FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247-3. Tensión colector/emisor Vceo: 1350V. C(pulg): 1500pF. Costo): 55pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Función: Inductive?cooking. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 60A. Marcado en la caja: H20R1353. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 310W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 405 ns. Td(encendido): 335 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.6V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): PG-TO247-3. Tensión colector/emisor Vceo: 1350V. C(pulg): 1360pF. Costo): 43pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Función: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 60A. Marcado en la caja: H20PR5. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 288W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 235 ns. Tecnología: TRENCHSTOP TM technology. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.65V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.85V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 1460pF. Costo): 78pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Función: Soft Switching Applications. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 60A. Marcado en la caja: H20T120. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 178W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 560 ns. Td(encendido): 50 ns. Tecnología: Transistor IGBT con tecnología Trench and Fieldstop . Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.7V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.2V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 2589pF. Costo): 77pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Corriente del colector: 60A. Ic (pulso): 90A. Marcado en la caja: H30R1202. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 390W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 792 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.65V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.4V. Función: Aplicaciones de cocción inductiva y conmutación suave. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 30A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 30A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): PG-TO247-3. Tensión colector/emisor Vceo: 1350V. C(pulg): 1810pF. Costo): 50pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Corriente del colector: 60A. Ic (pulso): 90A. Marcado en la caja: H30PR5. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 310 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.65V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.95V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.4V. Función: Cocina Inductiva, Hornos Microondas. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, Otro, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Vivienda: Otro. Vivienda (según ficha técnica): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Función: 6 x IGBT For Power Management. Corriente del colector: 15A. Ic (pulso): 30A. Nota: controlador de motor de CA trifásico. Frecuencia: 20kHz. Equivalentes: Samsung--DC13-00253A. Número de terminales: 24. Pd (disipación de potencia, máx.): 27.4W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 800 ns. Td(encendido): 560 ns. Tecnología: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.55V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.05V. Spec info: Ic 15A @ 25°C, 10A @ 80°C. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220-3-1. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 860pF. Costo): 55pF. Tipo de canal: N. Función: IGBT de alta velocidad en tecnología NPT. Corriente del colector: 15A. Ic (pulso): 45A. Marcado en la caja: K15T60. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 188 ns. Td(encendido): 17 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.05V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.7V. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 1860pF. Costo): 96pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Función: Transistor IGBT con tecnología Trench and Fieldstop . Corriente del colector: 50A. Ic (pulso): 75A. Marcado en la caja: K25T120. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 560 ns. Td(encendido): 50 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.7V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.2V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 30A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 30A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1630pF. Costo): 107pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 117 ns. Función: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Corriente del colector: 60A. Ic (pulso): 60.4k Ohms. Marcado en la caja: K30H603. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 187W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 207 ns. Td(encendido): 21 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.95V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT con tecnología Trench and Fieldstop . Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 40A, TO-247, TO-247N, 1200V. Ic(T=100°C): 40A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247N. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 2330pF. Costo): 185pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Función: Transistor IGBT con tecnología Trench and Fieldstop . Corriente del colector: 80A. Ic (pulso): 180A. Marcado en la caja: K40H1203. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 483W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 290 ns. Td(encendido): 30 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.05V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5.8V. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 116pF. Costo): 2960pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. Tensión umbral del diodo: 1.65V. Función: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Corriente del colector: 100A. Ic (pulso): 200A. Marcado en la caja: K50H603. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 333W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 235 ns. Td(encendido): 23 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.85V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.3V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT con tecnología Trench and Fieldstop . Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 3140pF. Costo): 200pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 143 ns. Función: VCEsat muy bajo. Corriente del colector: 80A. Ic (pulso): 150A. Marcado en la caja: K50T60. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 333W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 299 ns. Td(encendido): 26 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.9V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT con tecnología Trench and Fieldstop . Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 4620pF. Costo): 288pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 182 ns. Función: VCEsat muy bajo. Corriente del colector: 80A. Ic (pulso): 225A. Marcado en la caja: K75T60. