FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.87 Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 950pF. Costo): 140pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 900ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 24A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: TT-MOSV. Temperatura de funcionamiento: -...+150°. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 15A, 25A, 10uA, 0.045 Ohms, TO-220FP, TO–220FM, 60V. DI (T=100°C): 15A. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.045 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO–220FM. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 740pF. Costo): 380pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de energía de alta velocidad. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 10 ns. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 10A, 10A, 1.05 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.05 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): 2-16C1B. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 2150pF. Costo): 220pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 30A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: FIELD EFFECT MOS Type--(TT-MOS-III). Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Convertidor CC-CC, relé y accionamiento de motor. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 12.5A, 25A, 10uA, 0.028 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. DI (T=100°C): 12.5A. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.028 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 790pF. Costo): 240pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 75A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 65 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: transistor MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V. DI (T=100°C): 1.6A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.32 Ohms. Vivienda: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-89 ( MTP3 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 160pF. Costo): 85pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 8A. Marcado en la caja: KE. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 120ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: MOS FET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Nota: serigrafía/código SMD KE. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.6 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 550pF. Costo): 115pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 1.3us. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 16A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: transistor MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 2.5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: MOSFET de conmutación de ENERGÍA, uso industrial. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V. DI (T=100°C): n/a. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 38m Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): 2-16C1B. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 5400pF. Costo): 1900pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 60.4k Ohms. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 190 ns. Td(encendido): 55 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo MOS-V. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Regulador de modo de conmutación, convertidor CC-CC, controlador de motor. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 5A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO220F-3L, 500V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO220F-3L. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 650pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 2us. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 20A. IDss (mín.): 0.1uA. Equivalentes: FS5KM-10-AW. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 60 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: V-MOS (F). Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 7A, 7A, 1.62 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 800V. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 7A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.62 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F15. Voltaje Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 28A. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: SILICON POWER MOS-FET. Cantidad por caja: 1. Función: High Speed Switching, Low on-res, Low driving power

Transistor de canal N, 10A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.58 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1200pF. Costo): 140pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 0.75us. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): 25uA. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Nota: Panasonic--B1CERR000022. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 21A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). DI (T=25°C): 21A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.29 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Voltaje Vds(máx.): 600V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). C(pulg): 2280pF. Costo): 290pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 0.7us. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 84A. IDss (mín.): 25uA. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 78 ns. Td(encendido): 26 ns. Tecnología: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 7A, 7A, 250uA, 1.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.46 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 740pF. Costo): 105pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 2.3 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 28A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 21 ns. Tecnología: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.75 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 1050pF. Costo): 110pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 1200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 32A. Marcado en la caja: K3561. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 38 ns. Td(encendido): 26 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSVI). Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 6A. Idss: 100uA. Idss (máx.): 6A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.9 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1050pF. Costo): 110pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 24A. Marcado en la caja: K3562. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSVI). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 5A. Idss: 100uA. Idss (máx.): 5A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.35 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 550pF. Costo): 70pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 1400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 20A. Marcado en la caja: K3563. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSVI). Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 3A, 3A, 100uA, 3.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.7 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 700pF. Costo): 75pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 850 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 9A. Marcado en la caja: K3564. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 125 ns. Td(encendido): 60 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSIV). Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 5A, 5A, 100uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 1150pF. Costo): 100pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 900ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 15A. Marcado en la caja: K3565. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 170 ns. Td(encendido): 70 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSIV). Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5.6 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 470pF. Costo): 50pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 720 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 7.5A. Marcado en la caja: K3566. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 60 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSIV). Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 3.5A. DI (T=25°C): 3.5A. Idss: 100mA. Idss (máx.): 3.5A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.7 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 14A. Marcado en la caja: K3567. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Field Effect (TT-MOSVI). Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 12A, 12A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 1500pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 1200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 48A. Marcado en la caja: K3568. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 170 ns. Td(encendido): 50 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSVI). Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.54 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): SC-67, 2-10U1B. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1500pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 1300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 40A. Marcado en la caja: K3569. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Peso: 1.7g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 180 ns. Td(encendido): 50 ns. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Tecnología: Transistor de efecto de campo, tipo MOS (TT-MOSVI). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 100uA, 3.7 Ohms, TO-92, TO-92. Idss: 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.7 Ohms. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. C(pulg): 700pF. Costo): 75pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 850 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 125 ns. Td(encendido): 60 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSIV). Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 7.5A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.75 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 1200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 30A. Marcado en la caja: K3667. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 50 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSVI). Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 9A, 250uA, 1.22 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.22 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 1100pF. Costo): 140pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 3.2us. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 36A. IDss (mín.): 25uA. Marcado en la caja: K3679. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 95W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 3.7A, 3.7A, 250uA, 3.31 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=100°C): 3.7A. DI (T=25°C): 3.7A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.31 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 430pF. Costo): 60pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 1us. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 14.8A. IDss (mín.): 25uA. Marcado en la caja: K3699. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 43W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 32 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: Super FAP-G Series. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Protección G-S: NINCS