FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.1A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 1000V. C(pulg): 2800pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 630 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 24A. IDss (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, TO-247AC, 2 Ohms, 1000V. Vivienda: TO-247AC. Resistencia en encendido Rds activado: 2 Ohms. Tensión drenaje-fuente (Vds): 1000V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 6.1A. Potencia: 190W

Transistor de canal N, 23A, 36A, 250uA, 0.13 Ohms, 17.4k Ohms, SUPER247, 500V. DI (T=100°C): 23A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.13 Ohms. Vivienda: 17.4k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SUPER247. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 5579pF. Costo): 810pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 144A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 52 ns. Td(encendido): 23 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, 17.4k Ohms, 500V, 36A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: 17.4k Ohms. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFPS37N50APBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 22A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 23 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 52 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5580pF. Disipación máxima Ptot [W]: 446W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.075 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 370pF. Costo): 140pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 68A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 4.9 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 55V, 17A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FR024N. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 4.9 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 19 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 370pF. Disipación máxima Ptot [W]: 45W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 14A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FR024N. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 4.9 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 19 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 370pF. Disipación máxima Ptot [W]: 45W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. DI (T=100°C): 2.7A. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.54 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 180pF. Costo): 80pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 17A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 6.9ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 100V, 4.3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.3A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFR110PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 2.6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 6.9ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 180pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 31A, 44A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=100°C): 31A. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.027 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1300pF. Costo): 410pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 65 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 160A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 107W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 47 ns. Td(encendido): 7.3 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+155°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Función: Resistencia de encendido ultrabaja, conmutación rápida. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 55V, 44A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FR1205. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 26A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7.3 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 47 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1300pF. Disipación máxima Ptot [W]: 107W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 100V, 6.6A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.6A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FR1205N. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.21 Ohms @ 5.6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 4.5 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 32 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 330pF. Disipación máxima Ptot [W]: 48W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 200V, 5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FR220N. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 6.4 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 20 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 300pF. Disipación máxima Ptot [W]: 43W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 2A, 3.1A, 3.1A, 1.8 Ohms, D-PAK TO-252AA, 400V. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 3.1A. Idss (máx.): 3.1A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.8 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Voltaje Vds(máx.): 400V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: HEXFET

Transistor de canal N, 49A, 71A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=100°C): 49A. DI (T=25°C): 71A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.011 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 2030pF. Costo): 470pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 280A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 43 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Función: Resistencia de encendido ultrabaja, conmutación rápida. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 61A. DI (T=25°C): 86A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5.2m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 2330pF. Costo): 460pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 340A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 79W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.25V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Función: Resistencia de encendido ultrabaja, impedancia de compuerta ultrabaja. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 12A, 16A, 250uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.115 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 640pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 60A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 79W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 37 ns. Td(encendido): 6.4 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 19A, 27A, 0.025mA, 27A, 0.045 Ohms, D-PAK TO-252AA, 55V. DI (T=100°C): 19A. DI (T=25°C): 27A. Idss: 0.025mA. Idss (máx.): 27A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.045 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Voltaje Vds(máx.): 55V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: td(on) 7ns. Identificación (diablillo): 100A. Pd (disipación de potencia, máx.): 68W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal N, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2.4A. Idss: 0.025mA. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Voltaje Vds(máx.): 500V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 8A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 1.3A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. DI (T=100°C): 1.3A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4.4 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 350pF. Costo): 48pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 290 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 8A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 600V, 2A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFRC20PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.4 Ohms @ 1.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 30 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 350pF. Disipación máxima Ptot [W]: 42W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=100°C): 4.1A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 500pF. Costo): 95pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 137 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Advanced Power MOSFET. Identificación (diablillo): 36A. IDss (mín.): 10uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 38W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: Advanced Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 4.1A, 6.5A, 6.5A, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=100°C): 4.1A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 6.5A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.34 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 26A. Pd (disipación de potencia, máx.): 38W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Power MOSFET. Función: Carga de puerta baja (típica 22 nC), Low Crss

Transistor de canal N, 3.7A, 5.8A, 5.8A, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. DI (T=100°C): 3.7A. DI (T=25°C): 5.8A. Idss (máx.): 5.8A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.45 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 250V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 32A. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Advanced Power MOSFET

Transistor de canal N, 3.9A, 5.5A, 1000uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 5.5A. Idss (máx.): 1000uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.55 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 400V. C(pulg): 1500pF. Costo): 178pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 370 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): 250uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS