FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 170A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.3M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 75V. C(pulg): 6920pF. Costo): 600pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 36ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Rectificación síncrona de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas. Identificación (diablillo): 670A. IDss (mín.): 20uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 170A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.3M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 75V. C(pulg): 6920pF. Costo): 600pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Diodo Trr (Mín.): 36ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Rectificación síncrona de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas. Identificación (diablillo): 670A. IDss (mín.): 20uA. Marcado en la caja: FB3207. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 110A, 160A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.3M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 4520pF. Costo): 500pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 31 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Rectificación síncrona de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas. Identificación (diablillo): 620A. IDss (mín.): 20uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 90A, 128A, 250uA, 0.0046 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 90A. DI (T=25°C): 128A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0046 Ohm. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 75V. C(pulg): 4750pF. Costo): 420pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Rectificación síncrona de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas. Identificación (diablillo): 512A. IDss (mín.): 20uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 38 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 56A, 80A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 56A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.55 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 75V. Costo): 280pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Rectificación síncrona de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas. Identificación (diablillo): 310A. IDss (mín.): 20uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 43 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. C(pulg): 3070pF. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 80m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 150V. C(pulg): 800pF. Costo): 74pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 64 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Parámetros clave optimizados para audio Clase-D. Identificación (diablillo): 51A. IDss (mín.): 20uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: MOSFET de audio digital. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4.9V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 80m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 1200pF. Costo): 91pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 82 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Parámetros clave optimizados para audio Clase-D. Identificación (diablillo): 52A. IDss (mín.): 20uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 16 ns. Td(encendido): 7.8 ns. Tecnología: MOSFET de audio digital. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 4.9V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 130A. DI (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.7m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 9620pF. Costo): 670pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutador PDP. Identificación (diablillo): 670A. IDss (mín.): 20uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 370W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 78 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Peso: 1.99g. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 74A, 104A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 150V, 0.0093 Ohms. DI (T=100°C): 74A. DI (T=25°C): 104A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 150V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0093 Ohms. Costo): 490pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Diodo Trr (Mín.): 86 ns. Tipo de transistor: MOSFET. IDss (mín.): 20uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 380W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 18 ns. Td(encendido): 41 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Peso: 1.99g. C(pulg): 5270pF. Identificación (diablillo): 420A. Función: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 46A. DI (T=25°C): 65A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 19.7m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 4600pF. Costo): 460pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutador PDP. Identificación (diablillo): 260A. IDss (mín.): 20uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 21 ns. Td(encendido): 33 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. DI (T=100°C): 59A. DI (T=25°C): 83A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 12m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 150V. C(pulg): 4530pF. Costo): 550pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 76 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutador PDP. Identificación (diablillo): 330A. IDss (mín.): 20uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 24 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. DI (T=100°C): 33A. DI (T=25°C): 46A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 38m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 250V. C(pulg): 4560pF. Costo): 390pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Amplificador de audio clase D 300W-500W (medio puente). Identificación (diablillo): 180A. IDss (mín.): 20uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 31A, 44A, 250uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 31A. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.055 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 3430pF. Costo): 530pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 220 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 180A. IDss (mín.): 25uA. Marcado en la caja: FB42N20D. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 29 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Función: SMPS, Convertidores CC-CC de alta frecuencia. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 69A, 97A, 250uA, 0.072 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 69A. DI (T=25°C): 97A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.072 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 4820pF. Costo): 340pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Diodo Trr (Mín.): 220 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de energía de alta velocidad. Identificación (diablillo): 390A. IDss (mín.): 20uA. Marcado en la caja: IRFB4410ZPBF. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 43 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 92A. DI (T=25°C): 130A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5.6M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 7670pF. Costo): 540pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Diodo Trr (Mín.): 45 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidores DC-DC de alta frecuencia. Identificación (diablillo): 550A. IDss (mín.): 20uA. Marcado en la caja: IRFB4310. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 68 ns. Td(encendido): 26 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 53A, 75A, 250uA, 0.011 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 53A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.011 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 6160pF. Costo): 440pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 74 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidores DC-DC de alta frecuencia. Identificación (diablillo): 300A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: FB4710. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 41 ns. Td(encendido): 35 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 100V, 75A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFB4710PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 45A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 35 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 41 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 6160pF. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 36A, 51A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. DI (T=100°C): 36A. DI (T=25°C): 51A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.032 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 150V. C(pulg): 2770pF. Costo): 590pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 140 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 230A. IDss (mín.): 25uA. Marcado en la caja: FB52N15D. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 28 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Función: Convertidores CC-CC de alta frecuencia, Pantalla de plasma. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. DI (T=100°C): 25A. DI (T=25°C): 35A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.032 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 150V. C(pulg): 1750pF. Costo): 155pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: para aplicaciones de amplificador de audio clase D. Identificación (diablillo): 140A. IDss (mín.): 20uA. Marcado en la caja: IRFB5615PbF. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 144W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 17.2ns. Td(encendido): 8.9 ns. Tecnología: MOSFET de audio digital. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 180A, 250A, 150uA, 1.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 180A. DI (T=25°C): 250A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 1000A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 78 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.2V. C(pulg): 7330pF. Costo): 1095pF. Función: Aplicaciones de accionamiento de motor BLDC, circuitos alimentados por batería, convertidores CC/CC y CA/CC. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 0.0015 Ohms, TO-220AB, 40V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0015 Ohms. Vivienda: TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): 40V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 250A/195A. Potencia: 230W

Transistor de canal N, 0.002 Ohms, TO-220AB, 40V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.002 Ohms. Vivienda: TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): 40V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 172A/120A. Potencia: 143W

Transistor de canal N, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 172A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 4730pF. Costo): 680pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 770A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 143W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 115 ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.2V. Función: Aplicaciones de accionamiento de motor BLDC, circuitos alimentados por batería, convertidores CC/CC y CA/CC. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 0.0026 Ohms, TO-220AB, 40V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0026 Ohms. Vivienda: TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): 40V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 123A/120A. Potencia: 99W

Transistor de canal N, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 5.8A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.75 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1400pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 530 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Dynamic dv/dt Rating. Identificación (diablillo): 37A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 170W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS