FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 2A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 250V. C(pulg): 220pF. Costo): 60pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 4A. Marcado en la caja: K2538. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 90 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Power F-MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 4A, 8A, 8A, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.85 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 500V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Regulador de conmutación. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo MOS (TT.MOSV). Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 3A, 6A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.9 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1300pF. Costo): 130pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 24A. Marcado en la caja: K2545. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 45 ns. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 5A, 100uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.9 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1800pF. Costo): 105pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: High Speed, H.V. Identificación (diablillo): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 80 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSIII). Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 9A, 9A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: High Speed, H.V. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Field Effect (TT-MOSIII). Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 9A, 100uA, 1.1 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.1 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): 2-16C1B. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 2040pF. Costo): 190pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 1.6us. Tipo de transistor: MOSFET. Función: High Speed, H.V. Identificación (diablillo): 27A. Marcado en la caja: K2611. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 95 ns. Td(encendido): 60 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSIII). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 1.5A, 2A, 100uA, 0.33 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( 2-5K1B ), 60V. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.33 Ohms. Vivienda: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-89 ( 2-5K1B ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 150pF. Costo): 70pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor de efecto de campo. Protección G-S: Supresor. Identificación (diablillo): 6A. Marcado en la caja: ZA. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: Tipo MOS (L2.TT.MOSV). Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 4A, 1mA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 2 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FI. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 700pF. Costo): 220pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultrahigh-Speed Switching. Identificación (diablillo): 16A. Marcado en la caja: K2625. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 20 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 3.5V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 1.3A, 2.5A, 1mV, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FI-LS, 800V. DI (T=100°C): 1.3A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 1mV. Resistencia en encendido Rds activado: 3.6 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FI-LS. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 550pF. Costo): 150pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultrahigh-Speed Switching Applications. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: V-MOS (F). Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 5.5V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 3.5V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.73 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F15. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 950pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: K2640. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 70 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100nA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F15. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 900pF. Costo): 150pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 10nA. Marcado en la caja: K2645. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 60 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.19 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F15. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 450pF. Costo): 75pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 16A. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: K2647. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: FAP-IIS Series MOS-FET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 3A, 6A, 500uA, 1.78 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.78 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F15. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 900pF. Costo): 130pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 24A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 70 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: FAP-IIS Series. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 5A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.35 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 780pF. Costo): 200pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 1400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 20A. Marcado en la caja: K2662. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 60 ns. Td(encendido): 25 ns. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Función: High Speed Switching, Zener-Protected. Cantidad por caja: 1. Tecnología: Transistor de efecto de campo (TT-MOS V). Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 5A, 250uA, 2.1 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.1 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F15. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 1140pF. Costo): 105pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): na. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 10A. IDss (mín.): na. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 210 ns. Td(encendido): 55 ns. Tecnología: HVX-2 Series POWER MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.50 Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO3P ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 2600pF. Costo): 270pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Identificación (diablillo): 48A. Marcado en la caja: K2699. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 65 ns. Td(encendido): 45 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 3A, 100uA, 3.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.7 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 750pF. Costo): 70pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 1100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 9A. Marcado en la caja: K2700. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 55 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Alta velocidad, conmutación de alto voltaje, convertidores CC/CC. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 2A, 100uA, 2A, 3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 500V. DI (T=25°C): 2A. Idss: 100uA. Idss (máx.): 2A. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 280pF. Costo): 58pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 410 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Velocidad de conmutación rápida. Identificación (diablillo): 6A. Marcado en la caja: K2715. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 5A, 100uA, 2.3 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.3 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 1200pF. Costo): 20pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 1300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 15A. Marcado en la caja: K2717. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 200 ns. Td(encendido): 90 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Alta velocidad, conmutación de alto voltaje, convertidores CC/CC. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 13A, 25A, 10uA, 28m Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 28m Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 830pF. Costo): 430pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta corriente. Identificación (diablillo): 100A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 21 ns. Tecnología: Transistor de potencia de efecto de campo. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 3.5A, 100uA, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.7 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 800pF. Costo): 65pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Diodo Trr (Mín.): 1400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Identificación (diablillo): 14A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: K2750. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 85 ns. Td(encendido): 50 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSV). Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 5.5A, 10A, 500uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 5.5A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1 Ohm. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1100pF. Costo): 170pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 36A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 75 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: V-MOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 12A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-3P, 700V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.9 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 700V. C(pulg): 1850pF. Costo): 400pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 2.5us. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de energía de alta velocidad. Identificación (diablillo): 48A. IDss (mín.): na. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Transistor MOSFET de canal N. Potencia: 175W. Tf(mín.): TO-3P ( TO3P ). Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 2V. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 12A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 2040pF. Costo): 640pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 1200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Identificación (diablillo): 48A. IDss (mín.): na. Marcado en la caja: K2842. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 180 ns. Td(encendido): 58 ns. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Tecnología: Transistor de efecto de campo, tipo MOS (TT.MOSV). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10R1B ), 600V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.54 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F ( 2-10R1B ). Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 2040pF. Costo): 230pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 1300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): na. Marcado en la caja: K2843. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 190 ns. Td(encendido): 58 ns. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Tecnología: Transistor de efecto de campo, tipo MOS (TT.MOSV). Protección G-S: sí