FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.10 Ohms. Vivienda: ISOTOP ( SOT227B ). Vivienda (según ficha técnica): ISOTOP ( SOT-227 ). Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 7400pF. Costo): 1000pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 620 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación rápida, baja fuga. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 176A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 450W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 54 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: Power MOSV. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v

Transistor de canal N, 12A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.75 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 2600pF. Costo): 270pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación rápida, baja fuga. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 48A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 260W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: Power MOSV. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-343, 5V, 0.1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-343. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Marcado del fabricante: 5Fx. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 0.37V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.27W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N. Cantidad por caja: 1. Nota: TU

Transistor de canal N, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 15mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 4pF. Costo): 1.6pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: JFET. Función: HF-VHF. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 6mA. IGF: 10mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 3.8V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 1.6V

Transistor de canal N, 25mA, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 25mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 4pF. Costo): 1.6pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: JFET. Función: HF-VHF. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 12mA. IGF: 10mA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 7.5V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 3.2V

Transistor de canal N, 80mA, TO-92, TO-92, 39V. Idss (máx.): 80mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 39V. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: FET. Función: AM/FM/VHF. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 30mA. IGF: 10mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 350mW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 14.5V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.6V

Transistor de canal N, 13mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (máx.): 13mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: FET. Función: para amplificadores RF VHF/UHF. IDss (mín.): 6mA. IGF: 10mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 350W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 0.5V

Transistor de canal N, 18mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (máx.): 18mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: FET. Función: para amplificadores RF VHF/UHF. IDss (mín.): 11mA. IGF: 10mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 350mW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 0.5V

Transistor de canal N, 25mA, 6.5mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 6.5mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1.7pF. Costo): 0.8pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: JFET. Función: HF-VHF. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 2mA. IGF: 10mA. Marcado en la caja: 20*. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 2mA. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor de efecto de campo de unión de silicio. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 2.2V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.4V

Transistor de canal N, 25mA, 15mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 15mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1.7pF. Costo): 0.8pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: JFET. Función: HF-VHF. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 6mA. IGF: 10mA. Marcado en la caja: 21*. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 6mA. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor de efecto de campo de unión de silicio. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 3.8V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 1.6V

Transistor de canal N, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 25mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1.7pF. Costo): 0.8pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: JFET. Función: HF-VHF. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 12mA. IGF: 10mA. Marcado en la caja: 22*. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 12mA. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor de efecto de campo de unión de silicio. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 7.8V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 3.2V

Transistor de canal N, 30mA, 18mA, SOT-143, SOT-143, 18V. DI (T=25°C): 30mA. Idss (máx.): 18mA. Vivienda: SOT-143. Vivienda (según ficha técnica): SOT-143. Voltaje Vds(máx.): 18V. C(pulg): 3pF. Costo): 1.2pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Aplicaciones VHF y UHF con tensión de alimentación de 12V. Protección G-S: sí. IDss (mín.): 2mA. Marcado en la caja: M90. Número de terminales: 4. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 200mW. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET

Transistor de canal N, 30mA, 4mA, SOT-143, SOT-143, 20V. DI (T=25°C): 30mA. Idss (máx.): 4mA. Vivienda: SOT-143. Vivienda (según ficha técnica): SOT-143. Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 2.3pF. Costo): 0.8pF. Cantidad por caja: 1. Función: transistor MOSFET. IDss (mín.): 2mA. Nota: serigrafía/código SMD MH. Marcado en la caja: MH. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 200mW. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD)

Transistor de canal N, 30mA, 15mA, SOT-143, SOT-143, 12V. DI (T=25°C): 30mA. Idss (máx.): 15mA. Vivienda: SOT-143. Vivienda (según ficha técnica): SOT-143. Voltaje Vds(máx.): 12V. C(pulg): 2.1pF. Costo): 1.1pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Aplicaciones VHF y UHF con tensión de alimentación de 12V. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 5mA. Marcado en la caja: MOS. Número de terminales: 4. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 200mW. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-143B, 12V, 30mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-143B. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Marcado del fabricante: BF998. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2.5pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 25V, 5mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 25V. Corriente de drenaje Idss [A] @ Ug=0V: 5mA. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor JFET de canal N. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: M2. Voltaje del punto de interrupción de la fuente de puerta Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. DI (T=25°C): 120mA. Idss (máx.): 30nA. Resistencia en encendido Rds activado: 15 Ohms. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 85pF. Costo): 20pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Tff(25°C): 8 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 2A. Marcado en la caja: BS107. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 16 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 250mA, 30nA, 6.4 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. DI (T=25°C): 250mA. Idss (máx.): 30nA. Resistencia en encendido Rds activado: 6.4 Ohms. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 60pF. Costo): 30pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 500mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.6W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, TO-92, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, 60V. Vivienda: TO-92. DI (T=25°C): 0.5A. Idss (máx.): 10nA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. C(pulg): 24pF. Costo): 40pF. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 1.2A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: BS170. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.83W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 10 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo, Pequeñas señales. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-92, 60V, 0.5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BS170G. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 0.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 10 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 60pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.35W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-92, 60V, 0.3A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.3A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BS170_D27Z. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 10 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 24pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.83W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, Otro, Otro, 600V. Vivienda: Otro. Vivienda (según ficha técnica): Otro. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 30A. Número de terminales: 24. Dimensiones: 107.5x45x17mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 700W. RoHS: sí. Spec info: 7x IGBT. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 250 ns. Td(encendido): 50 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.95V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V

Transistor de canal N, 0.1A, 0.1A, 15 Ohms, 50V. DI (T=25°C): 0.1A. Idss (máx.): 0.1A. Resistencia en encendido Rds activado: 15 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 50V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Nota: 5ns...20ns. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Tecnología: D-MOS Log.L

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.173A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.173A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BSN20. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 15 Ohms @ 0.1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 25pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.83W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C