FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 60V, SOT23. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 60V. Vivienda: SOT23. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 265mA. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: 20V. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.31W. Tipo de montaje: SMD. MSL: 1

Transistor de canal N, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. DI (T=100°C): 4.4A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100nA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.8 Ohms. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 250pF. Costo): 88pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 69 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 24A. IDss (mín.): 10nA. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 8.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 21 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.8V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 600V, 0.12A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.12A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BSP125. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 45 Ohms @ 0.12A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 21 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 130pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.7W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 600V, 0.1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BSP135. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 60 Ohms @ 0.01A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.1V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.1 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 42 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 146pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.8W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 60V, 1.8A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.8A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BSP295. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 1.8A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.8V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.1 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 41 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 368pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.8W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 200V, 0.6A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BSP297. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 0.65A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.8V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 160 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 300pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 240V, 0.35A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.35A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BSP89. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.35A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.8V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 6 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 24 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 140pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.8W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 100V, SOT23. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 100V. Vivienda: SOT23. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 150mA. Rds on (max) @ id, VGS: 6 Ohms / 120mA / 10V. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: ±20V. Temperatura de funcionamiento: 150°C. Tipo de montaje: SMD. MSL: 1

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 100V, 0.19A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.19A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: SA . Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ 0.15A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.8V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 3.5 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 11 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 20.9pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 100V, 0.17A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: SA. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.17A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 20 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 40pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. DI (T=25°C): 170mA. Idss (máx.): 46.4k Ohms. Resistencia en encendido Rds activado: 6 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 20pF. Costo): 9pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 11 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: serigrafía/código SMD SA. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 680mA. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: SA. Equivalentes: BSS123-7-F. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 225mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: Modo de mejora del nivel lógico del transistor de efecto de campo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 2.6V. Vgs(th) mín.: 1.6V

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 100V, 0.17A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: SA. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.6V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 40 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 20pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 600V, 0.021A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.021A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: SHS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 500 Ohms @ 0.016A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2.7V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 9.2 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 21 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 28pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 240V, 0.1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: SRs. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.8V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 5 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 20 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 77pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. DI (T=25°C): 0.22A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.7 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 50V. C(pulg): 27pF. Costo): 13pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 0.88A. IDss (mín.): 0.5uA. Nota: serigrafía/código SMD SS. Marcado en la caja: SS. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.36W. RoHS: sí. Spec info: Modo de mejora del nivel lógico. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 2.5 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 1.8V. Vgs(th) mín.: 0.8V

Transistor de canal N, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. DI (T=25°C): 0.2A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.4 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 50V. C(pulg): 50pF. Costo): 25pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 1A. IDss (mín.): 0.5uA. Nota: serigrafía/código SMD SS. Marcado en la caja: SS. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. RoHS: sí. Spec info: Modo de mejora del nivel lógico. Peso: 0.008g. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.5V

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 50V, 200mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 200mA. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: SS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 5 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 36ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 27pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.2A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.2A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: J1. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 20 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 50pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 250V, 0.03A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.03A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: STs. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 30 Ohms @ 15mA. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.7 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 43 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 76pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 55V, 0.54A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.54A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.43 Ohm @ 0.27A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.6V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 31 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 75pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V. DI (T=25°C): 0.19A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5 Ohms. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): SOT54. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 25pF. Costo): 8.5pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Very fast switching, Logic level compatible. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 0.8A. IDss (mín.): 0.01uA. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.83W. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 3 ns. Tecnología: Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 0.12A, 0.19A, 10uA, 5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. DI (T=100°C): 0.12A. DI (T=25°C): 0.19A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 25pF. Costo): 8.5pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Cambio muy rápido. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 0.8A. IDss (mín.): 0.01uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.83W. RoHS: sí. Spec info: compatible con nivel lógico. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 3 ns. Tecnología: transistor de efecto de campo en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 60V, 0.10 Ohms, TO-220. Tensión drenaje-fuente (Vds): 60V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.10 Ohms. Vivienda: TO-220. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 7A. Potencia: 50W. Control: Nivel lógico

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 60V, 24A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BTS132. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 12A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 40 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 250 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1400pF. Disipación máxima Ptot [W]: 75W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 42V, 0.6A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. RoHS: sí. Familia de componentes: low-side MOSFET. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 38us. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 45us. Disipación máxima Ptot [W]: 0.78W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C