FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 3.2A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.4 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 620 ns. Costo): 93 ns. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 430 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 20A. IDss (mín.): 25uA. Temperatura: +105°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 74W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 21 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 500V, TO220AB. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 500V. Vivienda: TO220AB. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Serie: sí. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 4.5A. Voltaje de accionamiento: 10V. Rds on (max) @ id, VGS: Montaje mediante orificio pasante en PCB. VGS (th) (max) @ id: 3. QG (Total Gate Charge, max @ vgs): IRF830PBF. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Temperatura de funcionamiento: 1.5 Ohms @ 2.7A. Tipo de montaje: THT. Características: 42 ns. Información: 610pF. MSL: 75W

Transistor de canal N, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 4.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.85 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 1300pF. Costo): 310pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 49 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.85 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 1018pF. Costo): 155pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 422 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 26 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 500V, 8A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF840APBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 26 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1018pF. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 500V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.85 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-263AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 1018pF. Costo): 155pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 422 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 26 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 500V, 8A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF840ASPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 26 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1018pF. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 500V, 8A, 500V, 0.85 Ohms, TO-220. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Tensión drenaje-fuente (Vds): 500V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.85 Ohms. Vivienda: TO-220. Marcado del fabricante: IRF840PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 49 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1300pF. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 8A. Potencia: 125W

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 500V, 8A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF840SPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 49 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1300pF. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 9.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.142 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 760pF. Costo): 170pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 12 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 88A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: IRF8707G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 7.3 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 4.5V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30 v, 24A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F8788. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0028 Ohms @ 24A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.35V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 23 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5720pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 3.5A/-2.3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F9952. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms/025 Ohms @ 2.2/-1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns/19 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 26/40 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 190/190pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 3.5A/-2.3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F9952Q. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms/0.4 Ohms @ 1/-0.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns/19 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 26/40 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 190/190pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 7A, 11A, 250uA, 0.52 Ohms, TO-220, TO-220, 500V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.52 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 1423pF. Costo): 208pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 510 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 52 nC. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 44A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 170W. RoHS: sí. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 32 ns. Td(encendido): 14 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.26 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 2830pF. Costo): 3310pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 520 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 68A. IDss (mín.): 50uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 220W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 22 ns. Tecnología: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.21 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 2870pF. Costo): 3480pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 520 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 80A. IDss (mín.): 50uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 280W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 22 ns. Tecnología: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 17A, 23A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. DI (T=100°C): 17A. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.09 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 150V. C(pulg): 1200pF. Costo): 260pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidores DC-DC de alta frecuencia. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 92A. IDss (mín.): 25uA. Marcado en la caja: B23N15D. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 136W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 18 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 56A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.04 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 4220pF. Costo): 580pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: SMPS, Convertidores CC-CC de alta frecuencia. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 220A. IDss (mín.): 25uA. Marcado en la caja: FB260N. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 380W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 52 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 190A. DI (T=25°C): 270A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0021 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 8970pF. Costo): 1020pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 44 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Rectificación síncrona de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 1080A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 375W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 118 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 150A, 210A, 250uA, 0.0028 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 150A. DI (T=25°C): 210A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0028 Ohm. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 75V. C(pulg): 9400pF. Costo): 820pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Rectificación síncrona de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 850A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 370W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 69 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 21A, 31A, 250uA, 0.082 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.082 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 2370pF. Costo): 390pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: SMPS, Convertidores CC-CC de alta frecuencia. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 124A. IDss (mín.): 25uA. Marcado en la caja: FB32N20D. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 26 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 150A. DI (T=25°C): 210A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.4M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 6540pF. Costo): 720pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Rectificación síncrona de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 840A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 170A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.3M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 75V. C(pulg): 6920pF. Costo): 600pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 36ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Rectificación síncrona de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 670A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 170A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.3M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 75V. C(pulg): 6920pF. Costo): 600pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 36ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Rectificación síncrona de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 670A. IDss (mín.): 20uA. Marcado en la caja: FB3207. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 110A, 160A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.3M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 4520pF. Costo): 500pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 31 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Rectificación síncrona de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 620A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V