FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 9.9A, 16.5A, 10uA, 0.31 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V. DI (T=100°C): 9.9A. DI (T=25°C): 16.5A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.31 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 1495pF. Costo): 235pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 490 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: PDP TV, Uninterruptible Power Supply. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 66A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: FDA16N50. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 205W. RoHS: sí. Spec info: Cargo de puerta bajo. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 65 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: UniFET MOSFET, DMOS technology. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 100uA, 0.15 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.15 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Voltaje Vds(máx.): 400V. C(pulg): 2280pF. Costo): 370pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: FDA24N40F. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 235W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 120ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: UniFET MOSFET, DMOS technology. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-3P, 500V, 48A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3P. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FDA50N50. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 24A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 220 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 460 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 6460pF. Disipación máxima Ptot [W]: 625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 59A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.041 Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Voltaje Vds(máx.): 250V. C(pulg): 3090pF. Costo): 630pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: PDP TV, AC/DC Converter. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 236A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 392W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 90 ns. Td(encendido): 70 ns. Tecnología: UniFET MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 44.2A, 69A, 10uA, 0.034 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. DI (T=100°C): 44.2A. DI (T=25°C): 69A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.034 Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Voltaje Vds(máx.): 250V. C(pulg): 3570pF. Costo): 750pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 210 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: PDP TV, AC/DC Converter. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 276A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 480W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 95 ns. Tecnología: UniFET MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0087 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-263AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 1970pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 28 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 100A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 28 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SUPERSOT-6, 8V, 1.5A/1.5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SUPERSOT-6. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 8V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A/1.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 6. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.7W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 30A, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.023 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FDD5690. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 9A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 24 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1110pF. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 24 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0088 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 100A. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 52W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V

Transistor de canal N, 15A, 59A, 59A, 0.016 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. DI (T=100°C): 15A. DI (T=25°C): 59A. Idss (máx.): 59A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.016 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 1400pF. Costo): 317pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 26 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 100A. Marcado en la caja: FDD6635. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 55W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 28 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 50A, 65A, 1uA, 8.2M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 65A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 8.2M Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 5070pF. Costo): 550pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidor de voltaje CC/CC. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 100A. Nota: Transistor controlado por nivel lógico. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 69 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: Power Trench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 12V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 0.8V

Transistor de canal N, 11.4A, 18A, 500uA, 61m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 150V. DI (T=100°C): 11.4A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 61m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 150V. C(pulg): 575pF. Costo): 64pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 56.4 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 36A. IDss (mín.): 1uA. Nota: High performance trench technology. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 56.8W. RoHS: sí. Spec info: Resistencia RDS(on) extremadamente baja. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 15.8 ns. Td(encendido): 10.3 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 15.2A, 57A, 1uA, 0.085 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. DI (T=100°C): 15.2A. DI (T=25°C): 57A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.085 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 1970pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 2500. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 22 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación Rápida, Inversores, Fuentes de Alimentación. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 100A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: FDD8447L. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 44W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 38 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: Power Trench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 40A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.011 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 880pF. Costo): 195pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 2500. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 23 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidor de voltaje CC/CC. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: Power Trench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.2V

Transistor de canal N, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-247, TO-247-3, 100V. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.009 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247-3. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 6000pF. Costo): 820pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 64 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidor de voltaje CC/CC e inversores UPS. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 80A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 310W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 90 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247, 500V, 45A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FDH45N50F. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 140 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 215 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 6630pF. Disipación máxima Ptot [W]: 625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 7.5A, 7.5A, SMD, Power-56-8, 30 v. DI (T=25°C): 7.5A. Idss (máx.): 7.5A. Vivienda: SMD. Vivienda (según ficha técnica): Power-56-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 2. Tipo de transistor: MOSFET. Función: 7.5A, Rds-on 0.013 Ohms (Q1). Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Spec info: 7.5A, Rds-on 0.0215 Ohms (Q2). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor MOSFET de doble canal N, 30V, MOSFET PowerTrench

Transistor de canal N, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 10.8A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.22 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 2200pF. Costo): 330pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 72A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 235W. RoHS: sí. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 95 ns. Td(encendido): 55 ns. Tecnología: N-Channel MOSFET (UniFET). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 56A, 79A, 250uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V, 150V, TO-220AB. DI (T=100°C): 56A. DI (T=25°C): 79A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.016 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 150V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 150V. Vivienda: TO-220AB. Tipo de canal: N. Función: Convertidor de voltaje CC/CC e inversores UPS. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 80A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 310W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Corriente máxima de drenaje: 79A. Potencia: 310W

Transistor de canal N, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.009 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 6000pF. Costo): 820pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 64 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidor de voltaje CC/CC e inversores UPS. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 80A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 310W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 90 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 43A, 61A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 43A. DI (T=25°C): 61A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.014 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 2880pF. Costo): 3990pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 62 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidor de voltaje CC/CC e inversores UPS. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 60.4k Ohms. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 26 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 6.9A, 11.5A, 10uA, 0.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 6.9A. DI (T=25°C): 11.5A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.46 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 945pF. Costo): 155pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 315 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 46A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. RoHS: sí. Spec info: Carga de puerta baja (típica 23 nC), Low Crss 14 pF. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 60 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: UniFET TM II MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 3A, 5A, 10uA, 1.15 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.15 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 480pF. Costo): 66pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 20A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 28W. RoHS: sí. Spec info: Carga de puerta baja (típica 11 nC), Low Crss 5 pF. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 28 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: UniFET MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 3A, 5A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 720pF. Costo): 95pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 20A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 31.5W. RoHS: sí. Spec info: Carga de puerta baja (típica 12 nC), Low Crss 9 pF. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 6 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: UniFET Ultra FRMOS MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30 v, 13A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: FDS6670A. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 13A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 19 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 64 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2220pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C