FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 75V, 82A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: F2807S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 49 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3820pF. Disipación máxima Ptot [W]: 230W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 180A, 260A, 260A, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 180A. DI (T=25°C): 260A. Idss (máx.): 260A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.019 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: AUTOMOTIVE MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 290W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal N, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=100°C): 180A. DI (T=25°C): 260A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.019 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 6320pF. Costo): 1980pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: AUTOMOTIVE MOSFET. Identificación (diablillo): 1020A. IDss (mín.): 20uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 290W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 48 ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 170A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.035 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 75V. C(pulg): 7500pF. Costo): 970pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 41 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: AUTOMOTIVE MOSFET. Identificación (diablillo): 680A. IDss (mín.): 20uA. Marcado en la caja: IRF2907Z. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 97 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 60.4k Ohms, 180A, 180A, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ), 75V. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 180A. Idss (máx.): 180A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.03 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ). Voltaje Vds(máx.): 75V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: AUTOMOTIVE MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal N, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 3247pF. Costo): 781pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 69 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Tecnología de proceso avanzada . Identificación (diablillo): 390A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 55V, 98A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF3205PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 50 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3247pF. Disipación máxima Ptot [W]: 150W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 250nA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 3247pF. Costo): 781pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 69 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Tecnología de proceso avanzada . Identificación (diablillo): 390A. IDss (mín.): 25nA. Equivalentes: IRF3205SPBF. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 98A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: F3205S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 50 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3247pF. Disipación máxima Ptot [W]: 150W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 75A, 110A, 250uA, 4.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4.9m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 3450pF. Costo): 550pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 28 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Tecnología de proceso avanzada . Identificación (diablillo): 440A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 0.0049 Ohm, TO-220AB, 55V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0049 Ohm. Vivienda: TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): 55V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 75A. Potencia: 170W

Transistor de canal N, 19A, 27A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. DI (T=100°C): 19A. DI (T=25°C): 27A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.07 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 150V. C(pulg): 1300pF. Costo): 300pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 174 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 108A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 136W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 49 ns. Td(encendido): 9.6 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 30A, 43A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 43A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0042 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 150V. C(pulg): 2400pF. Costo): 640pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 260 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 150A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 71 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 0.042 Ohms, TO-220, 150V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.042 Ohms. Vivienda: TO-220. Tensión drenaje-fuente (Vds): 150V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 43A. Potencia: 130W

Transistor de canal N, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 28A. DI (T=25°C): 57A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 23m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 3230pF. Costo): 420pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 180A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 49 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 100V, 57A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF3710PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 45 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3130pF. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 57A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.025 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 3000pF. Costo): 640pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 210 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 180A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 58 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 57A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: F3710S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 45 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3130pF. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 69A, 110A, 110A, 0.047 Ohms, TO-220, TO-220AB, 20V. DI (T=100°C): 69A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 110A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.047 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 20V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Función: td(on) 12ns, td(off) 17ns

Transistor de canal N, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. DI (T=100°C): 69A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4.7M Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 2980pF. Costo): 1770pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 48 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: CC-CC aislada de alta frecuencia. Identificación (diablillo): 440A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 2. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 17 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. DI (T=100°C): 65A. DI (T=25°C): 92A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0048 Ohm. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 2150pF. Costo): 680pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 16 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Buck síncrono de alta frecuencia. Identificación (diablillo): 380A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 79W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.45V. Vgs(th) mín.: 1.55V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 97A, 140A, 250uA, 0.0059 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 97A. DI (T=25°C): 140A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0059 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 75V. C(pulg): 5310pF. Costo): 890pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 93 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: AUTOMOTIVE MOSFET. Identificación (diablillo): 550A. IDss (mín.): 20uA. Marcado en la caja: IRF3808. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 68 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 7.75A, 12A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204A ), 500V. DI (T=100°C): 7.75A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3 ( TO-204A ). Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 2700pF. Costo): 600pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 1600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Repetitive Avalanche Ratings. Identificación (diablillo): 48A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 170 ns. Td(encendido): 35 ns. Tecnología: Transistor MOSFET de potencia HEXFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 5.6A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.54 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 180pF. Costo): 81pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 20A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 43W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 6.9ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 100V, 5.6A, 0.54 Ohms, TO-220, 100V. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.6A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.54 Ohms. Vivienda: TO-220. Tensión drenaje-fuente (Vds): 100V. Marcado del fabricante: IRF510PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 3.4A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 180pF. Disipación máxima Ptot [W]: 43W. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 5.6A. Potencia: 43W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C