FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 100V, 34A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 34A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BUZ22. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 34A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 30 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 300 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1850pF. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 2.6A, 2.6A, 1000V. DI (T=25°C): 2.6A. Idss (máx.): 2.6A. Voltaje Vds(máx.): 1000V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 78W. Tecnología: V-MOS L. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.23 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 330pF. Costo): 90pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 44A. Temperatura: +175°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 200V, 7A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BUZ73LH. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 130 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 840pF. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 1.5A, 2.4A, 2.4A, 3 Ohms, 500V. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2.4A. Idss (máx.): 2.4A. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 500V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tecnología: V-MOS. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 2A, 3A, 3A, 1.8 Ohms, 400V. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 3A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.8 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 400V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tecnología: V-MOS. Nota: <57/115ns. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 400V, 2.7A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BUZ76A. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 75 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 650pF. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 1.7A, 2.7A, 2.7A, 4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 1.7A. DI (T=25°C): 2.7A. Idss (máx.): 2.7A. Resistencia en encendido Rds activado: 4 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: <50/105ns. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: V-MOS. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 1.7A. DI (T=25°C): 2.9A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 460pF. Costo): 55pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 350 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Identificación (diablillo): 11.5A. IDss (mín.): 0.1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 8 ns. Tecnología: V-MOS. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2.1A. Idss (máx.): 2.1A. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tecnología: V-MOS (F). Nota: <100/220ns. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 3.2A, 3.2A, 800V. DI (T=25°C): 3.2A. Idss (máx.): 3.2A. Voltaje Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: V-MOS. Pd (disipación de potencia, máx.): 78W. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 2.8A, 4.5A, 4.5A, 1.6 Ohms, 600V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 4.5A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.6 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Tecnología: V-MOS. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 2.8A, 4A, 4A, 2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 4A. Resistencia en encendido Rds activado: 2 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 2.8A, 4A, 4A, 2 Ohms, 600V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 4A. Resistencia en encendido Rds activado: 2 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Tecnología: TO-220F. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 5A, 8A, 8A, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.9 Ohms. Vivienda: TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: V-MOS. Cantidad por caja: 1

Transistor de canal N, 5A, 8A, 10uA, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.9 Ohms. Vivienda: TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 0.1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Tecnología: V-MOS

Transistor de canal N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=25°C): 52A. Idss (máx.): 52A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.011 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Modo de mejora del nivel lógico. Identificación (diablillo): 156A. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Field Effect Power MOSFET

Transistor de canal N, 200A, Otro, Otro, 1200V. Ic(T=100°C): 200A. Vivienda: Otro. Vivienda (según ficha técnica): Otro. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 40pF. Costo): 14pF. Tipo de canal: N. Función: Transistor IGBT dual (aislado). Corriente del colector: 200A. Ic (pulso): 400A. Dimensiones: 108x62x31mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 1500W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 300 ns. Td(encendido): 250 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 6V. Número de terminales: 7. Spec info: Conmutación de alta potencia. Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, Caja de plástico de 2 mm × 2 mm, 30 v. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.024...0.042 Ohms. Vivienda: WSON6. Vivienda (según ficha técnica): Caja de plástico de 2 mm × 2 mm. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 260pF. Costo): 140pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 57A. Número de terminales: 6. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 17W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 4.2 ns. Td(encendido): 2.8 ns. Tecnología: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1.8V. Vgs(th) mín.: 0.9V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 600A, Otro, Otro, 1200V. Ic(T=100°C): 600A. Vivienda: Otro. Vivienda (según ficha técnica): Otro. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 37pF. Tipo de canal: N. Corriente del colector: 600A. Ic (pulso): 1200A. Dimensiones: 172x89x37mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 3350W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 0.7 ns. Td(encendido): 0.21 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.7V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5.8V. Número de terminales: 10. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Función: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 6A/-4.2A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/-4.2A. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: C3025LS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.2V/-2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11.2 ns/7.5 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 14.5/28.2 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 590/631pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.5W. Familia de componentes: MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 10mA. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Voltaje Vds(máx.): 200V. Distribución de pines: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(pulg): 900pF. Costo): 500pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Varios: Amplificador de potencia de alta fidelidad. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Amplificador de potencia de audio MOSFET. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 90 ns. Td(encendido): 155 ns. Tecnología: N–CHANNEL POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 14V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 1.5V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.1V. Spec info: transistor complementario (par) ECW20P20. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 200V. Distribución de pines: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(pulg): 500pF. Costo): 300pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Varios: Amplificador de potencia de alta fidelidad. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Amplificador de potencia de audio MOSFET. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 100 ns. Tecnología: N–CHANNEL POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 14V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 1.5V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.15V. Spec info: transistor complementario (par) ECX10P20. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 7A, 11A, 10uA, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.32 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1148pF. Costo): 671pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 390 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: ID pulse 33A. Identificación (diablillo): 33A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 119 ns. Td(encendido): 34 ns. Tecnología: SuperFET MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 0.32 Ohms, TO-220F, 7A, 11A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V, 650V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.32 Ohms. Vivienda: TO-220F. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.33 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 650V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Corriente máxima de drenaje: 11A. Potencia: 36W. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: SuperFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V