Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.74€ | 2.11€ |
5 - 9 | 1.65€ | 2.00€ |
10 - 24 | 1.57€ | 1.90€ |
25 - 49 | 1.48€ | 1.79€ |
50 - 99 | 1.44€ | 1.74€ |
100 - 249 | 1.41€ | 1.71€ |
250+ | 1.34€ | 1.62€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.74€ | 2.11€ |
5 - 9 | 1.65€ | 2.00€ |
10 - 24 | 1.57€ | 1.90€ |
25 - 49 | 1.48€ | 1.79€ |
50 - 99 | 1.44€ | 1.74€ |
100 - 249 | 1.41€ | 1.71€ |
250+ | 1.34€ | 1.62€ |
Transistor de canal N, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - BUZ72A. Transistor de canal N, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.23 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 330pF. Costo): 90pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 44A. Temperatura: +175°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 15:25.
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