FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, soldadura de PCB, ITO-220AB, 100V, 7.2A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: ITO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFI520GPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 4.3A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 19 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 37W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 360pF

Transistor de canal N, soldadura de PCB, ITO-220AB, 100V, 9.7A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: ITO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.7A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFI530GPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 5.8A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.6 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 34 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 670pF. Disipación máxima Ptot [W]: 42W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, ITO-220AB, 100V, 17A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: ITO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFI540GPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 10A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 53 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1700pF. Disipación máxima Ptot [W]: 48W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 14A, 20A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V. DI (T=100°C): 14A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.052 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220 FULLPAK. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1400pF. Costo): 330pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 110A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 54W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 44 ns. Td(encendido): 8.2 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 4.1A, 6.5A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=100°C): 4.1A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 800pF. Costo): 240pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 36A. IDss (mín.): 25uA. Marcado en la caja: IRFI630G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 9.4 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, ITO-220AB, 200V, 5.9A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: ITO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.9A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFI630GPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 9.4 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 39 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 800pF. Disipación máxima Ptot [W]: 32W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, ITO-220AB, 200V, 9.8A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: ITO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFI640GPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 5.9A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 45 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1300pF. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 3.6A, 5.7A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. DI (T=100°C): 3.6A. DI (T=25°C): 5.7A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.55 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 400V. C(pulg): 1100pF. Costo): 190pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 380 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low Gate Charge. Identificación (diablillo): 23A. IDss (mín.): 25uA. Nota: Viso 2500V. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, ITO-220AB, 400V, 5.4A, 0.55 Ohms 40W. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: ITO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.4A. Vivienda (norma JEDEC): 0.55 Ohms 40W. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFI740G. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 3.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 54 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1370pF. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 0.85 Ohm 40W, TO-220-F, 2.9A, 4.6A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V, 500V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.85 Ohm 40W. Vivienda: TO-220-F. DI (T=100°C): 2.9A. DI (T=25°C): 4.6A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.85 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 500V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 500V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Corriente máxima de drenaje: 4.6A. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: diodo. Identificación (diablillo): 18A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, ITO-220AB, 500V, 4.6A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: ITO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.6A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFI840GPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 2.8A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 55 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1300pF. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 1.1A, 1.7A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 1.1A. DI (T=25°C): 1.7A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4.4 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 350pF. Costo): 48pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 290ms. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 6A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 1.5A, 2.5A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.2 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 660pF. Costo): 86pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 10A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Función: Switching. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 2.2A, 3.5A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 2.2A. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1300pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 470ms. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 14A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, ITO-220AB, 900V, 1.9A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: ITO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFIBF30GPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 90 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1200pF. Disipación máxima Ptot [W]: 35W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 0.024 Ohms, 22A, 31A, 31A, TO-220FP, TO-220F, 55V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.024 Ohms. DI (T=100°C): 22A. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 31A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 55V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 55V, 1.9A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FL014N. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 1.9A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 6.6 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 12 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 190pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.1W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 60V, 2.7A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FA. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 13 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 300pF. Disipación máxima Ptot [W]: 3.1W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. DI (T=100°C): 2.3A. DI (T=25°C): 2.8A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.075 Ohms. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 400pF. Costo): 145pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 11.2A. IDss (mín.): 25uA. Equivalentes: IRFL024NPBF. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 22.2 ns. Td(encendido): 8.1 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 55V, 2.8A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.8A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FL024N. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 2.8A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.1 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 22 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 400pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.1W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 100V, 1.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FL110. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 6.9ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 180pF. Disipación máxima Ptot [W]: 3.1W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. DI (T=100°C): 0.6A. DI (T=25°C): 0.96A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 140pF. Costo): 53pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 7.7A. IDss (mín.): 25uA. Nota: Serigrafía/código SMD FC. Marcado en la caja: FC. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 14 ns. Td(encendido): 8.2 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 200V, 0.96A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.96A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FC. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 0.58A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.2 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 14 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 140pF. Disipación máxima Ptot [W]: 3.1W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.045 Ohms. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 55V. RoHS: sí. C(pulg): 660pF. Costo): 230pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 55 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 30A. IDss (mín.): 25uA. IGF: 660pF. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.1W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 7.1 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 100V, 1.6A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.6A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FL4310. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7.8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 34 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 330pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.1W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C