FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. DI (T=100°C): 5.2A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 5uA. Resistencia en encendido Rds activado: 18M Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 1160pF. Costo): 187pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 17.7 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 30A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.4W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 51.7 ns. Td(encendido): 6.2 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Protegido contra ESD. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 15A, 18A, 5uA, 0.0047 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 15A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 5uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0047 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 6060pF. Costo): 638pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 33.5 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 80A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 51.5 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: Efecto de campo del modo de mejora (SRFET) . Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Cantidad por caja: 1. Función: Low side switch in Notebook CPU core power converter. Spec info: Resistencia de puerta ultrabaja. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 12.7A. Idss (máx.): 20mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0098 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1980pF. Costo): 317pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 11.2 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 60A. IDss (mín.): 0.02mA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 27 ns. Td(encendido): 5.5 ns. Tecnología: Efecto de campo del modo de mejora (SRFET) . Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 12V. Vgs(th) máx.: 2.3V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Cantidad por caja: 1. Función: FET en SMPS, conmutación de carga. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 20A. Idss: 0.1mA. Idss (máx.): 20mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0039 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 3760pF. Costo): 682pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 18 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 100A. IDss (mín.): 0.1mA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 34 ns. Td(encendido): 9.5 ns. Tecnología: Efecto de campo del modo de mejora (SRFET) . Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 9.6A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 20mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0058 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 2154pF. Costo): 474pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 12 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 180A. IDss (mín.): 0.1mA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 25.2 ns. Td(encendido): 6.8 ns. Tecnología: Efecto de campo del modo de mejora (SRFET) . Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1.3V. Cantidad por caja: 1. Función: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 3.6A, 4.5A, 5uA, 46m Ohms, SO, SO-8, 60V. DI (T=100°C): 3.6A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 5uA. Resistencia en encendido Rds activado: 46m Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 27.5us. Función: Transistor MOSFET, Rds (ON) muy bajo. Identificación (diablillo): 20A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 4.7V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Cantidad por caja: 2

