FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 148A, 209A, 250uA, 3.6m Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V. DI (T=100°C): 148A. DI (T=25°C): 209A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.6m Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 75V. C(pulg): 13000pF. Costo): 2100pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 140 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: AUTOMOTIVE MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 870A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 470W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 23 ns. Tecnología: HEXFET ® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AC, 75V, 90A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 90A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFP2907PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 125A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 23 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 130 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 13000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 470W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AC, 75V, 90A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 90A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFP2907ZPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 90A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 19 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 97 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 7500pF. Disipación máxima Ptot [W]: 310W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 190A, 270A, 250uA, 2.1M Ohms, TO-247, TO-247AC. DI (T=100°C): 190A. DI (T=25°C): 270A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.1M Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. C(pulg): 8970pF. Costo): 1020pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Rectificación síncrona de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 1080A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 375W. RoHS: sí. Peso: 4.58g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 118 ns. Td(encendido): 16 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 20A, 31A, 2mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 2mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.15 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 5000pF. Costo): 553pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 124A. IDss (mín.): 50uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 460W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 54 ns. Td(encendido): 28 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 140A, 200A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. DI (T=100°C): 140A. DI (T=25°C): 200A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.4M Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 6540pF. Costo): 720pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de energía de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 840A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 280W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AC, 150V, 43A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 150V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 43A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFP3415PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ 22A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 72 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2400pF. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. DI (T=100°C): 9.6A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.3 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 400V. C(pulg): 2600pF. Costo): 660pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 87 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: MOSFET de potencia HEXFET. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AC, 400V, 19A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 19A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFP350PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 9.6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 16 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 87 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2600pF. Disipación máxima Ptot [W]: 190W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. DI (T=100°C): 14A. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.20 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 400V. C(pulg): 4500pF. Costo): 1100pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 420 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 92A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 280W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. DI (T=100°C): 14A. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.20 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 400V. C(pulg): 3400pF. Costo): 540pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 91A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 280W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 42 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 400V, 23A, 400V, 0.20 Ohms, TO-247AC HV. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. Tensión drenaje-fuente (Vds): 400V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.20 Ohms. Vivienda: TO-247AC HV. Marcado del fabricante: IRFP360PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 14A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 18 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 100 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 4500pF. Disipación máxima Ptot [W]: 280W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 23A. Potencia: 280W

Transistor de canal N, 40A, 57A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 57A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.026 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 3000pF. Costo): 640pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 210 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 180A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 58 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AC, 100V, 40A, 180W. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. Vivienda (norma JEDEC): 180W. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFP3710PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 28A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 58 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 46A, 65A, 1mA, 0.021 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. DI (T=100°C): 46A. DI (T=25°C): 65A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.021 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 4600pF. Costo): 460pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: PDP MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 260A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 21 ns. Td(encendido): 33 ns. Tecnología: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 31A, 44A, 1mA, 0.038 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. DI (T=100°C): 31A. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.038 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 250V. C(pulg): 4560pF. Costo): 390pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: PDP MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 180A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 310W. RoHS: sí. Peso: 5.8g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 44 ns. Tecnología: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 33A, 46A, 150uA, 0.049 Ohms, TO-247, TO-247AC, 300V. DI (T=100°C): 33A. DI (T=25°C): 46A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.049 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 300V. C(pulg): 7370pF. Costo): 520pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 190A. IDss (mín.): 5uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 430W. RoHS: sí. Spec info: Idm--190Ap.. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 40A, 57A, 1mA, 0.029 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 57A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.029 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 250V. C(pulg): 5860pF. Costo): 530pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutador PDP. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 230A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 360W. RoHS: sí. Spec info: Idm--230Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power-MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247AC, 100V, 195A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 195A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFP4468PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0026 Ohms @ 180A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 52 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 160 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 19860pF. Disipación máxima Ptot [W]: 520W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 8.7A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. DI (T=100°C): 8.7A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 2600pF. Costo): 420pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 540 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 56A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 92us. Td(encendido): 17us. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 8.6A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. DI (T=100°C): 8.6A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 2200pF. Costo): 320pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 580us. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra low Gate Charger. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 56A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247, 500V, 14A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRFP450LCPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 30 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2200pF. Disipación máxima Ptot [W]: 190W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 500V, TO247. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 500V. Vivienda: TO247. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Serie: IRFP. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 14A. Voltaje de accionamiento: 10V. Rds on (max) @ id, VGS: Montaje mediante orificio pasante en PCB. VGS (th) (max) @ id: 3. QG (Total Gate Charge, max @ vgs): IRFP450PBF. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. Temperatura de funcionamiento: 0.4 Ohms @ 8.4A. Tipo de montaje: THT. Características: 92 ns. Información: 2600pF. MSL: 190W

Transistor de canal N, 121A, 694A, 250uA, 0.0048 Ohms, TO-247, TO-247AC, 150V. DI (T=100°C): 121A. DI (T=25°C): 694A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0048 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 150V. C(pulg): 10470pF. Costo): 977pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 171A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 517W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 47 ns. Td(encendido): 27 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.27 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 4200pF. Costo): 870pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 80A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 280W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V