FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 55A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.026 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 3700pF. Costo): 630pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Nivel lógico. Identificación (diablillo): 190A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 49 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 20V, 110A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRL3502. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 96 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 4700pF. Disipación máxima Ptot [W]: 140W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 20V, 110A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L3502S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 96 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 4700pF. Disipación máxima Ptot [W]: 140W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 63A. DI (T=25°C): 89A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.01 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 3600pF. Costo): 870pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 94us. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 310A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 170W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 37 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 2V. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V. Función: Unidad de puerta de nivel lógico, conmutación rápida. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 55V, 89A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 89A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRL3705N. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 46A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 37 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3600pF. Disipación máxima Ptot [W]: 170W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 180A, 260A, 100uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 180A. DI (T=25°C): 260A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.003 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 5890pF. Costo): 3130pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Rds muy bajos. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 1040A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: SMPS MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 170A, 200A, 200A, 0.003 Ohms, 30 v. DI (T=100°C): 170A. DI (T=25°C): 200A. Idss (máx.): 200A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.003 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Resistencia Rds-on muy baja. Nota: UltraLow Gate. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Tecnología: SMPS MOSFET

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 260A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 260A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L3713S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 30A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 16 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 40 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5890pF. Disipación máxima Ptot [W]: 170W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 98A, 140A, 250uA, 0.006 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 98A. DI (T=25°C): 140A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.006 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 5000pF. Costo): 1800pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Nivel lógico. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 470A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 29 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, TO-220AB, 30 v, 140A, 30V, 0.006 Ohms. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Tensión drenaje-fuente (Vds): 30V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.006 Ohms. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 29 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 140A. Potencia: 200W. Control: Nivel lógico

Transistor de canal N, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=100°C): 83A. DI (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.006 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 5000pF. Costo): 1800pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: control de puerta por nivel lógico. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 470A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 29 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 1V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 140A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L3803S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 29 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 5000pF. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK/7, 40V, 360A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK/7. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 360A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 7. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0005 Ohms @ 100A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 67 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 222 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 19680pF. Disipación máxima Ptot [W]: 416W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 7.1A, 10A, 10A, 0.18 Ohms, 100V. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.18 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 100V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 35A. Nota: Nivel lógico. Pd (disipación de potencia, máx.): 48W. Tecnología: V-MOS TO220A

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 10A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L520N. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 6A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 4 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 440pF. Disipación máxima Ptot [W]: 48W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.10 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 800pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 140 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 60A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 79W. RoHS: sí. Spec info: control de puerta por nivel lógico. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 7.2 ns. Tecnología: Transistor MOSFET de potencia HEXFET, nivel lógico controlado. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 100V, 17A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRL530NPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7.2 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 30 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 800 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 79W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 1.3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.3A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L530NS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7.2 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 30 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 800 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 1.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 21A, 30A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.044 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1800pF. Costo): 350pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: control de puerta por nivel lógico. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 60.4k Ohms. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 94W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 100V, TO220AB. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 100V. Vivienda: TO220AB. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Serie: HEXFET. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 36A. Voltaje de accionamiento: 140W. Rds on (max) @ id, VGS: Montaje mediante orificio pasante en PCB. VGS (th) (max) @ id: 3. QG (Total Gate Charge, max @ vgs): IRL540N. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -16V. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. Temperatura de funcionamiento: 0.044 Ohms @ 18A. Tipo de montaje: THT. Características: 39 ns. Información: 1800pF. MSL: 140W

Transistor de canal N, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V. DI (T=100°C): 26A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.044 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1800pF. Costo): 350pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: control de puerta por nivel lógico. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 60.4k Ohms. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. RoHS: sí. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 36A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: L540NS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 39 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1800pF. Disipación máxima Ptot [W]: 140W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220A. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Nivel lógico. Pd (disipación de potencia, máx.): 74W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: V-MOS

Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220A. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Nivel lógico. Pd (disipación de potencia, máx.): 69W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: V-MOS

Transistor de canal N, 200V, 0.4 Ohms, TO-220. Tensión drenaje-fuente (Vds): 200V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-220. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 9A. Potencia: 74W. Control: Nivel lógico