FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8.1A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.45 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 250V. C(pulg): 770pF. Costo): 190pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 220 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 74W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 4.2 ns. Td(encendido): 9.6 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 5.1A, 8.1A, 8.1A, 0.348 Ohms, TO-220, TO-220, 250V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8.1A. Idss (máx.): 8.1A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.348 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 250V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 74W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: V-MOS. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.18 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 1300pF. Costo): 430pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 72A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 4 v. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.15 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 1160pF. Costo): 185pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 167 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 72A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 200V, 18A, 150W. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Vivienda (norma JEDEC): 150W. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF640NPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1160pF. Disipación máxima Ptot [W]: 150W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 200V, 18A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: F640NS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1160pF. Disipación máxima Ptot [W]: 150W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 0.18 Ohms, TO-220, 200V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.18 Ohms. Vivienda: TO-220. Tensión drenaje-fuente (Vds): 200V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 18A. Potencia: 125W

Transistor de canal N, 8.5A, 14A, 250uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. DI (T=100°C): 8.5A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.28 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 250V. C(pulg): 1300pF. Costo): 330pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 56A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 53 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 4.5A, 5.7A, 5.7A, 0.028 Ohms, 100V. DI (T=100°C): 4.5A. DI (T=25°C): 5.7A. Idss (máx.): 5.7A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.028 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 100V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: td(on) 9.2ns, td(off) 18ns. Identificación (diablillo): 45A. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. Tecnología: DirectFET POWER MOSFET. Cantidad por caja: 1. Nota: isométrico

Transistor de canal N, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. DI (T=100°C): 1.2A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.6 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 400V. C(pulg): 170pF. Costo): 34pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 6A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. RoHS: sí. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 8 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 20V, 3.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7101. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.8A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 24 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 320pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 3A, SO, SO-8, 50V. DI (T=25°C): 3A. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 50V. Tipo de canal: N. Función: 2xN-CH 50V. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Cantidad por caja: 2. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 50V, 3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7103. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 3A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 70 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 290pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, TO-220AB, 400V, 2A, 3.6 Ohms, 400V. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Resistencia en encendido Rds activado: 3.6 Ohms. Tensión drenaje-fuente (Vds): 400V. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF710PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.6 Ohms @ 1.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 21 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 170pF. Disipación máxima Ptot [W]: 36W. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 2A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30 v, 7.3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7201. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ 7.3A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 21 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 550pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 400V, 3.3A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF720PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 30 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 410pF. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1 Ohm. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 400V. C(pulg): 700pF. Costo): 170pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 22A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 38 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 20V, 4.1A/4.1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A/4.1A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7301. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.6A/2.6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 9 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 32 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 660pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 3.9A, 4.9A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 4.9A. Idss (máx.): 25uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: 0.05R. Identificación (diablillo): 20A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: N&N-HEXFET Power MOSFETFET. Cantidad por caja: 2

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30 v, 4.9A/4.9A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.9A/4.9A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7303. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.4A/2.4A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 6.8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 22 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 520pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 4A/-3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A/-3A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7309. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.1 Ohms @ 2.4/-1.8A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 6.8/11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 22/25 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 520/440pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.4W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 400V, 5.5A, 75W. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. Vivienda (norma JEDEC): 75W. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF730PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 3.3A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 38 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 700pF. Disipación máxima Ptot [W]: 74W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, SO, SO-8. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Función: transistor MOSFET. Número de terminales: 8:1. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Cantidad por caja: 2

Transistor de canal N, SO, SO-8. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Función: transistor MOSFET. Equivalentes: IRF7313PBF. Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Cantidad por caja: 2

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30 v, 6.5A/6.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.5A/6.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7313. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 39 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 650pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C