FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 3.2A, 5.5A, 5.5A, 1.2 Ohms, 400V. DI (T=100°C): 3.2A. DI (T=25°C): 5.5A. Idss (máx.): 5.5A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 400V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidor de voltaje CC-CC. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tecnología: V-MOS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220, 250V, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: K1393. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 150 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 200 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 675pF. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 2.5A, 5A, 5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 5A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Transistor de canal N, 2A, 3.6A, 3.6A, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 3.6A. Idss (máx.): 3.6A. Resistencia en encendido Rds activado: 3.6 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 900V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: V-MOS

Transistor de canal N, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.8 Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3BP. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 700pF. Costo): 300pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 10A. Marcado en la caja: K1461. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 200 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: V-MOS, S-L. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 3V. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v

Transistor de canal N, soldadura de PCB, 21F1B, 1 kV, 12A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: 21F1B. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2SK1489. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 140 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 500 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 9A, 500uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.85 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1200pF. Costo): 150pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 27A. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: K1507. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 160 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: F-II Series POWER MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V

Transistor de canal N, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 1mA. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): 2-16C1B. Voltaje Vds(máx.): 180V. C(pulg): 700pF. Costo): 150pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Aplicación de amplificador de alta potencia. Protección G-S: NINCS. Marcado en la caja: K1529. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SJ200. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo MOS de canal N de silicio con efecto de campo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 2.8V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.8V

Transistor de canal N, 4A, 8A, 8A, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. Resistencia en encendido Rds activado: 1 Ohm. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Power MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: FAP-IIA Series

Transistor de canal N, 3A, 5A, 300uA, 1.9 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 300uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.9 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 690pF. Costo): 120pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 1450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 15A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 210 ns. Td(encendido): 70 ns. Tecnología: V-MOS. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V

Transistor de canal N, 1A, 2A, 1mA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V. DI (T=100°C): 1A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.2 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FI. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 400pF. Costo): 55pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultrahigh-Speed Switching. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 8A. Marcado en la caja: K2043. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 65 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: transistor MOSFET de silicio. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 4 v. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 2V

Transistor de canal N, 20mA, 12mA, TO-92, TO-92, 20V. DI (T=25°C): 20mA. Idss (máx.): 12mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 4pF. Costo): 4pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: FET. Función: Aplicaciones del sintonizador FM. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 0.6mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200mW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 2.5V

Transistor de canal N, 7A, 8A, 8A, 0.4 Ohms, 200V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Tecnología: V-MOS

Transistor de canal N, 3A, 6A, 6A, 0.8 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 6A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.8 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación de circuitos. Identificación (diablillo): 24A. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: transistor MOSFET

Transistor de canal N, 4.5A, 9A, 9A, 0.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=100°C): 4.5A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.35 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: V-MOS-L

Transistor de canal N, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 2A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 250V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Identificación (diablillo): 8A. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: FAP-IIA Series

Transistor de canal N, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 2A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 250V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Identificación (diablillo): 8A. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: FAP-IIA Series

Transistor de canal N, 27A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=25°C): 27A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.09 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1100pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 155 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Electrónica del coche. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 108A. Marcado en la caja: K2314. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Spec info: ESD Protected--2000V min. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 140us. Td(encendido): 30us. Tecnología: Transistor de efecto de campo de potencia. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 0.8V

Transistor de canal N, 3A, 6A, 6A, 2 Ohms, 700V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 6A. Resistencia en encendido Rds activado: 2 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 700V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Nota: 70/160ns. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tecnología: V-MOS (F)

Transistor de canal N, 25A, 100uA, 0.23 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.23 Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 3600pF. Costo): 700pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 100A. Marcado en la caja: K2372. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 160 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: transistor MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2.5V

Transistor de canal N, 7.5A, 7.5A, 0.42 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. DI (T=25°C): 7.5A. Idss (máx.): 7.5A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.42 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 250V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 30A. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de efecto de campo

Transistor de canal N, 3mA, 14mA, TO-92, TO-92. DI (T=25°C): 3mA. Idss (máx.): 14mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Función: transistor complementario (par) 2SJ103. IDss (mín.): 6mA. Marcado en la caja: K246BL. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión puerta/fuente Vgs: -30V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 6V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.7V

Transistor de canal N, 3A, 100uA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.2 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 900pF. Costo): 130pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 650 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Aplicaciones de conmutación de alto voltaje. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 12A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 63 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: transistor MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V

Transistor de canal N, 25A, 100uA, 0.046 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 50V. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.046 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 50V. C(pulg): 900pF. Costo): 130pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Yfs--8-16S. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 75A. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: K2507. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Tipo MOS de efecto de campo (L2-TT-MOSV). Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 0.8V

Transistor de canal N, 2A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 250V. C(pulg): 220pF. Costo): 60pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 4A. Marcado en la caja: K2538. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 90 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Power F-MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 1V