FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, TO-220AB, 100V, 9.7A, 100V, 0.20 Ohms. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.7A. Tensión drenaje-fuente (Vds): 100V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.20 Ohms. Marcado del fabricante: IRF520NPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 5.7A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 4.5 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 32 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 330pF. Disipación máxima Ptot [W]: 48W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 9.7A. Potencia: 48W

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 100V, 9.2A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.2A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF520PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 5.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 19 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 360pF. Disipación máxima Ptot [W]: 60W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.16 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 670pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 56A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 88W. RoHS: sí. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.09 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 920pF. Costo): 130pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 93 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 60A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. RoHS: sí. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 9.2 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 100V, 17A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF530NPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 9A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 9.2 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 35 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 920pF. Disipación máxima Ptot [W]: 70W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 100V, TO220AB. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 100V. Vivienda: TO220AB. Serie: transistor de potencia MOSFET. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 14A. Voltaje de accionamiento: 10V. Rds on (max) @ id, VGS: 0.16 Ohms. VGS (th) (max) @ id: TO-220. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Pd (disipación de potencia, máx.): 79W. Tipo de montaje: THT

Transistor de canal N, 20A, 28A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 28A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.077 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1700pF. Costo): 560pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 180 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: 1.3k Ohms. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 110A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 53 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 23A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.044 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1960pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 115 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 110A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 100V, 0.044 Ohms, TO-220AB, TO220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): 100V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.044 Ohms. Vivienda: TO-220AB. Vivienda: TO220AB. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 33A. Potencia: 130W. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. Tipo de montaje: THT

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 100V, 33A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF540N. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 39 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1960pF. Disipación máxima Ptot [W]: 130W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. DI (T=100°C): 25A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.052 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1400pF. Costo): 330pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 110A. IDss (mín.): 25uA. Equivalentes: IRF540NSPBF. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 44 ns. Td(encendido): 8.2 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 33A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: F540NS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 39 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1960pF. Disipación máxima Ptot [W]: 130W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 33A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: F540NS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 39 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1960pF. Disipación máxima Ptot [W]: 130W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 100V, TO220. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 100V. Vivienda: TO220. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Serie: sí. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 22A. Voltaje de accionamiento: 10V. Rds on (max) @ id, VGS: Montaje mediante orificio pasante en PCB. VGS (th) (max) @ id: 3. QG (Total Gate Charge, max @ vgs): IRF540PBF. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Pd (disipación de potencia, máx.): 85W. Temperatura de funcionamiento: 0.077 Ohms @ 17A. Tipo de montaje: THT. Características: 53 ns. Información: 1700pF. MSL: 150W

Transistor de canal N, 25A, 36A, 250uA, 21 milliOhms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 25A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 21 milliOhms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1770pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Resistencia de encendido ultrabaja, <0,021 ohmios. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 140A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 92W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 43 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 140pF. Costo): 53pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 10A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 14 ns. Td(encendido): 8.2 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 2.1A, 3.3A, 3.3A, 1.16 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 3.3A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.16 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: VGS @10V. Pd (disipación de potencia, máx.): 38W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 200V, 3.3A, 36W. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. Vivienda (norma JEDEC): 36W. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF610PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.2 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 11 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 140pF. Disipación máxima Ptot [W]: 36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 3.3A, 5.2A, 250uA, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.8 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 260pF. Costo): 100pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 18A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 7.2 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 200V, 5.2A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF620PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 3.1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7.2 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 19 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 260pF. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 200V, 9A, 50, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Vivienda (norma JEDEC): 50. Resistencia en encendido Rds activado: 0.35 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 200V. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF630. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 540pF. Disipación máxima Ptot [W]: 75W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: MESH OVERLAY MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 200V, 9A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF630N. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7.9 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 27 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 575pF. Disipación máxima Ptot [W]: 74W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 200V, TO220. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 200V. Vivienda: TO220. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Serie: sí. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 9A. Voltaje de accionamiento: 10V. Rds on (max) @ id, VGS: Montaje mediante orificio pasante en PCB. VGS (th) (max) @ id: 3. QG (Total Gate Charge, max @ vgs): IRF630PBF. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Temperatura de funcionamiento: 0.4 Ohms @ 5.4A. Tipo de montaje: THT. Características: 39 ns. Información: 800pF. MSL: 74W

Transistor de canal N, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8.1A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.45 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 250V. C(pulg): 770pF. Costo): 190pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 220 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 74W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 4.2 ns. Td(encendido): 9.6 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 5.1A, 8.1A, 8.1A, 0.348 Ohms, TO-220, TO-220, 250V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8.1A. Idss (máx.): 8.1A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.348 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 250V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 74W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: V-MOS