FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 85A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.11 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 3210pF. Costo): 690pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 69 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 290A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Utilizado para: -55...+175°C. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v

Transistor de canal N, 71A, 100A, 100A, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 71A. DI (T=25°C): 100A. Idss (máx.): 100A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.009 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Vgs 20V. Pd (disipación de potencia, máx.): 170W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Resistencia ultrabaja (Rds)

Transistor de canal N, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.036 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1900pF. Costo): 450pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 180 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: relación dinámica dv/dt, conmutación rápida. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 140A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 100V, 41A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 41A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF1310NPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 45 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1900pF. Disipación máxima Ptot [W]: 160W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 42A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: F1310NS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 45 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1900pF. Disipación máxima Ptot [W]: 160W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 249A, 353A, 250uA, 1.2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 24V. DI (T=100°C): 249A. DI (T=25°C): 353A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 24V. C(pulg): 5790pF. Costo): 3440pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 46 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 1412A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 83 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 115A. DI (T=25°C): 162A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.5m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 7360pF. Costo): 1680pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 71 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: AUTOMOTIVE MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 650A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 40V, 202A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 202A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF1404PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 121A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 17 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 46 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5669pF. Disipación máxima Ptot [W]: 333W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. DI (T=100°C): 130A. DI (T=25°C): 190A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.7M Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 4340pF. Costo): 1030pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 28 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: AUTOMOTIVE MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 750A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 220W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 36ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 162A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 162A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: F1404S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 95A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 17 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 72 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 7360pF. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 130A. DI (T=25°C): 190A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.7M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 4340pF. Costo): 1030pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 28 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: AUTOMOTIVE MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 750A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 220W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 36ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 118A. DI (T=25°C): 169A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0046 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 5480pF. Costo): 1210pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 88 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: AUTOMOTIVE MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 680A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. RoHS: sí. Spec info: Rds-on 0.0046 Ohms max. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 55V, 169A, soldadura de PCB, TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 169A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Marcado del fabricante: IRF1405PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0053 Ohms @ 101A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 130 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5480pF. Disipación máxima Ptot [W]: 330W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3

Transistor de canal N, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0037 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 4780pF. Costo): 770pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 600A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. RoHS: sí. Spec info: Rds-on 0.0037 Ohms max. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 48 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 92A, 130A, 250uA, 0.0078 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 92A. DI (T=25°C): 130A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0078 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 75V. C(pulg): 5600pF. Costo): 890pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 110 ns. Tensión umbral del diodo: 1.3V. Tipo de transistor: MOSFET. Función: AUTOMOTIVE MOSFET. Identificación (diablillo): 520A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 43A, 75A, 250uA, 1.8M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 43A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.8M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 6450pF. Costo): 1690pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación rápida, Aplicaciones automotrices. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 1080A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 43A, 75A, 250uA, 3.9M Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 43A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.9M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 5110pF. Costo): 1190pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación rápida, Aplicaciones automotrices. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 700A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 68 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 43A. DI (T=25°C): 82A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 13m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 75V. C(pulg): 3850pF. Costo): 610pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 280A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 49 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 75V, 82A, soldadura de PCB, TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Marcado del fabricante: IRF2807PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 49 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3820pF. Disipación máxima Ptot [W]: 230W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 75V, 82A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: F2807S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 49 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3820pF. Disipación máxima Ptot [W]: 230W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 180A, 260A, 260A, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 180A. DI (T=25°C): 260A. Idss (máx.): 260A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.019 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: AUTOMOTIVE MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 290W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal N, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=100°C): 180A. DI (T=25°C): 260A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.019 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 6320pF. Costo): 1980pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: AUTOMOTIVE MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 1020A. IDss (mín.): 20uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 290W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 48 ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 170A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.035 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 75V. C(pulg): 7500pF. Costo): 970pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 41 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: AUTOMOTIVE MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 680A. IDss (mín.): 20uA. Marcado en la caja: IRF2907Z. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 97 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 60.4k Ohms, 180A, 180A, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ), 75V. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 180A. Idss (máx.): 180A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.03 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ). Voltaje Vds(máx.): 75V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: AUTOMOTIVE MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal N, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 3247pF. Costo): 781pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 69 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Tecnología de proceso avanzada . Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 390A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V