FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 20V, 1.2A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 1A. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 0.47A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 2.5 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 9.7 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 110pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.54W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. DI (T=100°C): 3.4A. DI (T=25°C): 4.2A. Idss (máx.): 25uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.035 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 740pF. Costo): 90pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 16 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low On-Resistance. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 33A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 54 ns. Td(encendido): 7.5 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 12V. Vgs(th) mín.: 0.6V

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 20V, 3.4A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.4A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 1g. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 4.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7.5 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 54 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 740pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.8W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. DI (T=100°C): 0.93A. DI (T=25°C): 1.2A. Idss (máx.): 25uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.025 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 85pF. Costo): 34pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 26 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low On-Resistance. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 7.3A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 540mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 9 ns. Td(encendido): 3.9 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 1.2A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: B. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 3.9 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 9 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 85pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.54W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 1.2A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 3.9 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 9 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 85pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.54W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 5A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1.1V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 4.2 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 22 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 650pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.065 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 5V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.065 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 5V. C(pulg): 480pF. Costo): 130pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 72A. IDss (mín.): 25uA. Equivalentes: IRLR024NPBF. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Spec info: control de puerta por nivel lógico. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 7.1 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.185 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 440pF. Costo): 97pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 35A. IDss (mín.): 25uA. Equivalentes: IRLR120NTRPBF. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 48W. RoHS: sí. Spec info: control de puerta por nivel lógico. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 4 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 28A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.04 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 880pF. Costo): 220pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 75. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 76 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Unidad de puerta de nivel lógico, conmutación rápida. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 110A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 68W. RoHS: sí. Spec info: baja resistencia R-on 0,040 ohmios. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 21 ns. Td(encendido): 8.9 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 30A, 42A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.027 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1700pF. Costo): 400pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 2000. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Resistencia de encendido ultrabaja, conmutación rápida. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 160A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. RoHS: sí. Spec info: control de puerta por nivel lógico. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 26 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 55V, 42A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRLR2905PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 42A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 26 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1700pF. Disipación máxima Ptot [W]: 110W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=100°C): 43A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 11m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1570pF. Costo): 230pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 22ms. Tipo de transistor: MOSFET. Función: control de puerta por nivel lógico. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 240A. IDss (mín.): 20uA. Equivalentes: IRLR2905ZTRPBF. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. RoHS: sí. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 24 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. DI (T=100°C): 45A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.105 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 3980pF. Costo): 170pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 34-51 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Resistencia de encendido ultrabaja, conmutación rápida. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 250A. IDss (mín.): 25uA. Equivalentes: IRLR3110ZPbF. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 79W. RoHS: sí. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 7.2 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: ±16. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.105 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 800pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 140 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Resistencia de encendido ultrabaja, conmutación rápida. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 60A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 79W. RoHS: sí. Spec info: control de puerta por nivel lógico. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 7.2 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 100V, 17A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: LR3410. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 10A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7.2 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 30 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 800pF. Disipación máxima Ptot [W]: 97W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=100°C): 63A. DI (T=25°C): 89A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 6.5m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 2900pF. Costo): 420pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 21ms. Tipo de transistor: MOSFET. Función: control de puerta por nivel lógico. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 360A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. RoHS: sí. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 33 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 113A. DI (T=25°C): 161A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.6m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 4380pF. Costo): 940pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 2000. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 39 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: RDS muy bajo (encendido) a 4,5 V VGS, impedancia de puerta ultrabaja. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 620A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: LR7843. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 34 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.3V. Vgs(th) mín.: 1.5V

Transistor de canal N, 46A, 65A, 150uA, 6.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 46A. DI (T=25°C): 65A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 6.3m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1030pF. Costo): 350pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 17 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Muy baja RDS en resistencia a 4.5V VGS. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 260A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Spec info: Impedancia de puerta ultrabaja. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 9.4 ns. Td(encendido): 8.8 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V

Transistor de canal N, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 61A. DI (T=25°C): 86A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 2150pF. Costo): 480pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Muy baja RDS en resistencia a 4.5V VGS. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 340A. IDss (mín.): 1uA. Equivalentes: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Spec info: Impedancia de puerta ultrabaja. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V

Transistor de canal N, 113A, 160A, 150uA, 2.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 113A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.4M Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 4880pF. Costo): 950pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 18 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: control de puerta por nivel lógico. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 640A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 135W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 21 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V

Transistor de canal N, 55V, IPAK. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 55V. Vivienda: IPAK. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 17A. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -16V. Tipo de montaje: SMD. Serie: HEXFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W

Transistor de canal N, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 8.5A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.075 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 480pF. Costo): 130pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: control de puerta por nivel lógico. Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 47W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 7.1 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 55V, TO220AB. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 55V. Vivienda: TO220AB. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Serie: HEXFET. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 18A. Rds on (max) @ id, VGS: Montaje mediante orificio pasante en PCB. VGS (th) (max) @ id: 3. QG (Total Gate Charge, max @ vgs): IRLZ24NPBF. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: 55V. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Temperatura de funcionamiento: 0.06 Ohms @ 11A. Tipo de montaje: THT. Características: 20 ns. Información: 480pF. MSL: 45W

Transistor de canal N, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.035 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 880pF. Costo): 220pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 76 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: control de puerta por nivel lógico. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 110A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 68W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 21 ns. Td(encendido): 8.9 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V