FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 60V, 0.10 Ohms, TO-220. Tensión drenaje-fuente (Vds): 60V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.10 Ohms. Vivienda: TO-220. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 7A. Potencia: 50W. Control: Nivel lógico

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 60V, 24A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BTS132. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 12A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 40 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 250 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1400pF. Disipación máxima Ptot [W]: 75W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 42V, 0.6A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. RoHS: sí. Familia de componentes: low-side MOSFET. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 38us. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 45us. Disipación máxima Ptot [W]: 0.78W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 42V, 0.6A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. RoHS: sí. Familia de componentes: low-side MOSFET. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 38us. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 45us. Disipación máxima Ptot [W]: 0.78W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), TO-263/5, 42V, 5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: TO-263/5. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 5. Marcado del fabricante: BTS410E2. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.22 Ohms @ 1.6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 125us. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 85us. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 45V, 1.4A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 45V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.4A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BTS4141N. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 0.5A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 100us. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 150us. Disipación máxima Ptot [W]: 1.4W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 38m Ohms, TO-220, TO-220-5-11, 42V, 11A. Resistencia en encendido Rds activado: 38m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220-5-11. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Número de terminales: 5. RoHS: sí. Spec info: PROFET N-MOS 43V 11A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Marcado del fabricante: BTS432E2. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 300us. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 80us. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK/5, TO-263, 42V, 11A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK/5. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BTS432E2-SMD. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 300us. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 80us. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK/5, TO-263, 41V, 9.8A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK/5. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 41V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.072 Ohm @ 2A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 200us. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 250us. Disipación máxima Ptot [W]: 75W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK/7, TO-263, 18V, 40A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK/7. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 18V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 6. Marcado del fabricante: S50010E. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohm @ 40A. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), P-DSO-12, 40V, 2.4A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: P-DSO-12. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 12:1. Marcado del fabricante: BTS5210L. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 2.4A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 250us. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 270us. Disipación máxima Ptot [W]: 3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), P-DSO-12, 40V, 3.7A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: P-DSO-12. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 12:1. Marcado del fabricante: BTS5215L. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 2A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 250us. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 270us. Disipación máxima Ptot [W]: 3.1W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK/7, TO-263, 34V, 4A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK/7. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BTS611L1. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.8A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 400us. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 400us. Disipación máxima Ptot [W]: 36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D-PAK/5, TO-252, 38V, 7A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK/5. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 38V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BTS6142D. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 7.5A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 600us. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 600us. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), P-DSO-20, 34V, 2.9A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: P-DSO-20. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.9A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BTS721L1. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 2A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 400us. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 400us. Disipación máxima Ptot [W]: 3.7W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 30 milliOhms, SO, PG-DSO20. Resistencia en encendido Rds activado: 30 milliOhms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): PG-DSO20. Función: Interruptor de alimentación inteligente de lado alto . Salida: 2db N-MOS 43V 5.5A. Número de terminales: 20. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). VCC: 5...34V

Transistor de canal N, 7.5A, 13.5A, 13.5A, 0.12 Ohms, 50V. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 13.5A. Idss (máx.): 13.5A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.12 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 50V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Nota: Nivel lógico. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tecnología: V-MOS

Transistor de canal N, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 20uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.1 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 750pF. Costo): 90pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 1200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Power MOSFET SMPS. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 16A. IDss (mín.): 2uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 10 ns. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal N, 61A, 75A, 1uA, 0.009 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V. DI (T=100°C): 61A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.009 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-404. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 2230pF. Costo): 510pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 62 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 347A. IDss (mín.): 0.05uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 166W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 84 ns. Td(encendido): 18 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 38A, 54A, 10uA, 17m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V. DI (T=100°C): 38A. DI (T=25°C): 54A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 17m Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-404. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1200pF. Costo): 290pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 45 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 217A. IDss (mín.): 0.05uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 118W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 70 ns. Td(encendido): 15 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V. DI (T=100°C): 14A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.064 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): SOT-78 ( TO220AB ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 440pF. Costo): 90pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Automoción, conmutación de potencia, motor de 12 V y 24 V.. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 81A. IDss (mín.): 0.05uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 62W. RoHS: sí. Spec info: IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 28 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: TrenchMOS logic level POWER MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 10V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V. DI (T=100°C): 37A. DI (T=25°C): 52A. Idss (máx.): 52A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.018 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): P-TO263-3-2. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1220pF. Costo): 410pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: SIPMOS, PowerMosfet. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C

Transistor de canal N, 19A, 30A, 100uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220AC, 50V. DI (T=100°C): 19A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.03 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. Voltaje Vds(máx.): 50V. C(pulg): 1500pF. Costo): 750pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 60.4k Ohms. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 180 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal N, 32A, 42A, 42A, 0.028 Ohms, 50V. DI (T=100°C): 32A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 42A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.028 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 50V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Tecnología: V-MOS

Transistor de canal N, 22A, 39A, 39A, 40m Ohms, 50V. DI (T=100°C): 22A. DI (T=25°C): 39A. Idss (máx.): 39A. Resistencia en encendido Rds activado: 40m Ohms. Voltaje Vds(máx.): 50V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Nota: 250/500ns. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Tecnología: V-MOS S/L