FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30 v, 6.5A/6.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.5A/6.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7313. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 39 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 650pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 6.6A / -5.3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.6A / -5.3A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7317. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 6/-2.9A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12/22 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 57/63 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 900/780pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, SO, SO-8. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Cantidad por caja: 2. Unidad de acondicionamiento: 95. Función: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 55V/-55V, 4.7A/-3.4A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V/-55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.7A/-3.4A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7343. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12/22 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 48/64 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 740/690pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 55V/-55V, 4.7A/-3.4A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V/-55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.7A/-3.4A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7343. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12/22 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 48/64 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 740/690pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.9A/-4.2A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.9A/-4.2A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7389. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 5.8/-4.9A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.1 ns/13 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 26/34 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 650/710pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.6W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 6.3A, 10A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.55 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 400V. C(pulg): 1400pF. Costo): 330pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Diodo Trr (Mín.): 370 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de potencia de conmutación rápida. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: V-MOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2V. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 4 v. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 400V, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF740LC. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 25 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1100pF. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 400V, 10A, TO-220, 400V. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Vivienda: TO-220. Tensión drenaje-fuente (Vds): 400V. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF740PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 50 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1400pF. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 10A. Potencia: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 400V, 10A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF740SPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 50 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1400pF. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 9.2A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 25uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.011 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1600pF. Costo): 680pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 74 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 58A. IDss (mín.): 12uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 52 ns. Td(encendido): 8.6 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30 v, 13A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7413. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 7.3A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.6 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 52 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1800pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 9.2A, 13A, 150uA, SO, SO-8, 30 v, 0.008 Ohms. DI (T=100°C): 9.2A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 150uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. C(pulg): 1210pF. Costo): 270pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Impedancia de puerta ultrabaja. Identificación (diablillo): 100A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 11 ns. Td(encendido): 8.7 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.25V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 95. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 12A, 15A, 100uA, 0.006 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.006 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 3480pF. Costo): 870pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 64 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: SMPS MOSFET, High Frequency DC-DC Converters. Identificación (diablillo): 60.4k Ohms. IDss (mín.): 20uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 51 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: V-MOS. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 12V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 0.6V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30 v, 15A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 15A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7455. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0075 Ohms @ 15A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 17 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 51 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3480pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 40V, 9.4A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.4A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7468. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0015 Ohms @ 9.4A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7.6 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 20 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2460pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 6.6A, 8.3A, 150uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 6.6A. DI (T=25°C): 8.3A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.017 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Tipo de transistor: MOSFET. Función: circuito integrado para convertidores DC-DC. Identificación (diablillo): 66A. IDss (mín.): 30uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 12V. Vgs(th) mín.: 1V. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 6.6A, 8.3A, 100uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 6.6A. DI (T=25°C): 8.3A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.017 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Tipo de transistor: MOSFET. Función: circuito integrado para convertidores DC-DC. Identificación (diablillo): 66A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 11 ns. Td(encendido): 6.3 ns. Tecnología: MOSFET de potencia. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 8.7A, 11A, 150uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 8.7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.011 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 770pF. Costo): 190pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 31us. Tipo de transistor: MOSFET. Función: circuito integrado para convertidores DC-DC. Identificación (diablillo): 88A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 10 ns. Td(encendido): 6.9ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.25V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30 v, 10.8A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10.8A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7811. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 15A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.6 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 43 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1801pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30 v, 13.6A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13.6A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7821. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0091 Ohms @ 13A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 6.3 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 9.7 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1010pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +155°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30 v, 21A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 21A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7831. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0036 Ohms @ 20A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.35V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 18 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 17 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 6240pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30 v, 20A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7831. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 20A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.32V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 21 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 4310pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +155°C

Transistor de canal N, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 12m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 3850pF. Costo): 480pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Diodo Trr (Mín.): 90 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidores DC-DC de alta frecuencia. Identificación (diablillo): 320A. IDss (mín.): 20uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 260W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 61 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 12m Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 3850pF. Costo): 480pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 99 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidores DC-DC de alta frecuencia. Identificación (diablillo): 320A. IDss (mín.): 20uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 260W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 61 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección G-S: NINCS