FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AC, 55V, 53A, 1, TO-247, TO-247AC, 55V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 53A. Vivienda (norma JEDEC): 1. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 55V. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFP044N. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ 29A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 43 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1500pF. Disipación máxima Ptot [W]: 120W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 43 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET

Transistor de canal N, 52A, 70A, 250uA, 0.018 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. DI (T=100°C): 52A. DI (T=25°C): 70A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.018 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 2400pF. Costo): 1300pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: PowerMOSFET. Identificación (diablillo): 290A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 210 ns. Td(encendido): 8.1 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 45A, 64A, 250uA, 0.016 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. DI (T=100°C): 45A. DI (T=25°C): 64A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.016 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1900pF. Costo): 620pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 94 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 210A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 32 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET ® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 64A, 70A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. DI (T=100°C): 64A. DI (T=25°C): 70A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.014 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 4500pF. Costo): 2000pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 360A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 83 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 81A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.012 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 2900pF. Costo): 880pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 81 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 290A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 170W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. DI (T=100°C): 59A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 4000pF. Costo): 1300pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 390A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 43 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AC, 55V, 110A, 150W. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Vivienda (norma JEDEC): 150W. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFP064NPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 43 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 4000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AC, 60V, 70A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFP064PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 78A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 21 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 110 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 7400pF. Disipación máxima Ptot [W]: 300W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 22A, 31A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. DI (T=100°C): 22A. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.077 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1700pF. Costo): 550pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 180 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 60.4k Ohms. IDss (mín.): 25uA. Nota: transistor complementario (par) IRFP9140. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. RoHS: sí. Td(apagado): 53 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Potencia: 180W. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0042 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 5600pF. Costo): 1310pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance. Identificación (diablillo): 640A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 310W. RoHS: sí. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Potencia: 310W. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 31A, 31A, 0.51 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 100V. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 31A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.51 Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 100V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: PowerMOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 131W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET

Transistor de canal N, 16A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.052 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 100V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: PowerMOSFET. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 44 ns. Td(encendido): 8.2 ns. Tecnología: HEXFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 29A, 41A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. DI (T=100°C): 29A. DI (T=25°C): 41A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.55 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 2800pF. Costo): 1100pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 220 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 160A. IDss (mín.): 25uA. Marcado en la caja: IRFP150. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.36 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1900pF. Costo): 450pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 180 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 140A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AC, 100V, 42A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFP150NPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 45 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1900pF. Disipación máxima Ptot [W]: 160W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AC, 100V, 42A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFP150PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 16 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 60 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2800pF. Disipación máxima Ptot [W]: 160W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 22A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.23 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 3450pF. Costo): 513pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: SMPS MOSFET. Identificación (diablillo): 88A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 277W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 47 ns. Td(encendido): 26 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 12A, 20A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.18 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 1300pF. Costo): 400pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 80A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Peso: 4.6g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: transistor complementario (par) IRFP9240. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, TO-247AC, 200V, 20A, 200V. Vivienda: TO-247AC. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Tensión drenaje-fuente (Vds): 200V. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFP240PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 12A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 45 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1300pF. Disipación máxima Ptot [W]: 150W. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 20A. Potencia: 150W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.075 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 2159pF. Costo): 315pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 186 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 60.4k Ohms. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 214W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 41 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, TO-247AC, 200V, 30A, 0.075 Ohms, 200V. Vivienda: TO-247AC. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.075 Ohms. Tensión drenaje-fuente (Vds): 200V. Marcado del fabricante: IRFP250NPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 18A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 41 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2159pF. Disipación máxima Ptot [W]: 214W. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 30A. Potencia: 214W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AC, 200V, 30A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFP250PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.085 Ohms @ 18A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 16 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 70 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2800pF. Disipación máxima Ptot [W]: 190W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AC, 250V, 23A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFP254PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 14A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 15 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 74 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2700pF. Disipación máxima Ptot [W]: 190W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.04 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 4057pF. Costo): 603pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 268 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: relación dinámica dv/dt, conmutación rápida. Identificación (diablillo): 200A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Peso: 5.57g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247, 200V, 50A, 280W. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Vivienda (norma JEDEC): 280W. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFP260NPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 28A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 17 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 55 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 4057pF. Disipación máxima Ptot [W]: 300W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C