FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=100°C): 4.1A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 500pF. Costo): 95pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 137 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Advanced Power MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 36A. IDss (mín.): 10uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 38W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: Advanced Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 4.1A, 6.5A, 6.5A, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=100°C): 4.1A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 6.5A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.34 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Carga de puerta baja (típica 22 nC), Low Crss. Identificación (diablillo): 26A. Pd (disipación de potencia, máx.): 38W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Power MOSFET

Transistor de canal N, 3.7A, 5.8A, 5.8A, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. DI (T=100°C): 3.7A. DI (T=25°C): 5.8A. Idss (máx.): 5.8A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.45 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 250V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 32A. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Advanced Power MOSFET

Transistor de canal N, 3.9A, 5.5A, 1000uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 5.5A. Idss (máx.): 1000uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.55 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 400V. C(pulg): 1500pF. Costo): 178pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 370 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): 250uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.075 Ohms. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 370pF. Costo): 140pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Resistencia de encendido ultrabaja, conmutación rápida. Identificación (diablillo): 68A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 4.7 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, I-PAK, 60V, 14A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: I-PAK. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFU024NPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 8.4A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 4.9 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 19 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 370pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 2.7A, 4.3A, 4.3A, 0.54 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 100V. DI (T=100°C): 2.7A. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 4.3A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.54 Ohms. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 100V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 17A. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET

Transistor de canal N, 1.7A, 2.6A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. DI (T=100°C): 1.7A. DI (T=25°C): 2.6A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 140pF. Costo): 53pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 10A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 14 ns. Td(encendido): 8.2 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 1.4A, 2.4A, 250uA, 3 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 500V. DI (T=100°C): 1.4A. DI (T=25°C): 2.4A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 360pF. Costo): 92pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Identificación (diablillo): 8A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 8 ns. Td(encendido): 33 ns. Tecnología: transistor MOSFET de potencia de tercera generación. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-251AA, 500V, 2.4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-251AA. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFU420PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.4A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 33 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 360pF. Disipación máxima Ptot [W]: 42W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-251AA, 200V, 24A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-251AA. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFU4620PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.78 Ohms @ 15A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13.4 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 25.4 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1710pF. Disipación máxima Ptot [W]: 144W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V. DI (T=100°C): 1.2A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4.4 Ohms. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 350pF. Costo): 48pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 8A. IDss (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: V-MOS. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.07 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 370pF. Costo): 140pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 68A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 4.9 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 60V, 17A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFZ24NPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 10A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 25 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 640pF. Disipación máxima Ptot [W]: 60W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 17A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FZ24NS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 10A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 4.9 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 19 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 370pF. Disipación máxima Ptot [W]: 45W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 29A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.04 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 700pF. Costo): 240pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 57 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 100A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 68W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 31 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 60V, 30A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFZ34NPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 16A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 31 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 700pF. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 49A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0175 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1470pF. Costo): 360pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 63us. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low On-Resistance. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 160A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 94W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 44 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 55V, TO220AB. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 55V. Vivienda: TO220AB. Serie: HEXFET. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 49A. Voltaje de accionamiento: 10V. Rds on (max) @ id, VGS: 17.5m Ohms / 25A / 10V. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Pd (disipación de potencia, máx.): 94W. Tipo de montaje: THT

Transistor de canal N, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 49A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 17.5m Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1470pF. Costo): 360pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 63 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 160A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 94W. RoHS: sí. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 44 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 49A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FZ44NS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0175 Ohms @ 25A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 44 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1470pF. Disipación máxima Ptot [W]: 94W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 39A, 55A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 55A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 16.5m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 1812pF. Costo): 393pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low On-Resistance. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 220A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 115W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 37A. DI (T=25°C): 53A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 16.5m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1696pF. Costo): 407pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 67 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low On-Resistance. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 180A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 107W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 52 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. DI (T=100°C): 37A. DI (T=25°C): 53A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 16.5m Ohms. Vivienda: TO-262 ( I2-PAK ). Vivienda (según ficha técnica): TO-262. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1696pF. Costo): 407pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 67 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low On-Resistance. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 180A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 52 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 55V, TO220AB. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 55V. Vivienda: TO220AB. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Serie: IRFZ. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 53A. Voltaje de accionamiento: 10V. Rds on (max) @ id, VGS: 16.5m Ohms / 28A / 10V. VGS (th) (max) @ id: 3. QG (Total Gate Charge, max @ vgs): IRFZ46NPBF. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Pd (disipación de potencia, máx.): 107W. Temperatura de funcionamiento: 0.0165 Ohms @ 28A. Tipo de montaje: THT. Características: 52 ns. Información: 1696pF. MSL: 150W