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 428W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 330 ns. Td(encendido): 33 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.9V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT con tecnología Trench and Fieldstop . Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor de canal N, 4.6A, 7.3A, 10uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 650V. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.3A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.54 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP-3. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 440pF. Costo): 30pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: ID pulse 19A. Identificación (diablillo): 19A. IDss (mín.): 1uA. Nota: carcasa completamente aislada (2500VAC/60s). Marcado en la caja: 6R600E6. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 28W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 58 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 3.6A, 5.7A, 50uA, 0.83 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 800V. DI (T=100°C): 3.6A. DI (T=25°C): 5.7A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.83 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP-3. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 785pF. Costo): 33pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 520 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: ID pulse 18A. Identificación (diablillo): 18A. IDss (mín.): 10uA. Nota: carcasa completamente aislada (2500VAC/60s). Marcado en la caja: 8R1K0CE. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 32W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: -20V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7. Resistencia en encendido Rds activado: 2.1M Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO263-7. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 214W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: OptiMOS Power. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, 100V, 60.4k Ohms. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60.4k Ohms. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3.3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 128 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 840pF. Disipación máxima Ptot [W]: 313W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 80A, 80A, 1uA, 2.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.4M Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 7500pF. Costo): 1900pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Automoción con certificación AEC Q101. Identificación (diablillo): 320A. IDss (mín.): 0.01uA. Marcado en la caja: 4N03L02. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 136W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 62 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: transistor MOSFET de potencia. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Vgs(th) máx.: 2.2V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: Resistencia ultrabaja. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 80A, 80A, 100uA, 5.6M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5.6M Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 3400pF. Costo): 880pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 55 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Automoción con certificación AEC Q101. Identificación (diablillo): 320A. IDss (mín.): 0.01uA. Marcado en la caja: 2N0607. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 61 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: transistor MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Spec info: Resistencia ultrabaja. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 6.5m Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 2860pF. Costo): 740pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 55 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Automoción con certificación AEC Q101. Identificación (diablillo): 320A. IDss (mín.): 0.01uA. Marcado en la caja: 2N0608. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 215W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 32 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: transistor MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Spec info: Resistencia ultrabaja. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 80A, 80A, 100uA, 7.6m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 7.6m Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 2360pF. Costo): 610pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Automoción con certificación AEC Q101. Identificación (diablillo): 320A. IDss (mín.): 0.01uA. Marcado en la caja: 2N0609. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: transistor MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Spec info: Resistencia ultrabaja. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 100A, 100A, 10uA, 2.8m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3 ( DPAK ), 60V. DI (T=100°C): 100A. DI (T=25°C): 100A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.8m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): PG-TO252-3 ( DPAK ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 8000pF. Costo): 1700pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 48 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. Identificación (diablillo): 400A. IDss (mín.): 0.01uA. Marcado en la caja: 034N06N. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 167W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 63 ns. Td(encendido): 38 ns. Tecnología: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 50A, 50A, 100uA, 0.0058 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), 30 v. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0058 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 2400pF. Costo): 920pF. Tipo de canal: N. Identificación (diablillo): 350A. IDss (mín.): 0.1uA. Marcado en la caja: 050N03L. Pd (disipación de potencia, máx.): 68W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 6.7 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.2V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 27uA. Resistencia en encendido Rds activado: 7.6m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1900pF. Costo): 760pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Logic Level, Enhancement mode. Identificación (diablillo): 200A. IDss (mín.): 0.01uA. Marcado en la caja: PN03L06. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 136W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: OptiMOS® Power-Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 6.5m Ohms. Vivienda: TO-262 ( I2-PAK ). Vivienda (según ficha técnica): TO-262. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 2860pF. Costo): 740pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 55 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Automoción con certificación AEC Q101. Identificación (diablillo): 320A. IDss (mín.): 0.01uA. Marcado en la caja: 2N0608. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 215W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 32 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: transistor MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Spec info: Resistencia ultrabaja. Protección G-S: NINCS