FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 9.8m Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1205pF. Costo): 290pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 2500. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: control de nivel lógico. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 50A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 28 ns. Td(encendido): 9 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30 v, 8.2A/6.9A, 8.2A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.2A/6.9A. Vivienda (norma JEDEC): 8.2A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: FDS6900AS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms / 0.038 Ohms @ 8.2/6.9A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 29 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 570pF/600pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30 v, 6A/6A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/6A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: FDS6912. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms/0.028 Ohms @ 6A/6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 16 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 29 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 740pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 8.5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 19m Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 475pF. Costo): 100pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 42 ns. Td(encendido): 5 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1.2V

Transistor de canal N, 5.4A, SO, SO-8. DI (T=100°C): 5.4A. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 2. Diodo Trr (Mín.): 15 ns. Función: Rds-on 0.030 Ohms. Protección G-S: NINCS. Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C

Transistor de canal N, 25V, SOT23. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 25V. Vivienda: SOT23. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Serie: sí. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 0.22A. Rds on (max) @ id, VGS: 9 Ohms / 0.2A / 2.7V. VGS (th) (max) @ id: 3. QG (Total Gate Charge, max @ vgs): 301. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: 8V. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. Temperatura de funcionamiento: 4 Ohms @ 0.2A. Tipo de montaje: SMD. Características: 8 ns. Información: 9.5pF. MSL: 0.35W

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 25V, 0.68A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.68A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 303. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.44 Ohms @ 0.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 6 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 30 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 50pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.35W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 650V. C(pulg): 2915pF. Costo): 270pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 47ms. Función: Inversor solar, UPS, Estación de soldadura, PFC, Telecomunicaciones, ESS. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 60.4k Ohms. Ic (pulso): 180A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 600W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 104 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: Field Stop IGBT . Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.9V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V

Transistor de canal N, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2-PAK. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 940pF. Costo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Función: inversor solar, UPS, máquina de soldar, PFC. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 60A. Nota: Transistor MOS IGBT de canal N. Marcado en la caja: FGB20N60SF. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 208W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 90 ns. Td(encendido): 12 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.4V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4 v. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V

Transistor de canal N, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AB. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 2110pF. Costo): 200pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 45 ns. Función: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 80A. Ic (pulso): 60.4k Ohms. Marcado en la caja: FGH40N60SFD. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 290W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 115 ns. Td(encendido): 25 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.9V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4 v. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V

Transistor de canal N, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AB. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1880pF. Costo): 180pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Función: Inversor solar, UPS, Estación de soldadura, PFC, Telecomunicaciones, ESS. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 80A. Ic (pulso): 60.4k Ohms. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 349W. RoHS: sí. Spec info: Ic 80A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 120A (pulsed). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 92 ns. Td(encendido): 12 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.9V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V

Transistor de canal N, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AB. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 2110pF. Costo): 200pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 45 ns. Función: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 80A. Ic (pulso): 60.4k Ohms. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 290W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 112 ns. Td(encendido): 24 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.4V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4 v. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V

Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AB. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 2820pF. Costo): 350pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 47 ns. Función: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 60.4k Ohms. Ic (pulso): 180A. Marcado en la caja: FGH60N60SFD. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 378W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 134 ns. Td(encendido): 22 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.9V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4 v. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V

Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AB. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 2820pF. Costo): 350pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Función: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 60.4k Ohms. Ic (pulso): 180A. Marcado en la caja: FGH60N60SF. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 378W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 134 ns. Td(encendido): 22 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.9V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4 v. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V

Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AB. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 2915pF. Costo): 270pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Función: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 60.4k Ohms. Ic (pulso): 180A. Marcado en la caja: FGH60N60SMD. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 18 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.9V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V

Transistor de canal N, 25A, Otro, Otro, 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Vivienda: Otro. Vivienda (según ficha técnica): Otro. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 1.45pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Función: ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 39A. Ic (pulso): 50A. Nota: 7x IGBT+ CE Diode. Número de terminales: 33dB. Dimensiones: 56.7x48x12mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 175W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 0.46 ns. Td(encendido): 0.08 ns. Tecnología: Módulo híbrido IGBT. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.85V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.25V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5.2V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.4V

Transistor de canal N, 6.32A, 10A, 100uA, 0.93 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. DI (T=100°C): 6.32A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.93 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 2150pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 730 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación rápida, carga de puerta baja (típica 44 nC). Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: FQA10N80C. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 240W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 90 ns. Td(encendido): 50 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-3PN, 900V, 11A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3PN. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FQA11N90C. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 130 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 270 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3290pF. Disipación máxima Ptot [W]: 300W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-3PN, 900V, 11A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3PN. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FQA11N90C_F109. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 130 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 270 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3290pF. Disipación máxima Ptot [W]: 300W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-3PN, 900V, 11.4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3PN. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11.4A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FQA 11N90. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.96 Ohms @ 5.7A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 140 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 340 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3500pF. Disipación máxima Ptot [W]: 300W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 9.5A, 15A, 10uA, 0.43 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. DI (T=100°C): 9.5A. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.43 Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 1580pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación rápida, carga de puerta baja (típica 43 nC). Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 60A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 218W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Tecnología DMOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-3PN, 800V, 12.6A, 1, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3PN. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Vivienda (norma JEDEC): 1. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Voltaje Vds(máx.): 800V. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FQA13N80. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 130 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 320 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3500pF. Disipación máxima Ptot [W]: 300W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 155 ns. Td(encendido): 60 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. DI (T=100°C): 11.7A. DI (T=25°C): 18.5A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.3 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 2800pF. Costo): 350pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 420 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación rápida, carga de puerta baja (típica 44 nC). Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 74A. IDss (mín.): 10uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 65 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 12.5A, 24A, 10uA, 0.156 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V. DI (T=100°C): 12.5A. DI (T=25°C): 24A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.156 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 3500pF. Costo): 520pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación rápida, carga de puerta baja (típica 90 nC). Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 96A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 290W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 200 ns. Td(encendido): 80 ns. Tecnología: Tecnología DMOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 14.9A, 23.5A, 100uA, 0.18 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. DI (T=100°C): 14.9A. DI (T=25°C): 23.5A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.18 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 4200pF. Costo): 550pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 470 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación rápida, carga de puerta baja (típica 90 nC). Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 94A. IDss (mín.): 10uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 310W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 200 ns. Td(encendido): 90 ns. Tecnología: Tecnología DMOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V