FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), PDFN56, 40V, 121A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: PDFN56. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 35 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5022pF. Disipación máxima Ptot [W]: 107W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), PDFN56, 60V, 104A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: PDFN56. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.005 Ohm @ 16A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 56 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 6870pF. Disipación máxima Ptot [W]: 136W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), PDFN56, 60V, 107A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: PDFN56. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 107A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohm @ 16A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 4 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 78 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 6253pF. Disipación máxima Ptot [W]: 136W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 20V, -6A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.021 Ohms @ 6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 0.6V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.1 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 21.8 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 562pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.6W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 0.47A, 0.47A, 3 Ohms, 60V. DI (T=25°C): 0.47A. Idss (máx.): 0.47A. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Tecnología: V-MOS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 70V, 10A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: VNB10N07. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 100 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 900ns. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +135°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 42V, 14A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: VNB14N04. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 7A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 120ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 500 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +135°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 70V, 35A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: VNB35N07-E. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 200 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 800 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +135°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 42V, 49A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: VNB49N04. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 25A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 600 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 2400 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +135°C

Transistor de canal N, 1.7A, 75uA, 0.25 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. DI (T=25°C): 1.7A. Idss (máx.): 75uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.25 Ohms. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 45V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. IDss (mín.): 30uA. Nota: serigrafía/código SMD 1NV04P. Pd (disipación de potencia, máx.): 7W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

Transistor de canal N, 10A, 200uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220, 70V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.10 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 70V. Costo): 350pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 125 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Mosfet de potencia totalmente autoprotegido. Protección G-S: diodo Zener. Identificación (diablillo): 14A. IDss (mín.): 50uA. IGF: 50mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Spec info: Limitación de corriente lineal. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 230 ns. Td(encendido): 50 ns. Tecnología: OMNIFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C

Transistor de canal N, 20A, 200uA, 0.05 Ohms, TO-220, TO-220AB, 70V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.05 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 70V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Mosfet de potencia totalmente autoprotegido. IDss (mín.): 50uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 83W. RoHS: sí. Spec info: Voltage Clamp 70V, I limit 20A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: OMNIFET. Disipación máxima Ptot [W]: 83W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +135°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, MOSFET, 70V, 35A, 70V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): MOSFET. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Voltaje Vds(máx.): 70V. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: VNP35N07. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 200 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 1000 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 100 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +135°C. Utilizado para: Ilim= 35A IR= -50A. Voltaje de entrada Vin (máx.): 18V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 70V, 5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: VNP5N07-E. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 2.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 100 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 250 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 31W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +135°C

Transistor de canal N, 3.5A, 75uA, 0.12 Ohms, SO, SO-8, 45V. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 75uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.12 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 45V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 107ns. Tipo de transistor: MOSFET. IDss (mín.): 30uA. Nota: serigrafía/código SMD S3NV04DP. Marcado en la caja: S3NV04DP. Pd (disipación de potencia, máx.): 4W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 450 ns. Td(encendido): 90 ns. Tecnología: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 650V, 38A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 38A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.099 Ohms @ 15A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 53 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 193 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2940pF. Disipación máxima Ptot [W]: 277W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 100V, 0.0055 Ohms, TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): 100V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0055 Ohms. Vivienda: TO-220AB. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 130A. Potencia: 260W

Transistor de canal N, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): 60V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0029 Ohms. Vivienda: TO-220AB. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 200A. Potencia: 260W

Transistor de canal N, 100V, 0.0086 Ohms, TO-220. Tensión drenaje-fuente (Vds): 100V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0086 Ohms. Vivienda: TO-220. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 70A. Potencia: 125W

Transistor de canal N, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Número de terminales: 3. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Advanced Power MOSFET

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 60V, 0.15A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: ZVN3306F. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 5 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 6 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 35pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.33W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. DI (T=25°C): 0.18A. Idss (máx.): 0.18A. Resistencia en encendido Rds activado: 10 Ohms. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Nivel lógico. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.7W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

Transistor de canal N, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 3.8A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.13 Ohms. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 70V. C(pulg): 298pF. Costo): 35pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 10A. IDss (mín.): 0uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 11.5 ns. Td(encendido): 1.9 ns. Tecnología: MOSFET en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V