FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 23.3A, 33A, 10uA, 0.067 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 150V. DI (T=100°C): 23.3A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.067 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Voltaje Vds(máx.): 150V. C(pulg): 1250pF. Costo): 260pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 132A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 227W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: Tecnología DMOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Conmutación rápida, carga de puerta baja (típica 40 nC). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 39A, 62A, 100uA, 0.029 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 250V. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 62A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.029 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Voltaje Vds(máx.): 250V. C(pulg): 4830pF. Costo): 945pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 340 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 248A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 298W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 245 ns. Td(encendido): 75 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Conmutación rápida, carga de puerta baja (típica 44 nC). Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 49.5A, 70A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. DI (T=100°C): 49.5A. DI (T=25°C): 70A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.019 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 2500pF. Costo): 720pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 280A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 214W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: Tecnología DMOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 30. Spec info: carga de puerta baja (típica 85 nC). Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.12 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 2100pF. Costo): 175pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 36A. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: FQA9N90C. Pd (disipación de potencia, máx.): 280W. RoHS: sí. Peso: 4.7g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 50 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Conmutación rápida, carga de puerta baja (típica 44 nC). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, ITO-3P, 900V, 7.2A, 0.91 Ohms, TO-3PF, 900V, 30, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: ITO-3P. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.91 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Voltaje Vds(máx.): 900V. Vivienda (norma JEDEC): 30. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FQAF11N90C. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 130 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 270 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3290pF. Disipación máxima Ptot [W]: 120W. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 60 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 9.8A, 15.6A, 10uA, 0.074 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. DI (T=100°C): 9.8A. DI (T=25°C): 15.6A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.074 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 670pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET controlado por nivel lógico. Identificación (diablillo): 62.4A. IDss (mín.): 1uA. Equivalentes: FQD19N10LTM. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 15A, 24A, 10uA, 0.031 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=100°C): 15A. DI (T=25°C): 24A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.031 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 800pF. Costo): 270pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 55 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET controlado por nivel lógico. Identificación (diablillo): 96A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 30N06L. Pd (disipación de potencia, máx.): 44W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 2. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V, 3.67A. DI (T=25°C): 23.2A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.258 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. DI (T=100°C): 3.67A. C(pulg): 220pF. Costo): 55pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 5.8A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: FQD7N10L. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 17 ns. Td(encendido): 9 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 2. Función: Cargo de puerta bajo. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220, 600V, 12A, TO-220, 600V, 1. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. Vivienda (norma JEDEC): 1. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FQP12N60C. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 70 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 280 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2290pF. Disipación máxima Ptot [W]: 225W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 9.05A, 12.8A, 10uA, 0.142 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 9.05A. DI (T=25°C): 12.8A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.142 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 345pF. Costo): 100pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 72 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 51.2A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Peso: 2.07g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 5 ns. Tecnología: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Unidad de acondicionamiento: 50. Función: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 7.9A. DI (T=25°C): 12.5A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.33 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 1800pF. Costo): 245pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 290 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 50A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 170W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 40 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Velocidad de conmutación rápida. Tecnología: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.39 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 1580pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 410 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 52A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 195W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 25 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Tecnología: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET). Spec info: carga de puerta baja (típica 43 nC). Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. DI (T=100°C): 13.5A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.078 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 600pF. Costo): 165pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 78 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 76A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 7.5 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 12.1A, 19A, 19A, 0.14 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 12.1A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 19A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.14 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 76A. Pd (disipación de potencia, máx.): 139W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Cantidad por caja: 1. Función: Conmutación rápida, td(on)15ns, td(off)135ns. Tecnología: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET)

Transistor de canal N, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. DI (T=100°C): 23A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.04 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1150pF. Costo): 320pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 132A. IDss (mín.): 1uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 80 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 127W. Función: Conmutación rápida, carga de puerta baja. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 30.8A, 43.5A, 10uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. DI (T=100°C): 30.8A. DI (T=25°C): 43.5A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.03 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1400pF. Costo): 425pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 98 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 174A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 146W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 90 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Conmutación rápida, carga de puerta baja. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 32.2A, 45.6A, 10uA, 0.033 Ohms, TO-220, TO-220, 150V. DI (T=100°C): 32.2A. DI (T=25°C): 45.6A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.033 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 150V. C(pulg): 2500pF. Costo): 520pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 182A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 210W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 210 ns. Td(encendido): 35 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220, 60V, 50A, TO-220, 60V, 1. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. Vivienda (norma JEDEC): 1. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FQP50N06. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 40 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 130 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1540pF. Disipación máxima Ptot [W]: 120W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 60 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220, 60V, 52.4A, TO-220, 60V, 1. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 52.4A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. Vivienda (norma JEDEC): 1. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FQP50N06L. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 50 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 170 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1630pF. Disipación máxima Ptot [W]: 121W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 80 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 2.6A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 515pF. Costo): 55pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 18A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 38 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: transistor de efecto de campo de potencia en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 15 nC, Crss bajo 6,5 pF. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1420pF. Costo): 150pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 26.4A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 167W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 95 ns. Td(encendido): 35 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.57 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1290pF. Costo): 120pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 650 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 26.4A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 167W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 35 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 27 nC, Crss bajo 10 pF. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 60A, 85A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 85A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 3170pF. Costo): 1150pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 300A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 175 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: DMOS, QFET® MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 2.8A, 8A, 8A, 1.12 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.12 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 900V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 32A. Pd (disipación de potencia, máx.): 205W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: DMOS, QFET. Cantidad por caja: 1. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 45 nC, Crss bajo 14 pF

Transistor de canal N, 6A, 9.5A, 9.5A, 0.36 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 9.5A. Idss (máx.): 9.5A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.36 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 38A. Pd (disipación de potencia, máx.): 38W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: DMOS, QFET. Cantidad por caja: 1. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 20 nC, Crss bajo 40,5 pF