FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.48 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 1515pF. Costo): 185pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 90 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 44A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 48W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 120ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: QFET ® FRFET ® MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 43 nC, Crss bajo 20 pF. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 7.5A, 11.8A, 10uA, 0.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 11.8A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.12 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 1220pF. Costo): 220pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 140 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 48A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 20 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Tecnología: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=100°C): 12.1A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.14 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 830pF. Costo): 195pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 208 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 76A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 43W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 135 ns. Td(encendido): 15 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Tecnología: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 11.1A, 15.7A, 10uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. DI (T=100°C): 11.1A. DI (T=25°C): 15.7A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.042 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 480pF. Costo): 175pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 54 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 62.8A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 17 nC, Crss bajo 5,6 pF. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 1.9A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 543pF. Costo): 54pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 642 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 12A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 39W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 22.5 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 13 nC, Crss bajo 5,5 pF. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 2.3A, 4A, 100uA, 3.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=100°C): 2.3A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.5 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 740pF. Costo): 65pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 16A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 47W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 17 nC, Crss bajo 5,6 pF. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 2.9A, 5A, 10uA, 1.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 2.9A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.14 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 480pF. Costo): 80pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 263 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 20A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 38W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 18 nC, Crss bajo 15 pF. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 2.6A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 515pF. Costo): 55pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 18A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 33W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 46 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 15 nC, Crss bajo 6,5 pF. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.57 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1290pF. Costo): 120pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 26.4A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 56W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 35 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: carga de puerta baja (típica 40 nC), Low Crss 10 pF. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 37.5A, 53A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. DI (T=100°C): 37.5A. DI (T=25°C): 53A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 3170pF. Costo): 1150pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 212A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 62W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 170 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: DMOS, QFET MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 17 nC, Crss bajo 5,6 pF. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, ITO-220, 600V, 7.6A, TO-220FP, TO-220F, 600V, 1. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: ITO-220. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.6A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. Vivienda (norma JEDEC): 1. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FQPF8N60C. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 45 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 170 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1255pF. Disipación máxima Ptot [W]: 48W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 81 ns. Td(encendido): 16.5 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.29 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1580pF. Costo): 135pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 690 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Fecha de producción: 201432. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 59W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 65 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 5.4A, 9A, 100uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 5.4A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.7 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 790pF. Costo): 130pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 36A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 44W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 93 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: +55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 28 nC, Crss bajo 24 pF. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.12 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 2100pF. Costo): 175pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 68W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 50 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 40 nC, Crss bajo 14 pF. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 250uA, 9.3 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 9.3 Ohms. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 130pF. Costo): 19pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. IDss (mín.): 25uA. Marcado en la caja: FQT1N60C. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 13 ns. Td(encendido): 7 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 4. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 0.55A, 0.85A, 10uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. DI (T=100°C): 0.55A. DI (T=25°C): 0.85A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.1 Ohms. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 240pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 90 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 3.4A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 7 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Costo): 36pF. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. DI (T=100°C): 10.9A. DI (T=25°C): 17.2A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.046 Ohms. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 480pF. Costo): 175pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 54 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 68.8A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 38W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Carga de puerta baja (tipo 9,5 nC). Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.72 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FN. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1500pF. Costo): 170pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 30A. IDss (mín.): na. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 10A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 10A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.72 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 30A. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Función: Ifsm--30App. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 12A, 12A, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 12A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.32 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 250V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 36A. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Power MOSFET. Cantidad por caja: 1. Función: Conmutación de alta velocidad

Transistor de canal N, 12A, 12A, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 250V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 12A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.32 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 250V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 36A. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Power MOSFET. Cantidad por caja: 1. Función: Conmutación de alta velocidad

Transistor de canal N, 75A, Otro, Otro, 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Vivienda: Otro. Vivienda (según ficha técnica): Otro. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 5300pF. Tipo de canal: N. Corriente del colector: 100A. Ic (pulso): 150A. Marcado en la caja: FS75R12KE3G. Dimensiones: 122x62x17.5mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 355W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 42us. Td(encendido): 26us. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.65V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.15V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Función: ICRM 150A Tp=1ms. Número de terminales: 35. Nota: 6x IGBT+ CE Diode. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.54 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FN. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 1380pF. Costo): 140pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH-SPEED SW.. Identificación (diablillo): 21A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 180 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 1200A, Otro, Otro, 1200V. Ic(T=100°C): 1200A. Vivienda: Otro. Vivienda (según ficha técnica): Otro. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 74pF. Tipo de canal: N. Corriente del colector: 1790A. Ic (pulso): 2400A. Pd (disipación de potencia, máx.): 7150W. RoHS: NINCS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 0.92 ns. Td(encendido): 0.41 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.7V. Tensión umbral Vf (máx): 2.35V. Tensión directa Vf (mín.): 1.8V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5.8V. Número de terminales: 7. Función: ICRM--Tp=1mS 2400A. Spec info: VCE(sat) 1.7V (Ic=1200A, VGE=15V, 25°C). Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 60A, 1uA, 5.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. DI (T=25°C): 60A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5.3m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 1800pF. Costo): 280pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Diodo Trr (Mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 200A. IDss (mín.): n/a. Marcado en la caja: G60N04K. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 6.5 ns. Tecnología: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1.1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 2500. Función: conmutación de potencia, convertidores CC/CC. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS