FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, Otro, Otro, 600V. Vivienda: Otro. Vivienda (según ficha técnica): Otro. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Corriente del colector: 30A. Dimensiones: 107.5x45x17mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 700W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 250 ns. Td(encendido): 50 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.95V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Número de terminales: 24. Spec info: 7x IGBT. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 0.1A, 0.1A, 15 Ohms, 50V. DI (T=25°C): 0.1A. Idss (máx.): 0.1A. Resistencia en encendido Rds activado: 15 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 50V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Nota: 5ns...20ns. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Tecnología: D-MOS Log.L

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.173A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.173A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BSN20. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 15 Ohms @ 0.1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 25pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.83W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. DI (T=100°C): 4.4A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100nA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.8 Ohms. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 250pF. Costo): 88pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 69 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 24A. IDss (mín.): 10nA. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 8.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 21 ns. Td(encendido): 6 ns. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.8V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnología: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 600V, 0.12A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.12A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BSP125. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 45 Ohms @ 0.12A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 21 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 130pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.7W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 600V, 0.1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BSP135. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 60 Ohms @ 0.01A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.1V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.1 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 42 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 146pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.8W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 60V, 1.8A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.8A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BSP295. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 1.8A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.8V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.1 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 41 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 368pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.8W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 200V, 0.6A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BSP297. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 0.65A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.8V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 160 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 300pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, 240V, 0.35A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.35A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BSP89. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.35A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.8V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 6 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 24 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 140pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.8W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. DI (T=25°C): 150mA. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.5 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 23pF. Costo): 6pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 11 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: serigrafía/código SMD SA. Identificación (diablillo): 600mA. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: SA. Equivalentes: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 3 ns. Tecnología: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 2.8V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 100V, 0.19A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.19A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: SA . Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ 0.15A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.8V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 3.5 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 11 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 20.9pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 100V, 0.17A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: SA. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.17A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 20 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 40pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. DI (T=25°C): 170mA. Idss (máx.): 46.4k Ohms. Resistencia en encendido Rds activado: 6 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 20pF. Costo): 9pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 11 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: serigrafía/código SMD SA. Identificación (diablillo): 680mA. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: SA. Equivalentes: BSS123-7-F. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 225mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: Modo de mejora del nivel lógico del transistor de efecto de campo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 2.6V. Vgs(th) mín.: 1.6V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 100V, 0.17A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: SA. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.6V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 40 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 20pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 600V, 0.021A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.021A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: SHS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 500 Ohms @ 0.016A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2.7V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 9.2 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 21 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 28pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 240V, 0.1A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: SRs. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.8V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 5 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 20 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 77pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. DI (T=25°C): 0.22A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.7 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 50V. C(pulg): 27pF. Costo): 13pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 0.88A. IDss (mín.): 0.5uA. Nota: serigrafía/código SMD SS. Marcado en la caja: SS. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.36W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 2.5 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 1.8V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Spec info: Modo de mejora del nivel lógico. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. DI (T=25°C): 0.2A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.4 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 50V. C(pulg): 50pF. Costo): 25pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 1A. IDss (mín.): 0.5uA. Nota: serigrafía/código SMD SS. Marcado en la caja: SS. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. RoHS: sí. Peso: 0.008g. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.5V. Spec info: Modo de mejora del nivel lógico. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 50V, 200mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 200mA. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: SS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 5 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 36ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 27pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.2A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.2A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: J1. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 20 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 50pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 250V, 0.03A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.03A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: STs. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 30 Ohms @ 15mA. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.7 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 43 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 76pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 55V, 0.54A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.54A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.43 Ohm @ 0.27A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.6V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 31 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 75pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 0.25A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 240V. DI (T=25°C): 0.25A. Idss (máx.): 1000uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5 Ohms. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 240V. C(pulg): 80pF. Costo): 15pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 1A. IDss (mín.): 100uA. Marcado en la caja: SS88. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 5 ns. Tecnología: Modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 0.6V. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V. DI (T=25°C): 0.19A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5 Ohms. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): SOT54. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 25pF. Costo): 8.5pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 0.8A. IDss (mín.): 0.01uA. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.83W. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 3 ns. Tecnología: Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Función: Very fast switching, Logic level compatible. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 0.12A, 0.19A, 10uA, 5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. DI (T=100°C): 0.12A. DI (T=25°C): 0.19A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 25pF. Costo): 8.5pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Cambio muy rápido. Identificación (diablillo): 0.8A. IDss (mín.): 0.01uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.83W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 3 ns. Tecnología: transistor de efecto de campo en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: compatible con nivel lógico. Protección G-S: NINCS