FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247, 500V, 14A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFP450LCPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 30 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2200pF. Disipación máxima Ptot [W]: 190W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247, 500V, 14A, 180W. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Vivienda (norma JEDEC): 180W. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFP450PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 17 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 92 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2600pF. Disipación máxima Ptot [W]: 190W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 121A, 694A, 250uA, 0.0048 Ohms, TO-247, TO-247AC, 150V. DI (T=100°C): 121A. DI (T=25°C): 694A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0048 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 150V. C(pulg): 10470pF. Costo): 977pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 171A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 517W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 47 ns. Td(encendido): 27 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.27 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 4200pF. Costo): 870pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 80A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 280W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V. Vivienda: TO-247. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.27 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 500V. RoHS: sí. C(pulg): 3100pF. Costo): 480pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 480 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 80A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 280W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 13A, 20A, 10uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.20 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 500V. Costo): 152pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 437ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 62A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 278W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 117 ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: D Series Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. C(pulg): 3940pF. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 12A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.27 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 3600pF. Costo): 440pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 80A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 280W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Función: Conmutación rápida, carga de puerta ultrabaja. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247, 500V, 20A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFP460LCPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 18 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 40 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 280W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3600pF

Transistor de canal N, 500V, 20A, TOP-3 (TO-247), 500V. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Vivienda: TOP-3 (TO-247). Tensión drenaje-fuente (Vds): 500V. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFP460PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 18 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 110 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 4200pF. Disipación máxima Ptot [W]: 280W. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 20A. Potencia: 250W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 92A, 130A, 0.1mA, 130A, 0.008 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. DI (T=100°C): 92A. DI (T=25°C): 130A. Idss: 0.1mA. Idss (máx.): 130A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Rectificación síncrona de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas. Identificación (diablillo): 520A. Pd (disipación de potencia, máx.): 520W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal N, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. DI (T=100°C): 51A. DI (T=25°C): 72A. Idss: 250uA. Idss (máx.): 72A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.011 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 6160pF. Costo): 440pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Power-MOSFET. Identificación (diablillo): 300A. IDss (mín.): 0.1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. Td(apagado): 41 ns. Td(encendido): 35 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 3.5V. Vgs(th) máx.: 5.5V. Nota: Frecuencia alta. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, TO-247AC, 100V, 72A, 0.014 Ohms, 100V. Vivienda: TO-247AC. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 72A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.014 Ohms. Tensión drenaje-fuente (Vds): 100V. Marcado del fabricante: IRFP4710PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 45A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 35 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 41 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 6160pF. Disipación máxima Ptot [W]: 190W. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 72A. Potencia: 190W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 66A, 94A, 250uA, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. DI (T=100°C): 66A. DI (T=25°C): 94A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.023 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 1070pF. Costo): 6040pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidores DC-DC de alta frecuencia. Identificación (diablillo): 380A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 580W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 43 ns. Td(encendido): 23 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AC, 200V, 94A, 580W. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 94A. Vivienda (norma JEDEC): 580W. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFP90N20DPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 56A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 23 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 43 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 640pF. Disipación máxima Ptot [W]: 580W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 7A, 11A, 500uA, 0.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.6 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 2700pF. Costo): 300pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 44A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 88 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 7A, 11A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.58 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 2100pF. Costo): 270pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 44A. IDss (mín.): 25uA-. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 33 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AC, 600V, 11A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFPC50PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 18 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 88 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2700pF. Disipación máxima Ptot [W]: 180W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 6A, 16A, 500uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 3900pF. Costo): 440pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 610 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Identificación (diablillo): 64A. IDss (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 280W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 3.4A, 5.4A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. DI (T=100°C): 3.4A. DI (T=25°C): 5.4A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1900pF. Costo): 470pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 22A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Función: conmutación rápida, ORION TV. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AC, 800V, 5.4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.4A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFPE40PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 3.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 16 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 100 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1900pF. Disipación máxima Ptot [W]: 150W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. DI (T=100°C): 4.7A. DI (T=25°C): 7.8A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 3100pF. Costo): 800pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 650 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 31A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 120ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 1.2 Ohms, TO-247AC HV, 800V. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-247AC HV. Tensión drenaje-fuente (Vds): 800V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 7.8A. Potencia: 190W

Transistor de canal N, 4.7A, 4.7A, TO-247, TO-247AC, 900V. DI (T=25°C): 4.7A. Idss (máx.): 4.7A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 900V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: <63/214ns. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: V-MOS L

Transistor de canal N, 4.2A, 6.7A, 500uA, 1.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 900V. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.7A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.6 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 2900pF. Costo): 270pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 610 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 27A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AC, 900V, 6.7A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.7A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFPF50PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.6 Ohms @ 4A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 130 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2900pF. Disipación máxima Ptot [W]: 190W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C