FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 16A, 25A, 25uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 25uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.036 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 1700pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 37 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor controlado por nivel lógico. Identificación (diablillo): 80A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 39W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 26 ns. Td(encendido): 9 ns. Tecnología: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IDM--80A pulse. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P( GCE ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Función: Conmutación del inversor de resonancia de corriente . Corriente del colector: 30A. Ic (pulso): 100A. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 400 ns. Td(encendido): 30 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.1V. Número de terminales: 3. Spec info: Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT). Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 600V. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 4650pF. Tipo de canal: N. Función: Aplicaciones de conmutación de alta potencia. Corriente del colector: 30A. Ic (pulso): 60A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 170W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 0.3 ns. Td(encendido): 0.09 ns. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.45V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Número de terminales: 3. Spec info: Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT). Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V. Ic(T=100°C): 18A. Vivienda: TO-3P( N )IS. Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Función: Aplicaciones de conmutación de alta potencia. Corriente del colector: 37A. Ic (pulso): 100A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 0.51 ns. Td(encendido): 0.33 ns. Tensión de saturación VCE(sat): 1.9V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.3V. Tensión puerta/emisor VGE: 25V. Número de terminales: 3. Spec info: Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT). Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Corriente del colector: 35A. Ic (pulso): 80A. Marcado en la caja: 10N120BND. Pd (disipación de potencia, máx.): 298W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 165 ns. Td(encendido): 23 ns. Tecnología: Transistor IGBT serie NPT con diodo hiperrápido antiparalelo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.45V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.7V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 6V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.8V. Número de terminales: 3. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 23A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 23A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Función: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Fecha de producción: 2014/17. Corriente del colector: 54A. Ic (pulso): 96A. Marcado en la caja: 12N60A4D. Pd (disipación de potencia, máx.): 167W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 96 ns. Td(encendido): 17 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.7V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5.6V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.6V. Número de terminales: 3. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 12A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Función: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Corriente del colector: 24A. Ic (pulso): 96A. Marcado en la caja: G12N60C3D. Pd (disipación de potencia, máx.): 104W. RoHS: NINCS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 270 ns. Td(encendido): 14 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.65V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminales: 3. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 45 ns. Función: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 160A. Marcado en la caja: G20N60B3D. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 165W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 220 ns. Td(encendido): 25 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Spec info: Tiempo de caída típico 140 ns a 150 °C. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Función: SMPS Series IGBT. Corriente del colector: 75A. Ic (pulso): 240A. Marcado en la caja: G30N60A4. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 463W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 25 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.6V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 7V. Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V. Vivienda: TO-247. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. RoHS: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Función: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Corriente del colector: 75A. Ic (pulso): 240A. Marcado en la caja: 30N60A4D. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 463W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 25 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 7V. Spec info: 463W. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 63A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 63A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Corriente del colector: 75A. Ic (pulso): 300A. Marcado en la caja: 40N60A4. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 145 ns. Td(encendido): 25 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.7V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.7V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 7V. Spec info: 100kHz Operation At 390V 40A. Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Tipo de canal: N. Corriente del colector: 25A. Ic (pulso): 40A. Marcado en la caja: 5N120BND. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 167W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 182 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: Transistor IGBT serie NPT con diodo hiperrápido antiparalelo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.45V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3.7V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 6V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.8V. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.09 Ohms. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 250pF. Costo): 100pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 45 ns. Tipo de transistor: MOSFET. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 75307D. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: UltraFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.09 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-252AA ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 250pF. Costo): 100pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 45 ns. Tipo de transistor: MOSFET. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 75307D. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: UltraFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 75A, 250uA, 6.5m Ohms, TO-247, TO-247, 55V. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 6.5m Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 3200pF. Costo): 1170pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 105 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Regulador de conmutación. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 75344 G. Pd (disipación de potencia, máx.): 285W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 46 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: UltraFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 75A, 250uA, 0.065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.065 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 3200pF. Costo): 1170pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 105 ns. Tipo de transistor: MOSFET. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 75344 P. Pd (disipación de potencia, máx.): 285W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 46 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: UltraFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 65A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0115 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 3790pF. Costo): 810pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 145 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: UltraFET Power MOSFET. Identificación (diablillo): 430A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 75645 P. Pd (disipación de potencia, máx.): 310W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 41 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: UltraFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AB ), 100V. DI (T=100°C): 65A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0115 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-252AB ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 3790pF. Costo): 810pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 145 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: UltraFET Power MOSFET. Identificación (diablillo): 430A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 75645 S. Pd (disipación de potencia, máx.): 310W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 41 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: UltraFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 20A, 20A, 250uA, 0.017 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 30 v. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.017 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-252AA ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 850pF. Costo): 465pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 58 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: control de puerta por nivel lógico. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 76121D. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: UltraFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 30 v, 75A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: HUF76145P3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 75A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 110 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 135 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 4900pF. Disipación máxima Ptot [W]: 270W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, Otro, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Vivienda: Otro. Vivienda (según ficha técnica): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Función: 6 x IGBT For Power Management. Corriente del colector: 15A. Nota: controlador de motor de CA trifásico. Frecuencia: 20kHz. Número de terminales: 24. Pd (disipación de potencia, máx.): 29W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 750 ns. Td(encendido): 600 ns. Tecnología: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Temperatura de funcionamiento: -40...+100°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.6V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, Otro, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Vivienda: Otro. Vivienda (según ficha técnica): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Función: 6 x IGBT For Power Management. Corriente del colector: 20A. Nota: controlador de motor de CA trifásico. Frecuencia: 20kHz. Número de terminales: 24. Pd (disipación de potencia, máx.): 29W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 650 ns. Td(encendido): 970 ns. Tecnología: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Temperatura de funcionamiento: -40...+100°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.6V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 4620pF. Costo): 240pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Función: VCEsat muy bajo. Corriente del colector: 140A. Ic (pulso): 225A. Marcado en la caja: G75H603. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 428W. RoHS: sí. Tiempo de entrega: KB. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 265 ns. Td(encendido): 31 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.85V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.25V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT con tecnología Trench and Fieldstop . Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 15A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 15A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 1165pF. Costo): 40pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Corriente del colector: 30A. Ic (pulso): 45A. Marcado en la caja: H15R1203. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 254W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 300 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.48V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.75V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): PG-TO247-3. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 1340pF. Costo): 43pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 90 ns. Función: Powerful monolithic body diode with low forward voltage. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 60A. Marcado en la caja: H20MR5. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 288W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 350 ns. Td(encendido): 260 ns. Tecnología: TRENCHSTOP TM technology. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.55V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.75V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS