FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 8A, 100uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F ( SC-67 ), 900V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1 Ohm. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F ( SC-67 ). Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 2200pF. Costo): 190pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 1700 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 24A. Marcado en la caja: K3799. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 120ns. Td(encendido): 65 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSIV). Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 0.7A, 100uA, 14 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 600V. DI (T=25°C): 0.7A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 14 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 96pF. Costo): 29pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 2.8A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: K3850. Número de terminales: 2. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 15W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 16 ns. Td(encendido): 9 ns. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. DI (T=100°C): 5.3A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1 Ohm. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 2200pF. Costo): 45pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 1.4us. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Aplicaciones del regulador de conmutación. Identificación (diablillo): 27A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: K3878. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 120ns. Td(encendido): 65 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 20A, 500uA, 0.22 Ohms, TO-3PN, 2-16C1B, 600V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.22 Ohms. Vivienda: TO-3PN. Vivienda (según ficha técnica): 2-16C1B. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 4250pF. Costo): 420pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 1350 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Regulador de conmutación. Identificación (diablillo): 80A. Marcado en la caja: K3911. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 80 ns. Td(encendido): 45 ns. Tecnología: Tipo MOS de efecto de campo (MACH-II-MOS VI). Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.20 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 4250pF. Costo): 420pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 380 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Regulador de conmutación. Identificación (diablillo): 92A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 80 ns. Td(encendido): 45 ns. Tecnología: Tipo MOS de efecto de campo (MACH-II-MOS VI). Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 4 v. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.33 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 2400pF. Costo): 220pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Aplicaciones del regulador de conmutación. Identificación (diablillo): 52A. Marcado en la caja: K4012. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 95 ns. Td(encendido): 70 ns. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Tecnología: Transistor de efecto de campo, tipo MOS (TT-MOS VI). Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 6A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10U1B ), 800V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.35 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F ( 2-10U1B ). Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1400pF. Costo): 130pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 1100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Aplicaciones del regulador de conmutación. Identificación (diablillo): 18A. Marcado en la caja: K4013 Q. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 220 ns. Td(encendido): 80 ns. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Tecnología: Transistor de efecto de campo, tipo MOS (TT-MOS IV). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 5A, 5A, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 5A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.09 Ohms. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Chopper Regulator, DC-DC Converter, Motor driver. Identificación (diablillo): 20A. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de efecto de campo, tipo MOS (U-MOS III)

Transistor de canal N, 28A, 60A, 1uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. DI (T=100°C): 28A. DI (T=25°C): 60A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5.2m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 2900pF. Costo): 450pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Aplicaciones de conmutación de alta corriente. Identificación (diablillo): 180A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: K4075. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 52W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 54 ns. Td(encendido): 18 ns. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Tecnología: MOSFET DE POTENCIA, Transistor de efecto de campo. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V. DI (T=100°C): n/a. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.21 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): 2-16C1B. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 3400pF. Costo): 320pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 1300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Aplicaciones del regulador de conmutación. Identificación (diablillo): 80A. IDss (mín.): n/a. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 280 ns. Td(encendido): 130 ns. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Tecnología: Transistor de efecto de campo, tipo MOS (MOS VI). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 5A, 5A, 800V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 5A. Voltaje Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: V-MOS. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W

Transistor de canal N, 3A, 5A, 5A, 2.5 Ohms, 850V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 5A. Resistencia en encendido Rds activado: 2.5 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 850V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W

Transistor de canal N, 5A, 5A, 800V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 5A. Voltaje Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Tecnología: V-MOS

Transistor de canal N, 1.5A, 3A, 3A, 4 Ohms, 800V. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 3A. Resistencia en encendido Rds activado: 4 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tecnología: V-MOS. Nota: (F)

Transistor de canal N, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 900pF. Costo): 90pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 12A. IDss (mín.): 10uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 60 ns. Tecnología: V-MOS S-L. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Spec info: Samsung B4054-0018. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 0.6A, 0.6A, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92MOD, 100V. DI (T=25°C): 0.6A. Idss (máx.): 0.6A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92MOD. Voltaje Vds(máx.): 100V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 1.8A. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Función: Accionamiento por relé, accionamiento por motor

Transistor de canal N, 12A, 25A, 25A, 0.046 Ohms, 60V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 25A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.046 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tecnología: V-MOS

Transistor de canal N, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Resistencia en encendido Rds activado: 1 Ohm. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 26A. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: F-II Series POWER MOSFET

Transistor de canal N, 0.15A, 10uA, 3.7 Ohms, SMD, SSFP, 30 v. DI (T=25°C): 0.15A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.7 Ohms. Vivienda: SMD. Vivienda (según ficha técnica): SSFP. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 7pF. Costo): 5.9pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultrahigh-Speed Switching. Identificación (diablillo): 0.6A. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.15W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: transistor MOSFET de silicio. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 1.3V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.4V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-343, 12.5V, 30mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-343. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 12.5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.1W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +125°C

Transistor de canal N, 0.035 Ohms, TO-247AC, 1200V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.035 Ohms. Vivienda: TO-247AC. Tensión drenaje-fuente (Vds): 1200V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 52A. Potencia: 228W. Diodo incorporado: sí

Transistor de canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 500pF. Costo): 300pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: AUDIO POWER MOSFET. IDss (mín.): 10mA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 100 ns. Tensión puerta/fuente Vgs: 14V. Spec info: transistor complementario (par) ALF08P20V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=100°C): 4.7A. DI (T=25°C): 5.7A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 5.7A. Resistencia en encendido Rds activado: 22m Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 630pF. Costo): 75pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 16.8 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Aplicaciones de conmutación o PWM. Identificación (diablillo): 25A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 1uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 21.5 ns. Td(encendido): 3.2 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora . Tensión puerta/fuente Vgs: 12V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 4.9A, 5.8A, 5uA, 23.4m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=100°C): 4.9A. DI (T=25°C): 5.8A. Idss (máx.): 5uA. Resistencia en encendido Rds activado: 23.4m Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 621pF. Costo): 118pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 15.5 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 30A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.4W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 15.1 ns. Td(encendido): 4.5 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v, 0.052 Ohms. DI (T=100°C): 3.5A. DI (T=25°C): 4.1A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 4.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. Resistencia en encendido Rds activado: 0.052 Ohms. C(pulg): 520pF. Costo): 100pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 11 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Aplicaciones de conmutación o PWM. Identificación (diablillo): 25A. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.4W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 7.5 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora . Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS