Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 1.3A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V - IRFRC20

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1 - 4 1.44€ 1.74€
5 - 9 1.37€ 1.66€
10 - 24 1.29€ 1.56€
25 - 49 1.22€ 1.48€
50 - 99 1.19€ 1.44€
100 - 249 1.10€ 1.33€
250 - 272 1.04€ 1.26€
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Transistor de canal N, 1.3A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V - IRFRC20. Transistor de canal N, 1.3A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. DI (T=100°C): 1.3A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4.4 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 350pF. Costo): 48pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 290 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 8A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 16:25.

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Transistor de canal N, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V. DI (T=100°C): 1.2A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4.4 Ohms. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 350pF. Costo): 48pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 8A. IDss (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: V-MOS. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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