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
Conjunto de 1
10.54€ IVA incl.
(8.71€ sin IVA)
10.54€
Cantidad en inventario : 48
IRGB15B60KD

IRGB15B60KD

Transistor de canal N, 15A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (s...
IRGB15B60KD
Transistor de canal N, 15A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 850pF. Costo): 75pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Diodo Trr (Mín.): 92 ns. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 31A. Ic (pulso): 62A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 208W. RoHS: sí. Spec info: Ultrafast Soft Recovery Diode. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 184 ns. Td(encendido): 34 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.2V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.5V
IRGB15B60KD
Transistor de canal N, 15A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 850pF. Costo): 75pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Diodo Trr (Mín.): 92 ns. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 31A. Ic (pulso): 62A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 208W. RoHS: sí. Spec info: Ultrafast Soft Recovery Diode. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 184 ns. Td(encendido): 34 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.2V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.5V
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7.76€
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IRGP4068D

IRGP4068D

Transistor de canal N, 48A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 48A. Vivienda: TO-247. Vivien...
IRGP4068D
Transistor de canal N, 48A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 48A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 3025pF. Costo): 245pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 90A. Ic (pulso): 144A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 165 ns. Td(encendido): 145 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.65V. Tensión puerta/emisor VGE: 30 v. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4 v
IRGP4068D
Transistor de canal N, 48A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 48A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 3025pF. Costo): 245pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 90A. Ic (pulso): 144A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 165 ns. Td(encendido): 145 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.65V. Tensión puerta/emisor VGE: 30 v. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4 v
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13.30€
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IRGP4086

IRGP4086

Transistor de canal N, 40A, TO-247, TO-247 ( AC ), 300V. Ic(T=100°C): 40A. Vivienda: TO-247. Vivien...
IRGP4086
Transistor de canal N, 40A, TO-247, TO-247 ( AC ), 300V. Ic(T=100°C): 40A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 300V. C(pulg): 2250pF. Costo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Unidad de acondicionamiento: 25. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 70A. Ic (pulso): 250A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 112 ns. Td(encendido): 36ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+140°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.29V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.57V. Tensión puerta/emisor VGE: 30 v. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2.6V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V
IRGP4086
Transistor de canal N, 40A, TO-247, TO-247 ( AC ), 300V. Ic(T=100°C): 40A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 300V. C(pulg): 2250pF. Costo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Unidad de acondicionamiento: 25. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 70A. Ic (pulso): 250A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 112 ns. Td(encendido): 36ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+140°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.29V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.57V. Tensión puerta/emisor VGE: 30 v. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2.6V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V
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(6.55€ sin IVA)
7.93€
Cantidad en inventario : 49
IRL1004S

IRL1004S

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 130A. Vivienda: soldadura de PC...
IRL1004S
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 130A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 130A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L1004S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0065 Ohms @ 78A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.7V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 16 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 25 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5330pF. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
IRL1004S
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 130A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 130A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L1004S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0065 Ohms @ 78A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.7V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 16 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 25 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5330pF. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
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4.14€ IVA incl.
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4.14€
Cantidad en inventario : 81
IRL1404

IRL1404

Transistor de canal N, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 110A. DI...
IRL1404
Transistor de canal N, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.004 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 6590pF. Costo): 1710pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 63 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 640A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 38 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V
IRL1404
Transistor de canal N, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.004 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 6590pF. Costo): 1710pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 63 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 640A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 38 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V
Conjunto de 1
4.09€ IVA incl.
(3.38€ sin IVA)
4.09€
Cantidad en inventario : 15
IRL1404PBF

IRL1404PBF

Transistor de canal N, 40V, 0.004 Ohms, TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): 40V. Resistencia en...
IRL1404PBF
Transistor de canal N, 40V, 0.004 Ohms, TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): 40V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.004 Ohms. Vivienda: TO-220AB. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 160A. Potencia: 200W
IRL1404PBF
Transistor de canal N, 40V, 0.004 Ohms, TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): 40V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.004 Ohms. Vivienda: TO-220AB. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 160A. Potencia: 200W
Conjunto de 1
3.18€ IVA incl.
(2.63€ sin IVA)
3.18€
Cantidad en inventario : 111
IRL1404Z