Transistor de canal N, 18A, 18A, 5uA, 13.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=100°C): 18A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 5uA. Resistencia en encendido Rds activado: 13.6m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1040pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 19 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: D408. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 17.4 ns. Td(encendido): 4.5 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 2500. Spec info: transistor complementario (par) AOD405. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 12A, 12A, 5uA, 47m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 5uA. Resistencia en encendido Rds activado: 47m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 450pF. Costo): 61pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 27.6 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 30A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 16 ns. Td(encendido): 4.2 ns. Tecnología: Última tecnología MOSFET de Trench Power . Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 2500. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=100°C): 42A. DI (T=25°C): 54A. Idss (máx.): 5uA. Resistencia en encendido Rds activado: 6m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 951pF. Costo): 373pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Diodo Trr (Mín.): 10.2 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidor de voltaje CC/CC. Identificación (diablillo): 96A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 18.5 ns. Td(encendido): 6.25 ns. Tecnología: Última tecnología MOSFET de Trench Power . Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.8V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 2500. Spec info: RDS muy bajo (encendido) a 10VGS. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 2.5A, 3.9A, 10uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 400V. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 3.9A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Voltaje Vds(máx.): 400V. Costo): 16pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 172ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 15A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 52W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 18 ns. Td(encendido): 17 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. C(pulg): 273pF. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 500V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.71 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 962pF. Costo): 98pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 332ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 27A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 178W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 24 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.3V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 51A, 80A, 5uA, 5.3m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 60V. DI (T=100°C): 51A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 5uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5.3m Ohms. Vivienda: PowerPAK SO-8. Vivienda (según ficha técnica): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 2850pF. Costo): 258pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 19 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 170A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 83W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 29 ns. Td(encendido): 8 ns. Tecnología: Efecto de campo del modo de mejora (SRFET) . Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Cantidad por caja: 1. Función: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 115A, 150A, 5uA, 1.9m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 30 v. DI (T=100°C): 115A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 5uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.9m Ohms. Vivienda: PowerPAK SO-8. Vivienda (según ficha técnica): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 3430pF. Costo): 1327pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 22 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 340A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 83W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 33.8 ns. Td(encendido): 7.5 ns. Tecnología: Última tecnología Trench Power AlphaMOS . Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Función: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 36A, 46A, 5uA, 7.7m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. DI (T=100°C): 36A. DI (T=25°C): 46A. Idss (máx.): 5uA. Resistencia en encendido Rds activado: 7.7m Ohms. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 1100pF. Costo): 300pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 19 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier. Identificación (diablillo): 110A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: AOY2610E. Pd (disipación de potencia, máx.): 59.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 22 ns. Td(encendido): 6.5 ns. Tecnología: Trench Power AlphaSGTTM technology. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.4V. Vgs(th) mín.: 1.4V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 30 v. DI (T=100°C): 24A. DI (T=25°C): 28A. Idss (máx.): 25uA. Resistencia en encendido Rds activado: 25m Ohms. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 655pF. Costo): 145pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 95A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 40T03 GP. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 31.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 16 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. DI (T=100°C): 24A. DI (T=25°C): 28A. Idss (máx.): 25uA. Resistencia en encendido Rds activado: 25m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 655pF. Costo): 145pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 95A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 40T03 GP. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 31.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 16 mS. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 1V. Temperatura de funcionamiento: -55°C...+150°C. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=100°C): 24A. DI (T=25°C): 28A. Idss (máx.): 25uA. Resistencia en encendido Rds activado: 25m Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 655pF. Costo): 145pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 95A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 40T03GS. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 31W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 16 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 1V. Temperatura de funcionamiento: -55°C...+150°C. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 8.4A, 10.4A, 10uA, 10.4A, 0.014 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 8.4A. DI (T=25°C): 10.4A. Idss: 10uA. Idss (máx.): 10.4A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.014 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 450pF. Costo): 120pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 40A. Marcado en la caja: 4800C G M. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 17 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: MOSFET de potencia en modo de mejora . Función: Conmutación rápida, convertidor CC/CC.. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. DI (T=100°C): 48A. DI (T=25°C): 48A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 48m Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 300V. C(pulg): 8440pF. Costo): 1775pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 160A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 88N30W. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 312W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 220 ns. Td(encendido): 50 ns. Tecnología: MOSFET de potencia en modo de mejora . Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Temperatura de funcionamiento: -55°C...+150°C. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 20A, 32A, 250uA, 0.02 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 32A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.02 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 1170pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación Rápida, Inversores, Fuentes de Alimentación. Identificación (diablillo): 150A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 9962GH. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 27.8W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 8 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, DIP, DIP-8. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8. Tipo de canal: N. Función: MOS-N-FET. Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Cantidad por caja: 2. Spec info: 0.050R (50m Ohms)

Transistor de canal N, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.036 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 1700pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 37 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación Rápida, Inversores, Fuentes de Alimentación. Identificación (diablillo): 90A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 9971GH. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 39W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 26 ns. Td(encendido): 9 ns. Tecnología: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 14A, 23A, 25uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220CFM, 60V. DI (T=100°C): 14A. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 25uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.036 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220CFM. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 1700pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 37 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NO. Identificación (diablillo): 80A. IDss (mín.): 10uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 31.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 26 ns. Td(encendido): 9 ns. Tecnología: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 4A, 7A, 0.050R (50m Ohms), SO, SO-8, 60V. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 7A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.050R (50m Ohms). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 2. Identificación (diablillo): 28A. Marcado en la caja: 9971GM. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 4W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Función: tf 5.5ns, td(on) 9.6ns, td(off) 30ns

Transistor de canal N, 4A, 4A, SOT-89, SOT-89, 20V. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 4A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Voltaje Vds(máx.): 20V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: td(on) 12ns. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: MOSFET en modo de mejora