FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V. DI (T=100°C): 5.4A. DI (T=25°C): 8.5A. Idss (máx.): 8.5A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.93 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 650V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Dynamic dv/dt Rating. Pd (disipación de potencia, máx.): 167W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal N, 4.4 Ohms, TO-220, 600V. Resistencia en encendido Rds activado: 4.4 Ohms. Vivienda: TO-220. Tensión drenaje-fuente (Vds): 600V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 2.2A. Potencia: 50W

Transistor de canal N, 2.3A, 3.6A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 2.3A. DI (T=25°C): 3.6A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.2 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 660pF. Costo): 86pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 370 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Dynamic dv/dt Rating. Identificación (diablillo): 14A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 2.3A, 3.6A, 250uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 2.3A. DI (T=25°C): 3.6A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.2 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 510pF. Costo): 70pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Dynamic dv/dt Rating. Identificación (diablillo): 14A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 74W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 9.8 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 3.9A, 6.2A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.2A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1300pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Dynamic dv/dt Rating. Identificación (diablillo): 25A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 600V, 6.2A, 1.2 Ohms, TO-220, 600V. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-220. Tensión drenaje-fuente (Vds): 600V. Marcado del fabricante: IRFBC40PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.7A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 55 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1300pF. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 6.2A. Potencia: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 2.6A, 4.1A, 500uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. DI (T=100°C): 2.6A. DI (T=25°C): 4.1A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1300pF. Costo): 310pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 480 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 16A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 82 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 800V, 4.1A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFBE30PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 82 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1300pF. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 1.1A, 1.7A, 500uA, 8 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 900V. DI (T=100°C): 1.1A. DI (T=25°C): 1.7A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 8 Ohms. Vivienda: TO-262 ( I2-PAK ). Vivienda (según ficha técnica): TO-262. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 490pF. Costo): 55pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 350 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Dynamic dv/dt Rating. Identificación (diablillo): 6.8A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 54W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 56 ns. Td(encendido): 8 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 900V, 3.6A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFBF30PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 2.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 90 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1200pF. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 2A, 3.1A, 500uA, 5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 1000V. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 3.1A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 1000V. C(pulg): 980pF. Costo): 140pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 410 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Dynamic dv/dt Rating. Identificación (diablillo): 12A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 89 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 1 kV, 3.1A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFBG30PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 1.9A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 89 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 980pF. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 250uA, 0.20 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. DI (T=100°C): 1.2A. DI (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.20 Ohms. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 310pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Tipo de transistor: FET. Función: td(on) 10ns, td(off) 13ns. Identificación (diablillo): 14A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 13 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 0.2, DIP-4, 60V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.2. Vivienda: DIP-4. Tensión drenaje-fuente (Vds): 60V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 1.7A

Transistor de canal N, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. DI (T=100°C): 1.8A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.10 Ohms. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 640pF. Costo): 360pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 88 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 20A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 60V, 2.5A, 60V, DIP4. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 60V. Vivienda: DIP4. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 25 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 640pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 2.5A. Tensión puerta/fuente Vgs: 100m Ohms / 1.5A / 10V. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Max: 1.3W. Tipo de montaje: THT

Transistor de canal N, 0.71A, 1A, 250uA, 0.54 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. DI (T=100°C): 0.71A. DI (T=25°C): 1A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.54 Ohms. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 180pF. Costo): 81pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 8A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 6.9ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, DIP4, 100V, 1A, DIP-4. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP4. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1A. Vivienda (norma JEDEC): DIP-4. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Marcado del fabricante: IRFD110PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 6.9ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 180pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 0.94A, 1.3A, 250uA, 0.27 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. DI (T=100°C): 0.94A. DI (T=25°C): 1.3A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.27 Ohms. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 360pF. Costo): 150pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 10A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 18 ns. Td(encendido): 6.8 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, DIP4, 100V, 1.3A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP4. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.3A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Marcado del fabricante: IRFD120PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 0.78A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 6.8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 18 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 1.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 360pF

Transistor de canal N, 0.94A, 1.3A, 250uA, 0.27 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. DI (T=100°C): 0.94A. DI (T=25°C): 1.3A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.27 Ohms. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 360pF. Costo): 150pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 10A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 18 ns. Td(encendido): 6.8 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 0.38A, 0.6A, 250uA, 1.5 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. DI (T=100°C): 0.38A. DI (T=25°C): 0.6A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 140pF. Costo): 53pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 4.8A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 14 ns. Td(encendido): 8.2 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 0.38A, 0.8A, 250uA, 0.8 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. DI (T=100°C): 0.38A. DI (T=25°C): 0.8A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.8 Ohms. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaje Vds(máx.): 200V. RoHS: sí. C(pulg): 22pF. Costo): 53pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 6.4A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 7.2 ns. Tecnología: transistor MOSFET de potencia de tercera generación. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, ITO-220AB, 55V, 64A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: ITO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFI3205PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 34A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 43 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 4000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 63W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 5.1A, 7.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 7.2A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.27 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220 FULLPAK. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 360pF. Costo): 150pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidor de voltaje CC/CC. Identificación (diablillo): 29A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 37W. Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 8.8 ns. Tecnología: transistor MOSFET de potencia de tercera generación. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: sí