IRL1404Z

Transistor de canal N, 140A, 200A, 200A, 0.005 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 140A. DI ...
IRL1404Z
Transistor de canal N, 140A, 200A, 200A, 0.005 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 140A. DI (T=25°C): 200A. Idss (máx.): 200A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.005 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 790A. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Función: Conmutación rápida, unidad de puerta de nivel lógico
IRL1404Z
Transistor de canal N, 140A, 200A, 200A, 0.005 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 140A. DI (T=25°C): 200A. Idss (máx.): 200A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.005 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 790A. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Función: Conmutación rápida, unidad de puerta de nivel lógico
Conjunto de 1
3.09€ IVA incl.
(2.55€ sin IVA)
3.09€
Cantidad en inventario : 42
IRL1404ZPBF

IRL1404ZPBF

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 40V, 140A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: ...
IRL1404ZPBF
Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 40V, 140A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRL1404ZPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.003 Ohms @ 75A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.7V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 19 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 30 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5080pF. Disipación máxima Ptot [W]: 230W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
IRL1404ZPBF
Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 40V, 140A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRL1404ZPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.003 Ohms @ 75A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.7V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 19 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 30 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5080pF. Disipación máxima Ptot [W]: 230W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
Conjunto de 1
4.83€ IVA incl.
(3.99€ sin IVA)
4.83€
Cantidad en inventario : 69
IRL1404ZS

IRL1404ZS

Transistor de canal N, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V. D...
IRL1404ZS
Transistor de canal N, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V. DI (T=100°C): 140A. DI (T=25°C): 200A. Idss: 20uA. Idss (máx.): 200A. Resistencia en encendido Rds activado: 2.5M Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-263 ( D2PAK ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 5080pF. Costo): 970pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 26 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 790A. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET
IRL1404ZS
Transistor de canal N, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V. DI (T=100°C): 140A. DI (T=25°C): 200A. Idss: 20uA. Idss (máx.): 200A. Resistencia en encendido Rds activado: 2.5M Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-263 ( D2PAK ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 5080pF. Costo): 970pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 26 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 790A. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET
Conjunto de 1
3.81€ IVA incl.
(3.15€ sin IVA)
3.81€
Cantidad en inventario : 47
IRL2203N

IRL2203N

Transistor de canal N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 60A. DI (...
IRL2203N
Transistor de canal N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 116A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.07 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 3290pF. Costo): 1270pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 400A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V
IRL2203N
Transistor de canal N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 116A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.07 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 3290pF. Costo): 1270pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 400A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V
Conjunto de 1
2.37€ IVA incl.
(1.96€ sin IVA)
2.37€
Cantidad en inventario : 247
IRL2203NPBF

IRL2203NPBF

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 30 v, 100A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda:...
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Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 30 v, 100A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRL2203NPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.7V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3290pF. Disipación máxima Ptot [W]: 130W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
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Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 30 v, 100A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRL2203NPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.7V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3290pF. Disipación máxima Ptot [W]: 130W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
Conjunto de 1
5.53€ IVA incl.
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5.53€
Cantidad en inventario : 1
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Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Vivienda: soldadura de PC...
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Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L2203NS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3290pF. Disipación máxima Ptot [W]: 180W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
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Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L2203NS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3290pF. Disipación máxima Ptot [W]: 180W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
Conjunto de 1
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Cantidad en inventario : 798
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Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Vivienda: soldadura de PC...
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Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L2203NS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3290pF. Disipación máxima Ptot [W]: 180W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
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Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L2203NS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3290pF. Disipación máxima Ptot [W]: 180W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
Conjunto de 1
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6.22€
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IRL2505

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Transistor de canal N, 74A, 104A, 104A, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 74A. DI (T...
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Transistor de canal N, 74A, 104A, 104A, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 74A. DI (T=25°C): 104A. Idss (máx.): 104A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Nivel lógico. Identificación (diablillo): 360A. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET
IRL2505
Transistor de canal N, 74A, 104A, 104A, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 74A. DI (T=25°C): 104A. Idss (máx.): 104A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Nivel lógico. Identificación (diablillo): 360A. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET
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2.69€
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Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 104A. Vivienda: soldadura de PC...
IRL2505STRLPBF
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 104A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L2505S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 54A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 43 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
IRL2505STRLPBF
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 104A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L2505S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 54A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 43 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C
Conjunto de 1
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