FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.16 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 3000pF. Costo): 1170pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 610 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Carga de puerta ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 20N60S5. Pd (disipación de potencia, máx.): 208W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 120ns. Tecnología: Cool Mos. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 4.5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 55V, 80A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2N06L11. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.015 Ohms @ 40A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 68 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2650pF. Disipación máxima Ptot [W]: 158W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.85 Ohms. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 490pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Identificación (diablillo): 13.5A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 04N60C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 58.5 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: Cool Mos. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.39 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Carga de puerta ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 33A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 11N80C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 156W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Cool Mos. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.29 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 2320pF. Costo): 1250pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Carga de puerta ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 51A. IDss (mín.): 0.5uA. Marcado en la caja: 17N80C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 208W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 77 ns. Td(encendido): 45 ns. Tecnología: Cool Mos POWER transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-247, 650V, 20.7A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20.7A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 20N60C3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13.1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3.9V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 100 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2400pF. Disipación máxima Ptot [W]: 208W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 0.19 Ohms, PG-TO247 HV, 600V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.19 Ohms. Vivienda: PG-TO247 HV. Tensión drenaje-fuente (Vds): 600V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 20A. Potencia: 208W

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, MS-012, 30 v, 8A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ 8A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 32 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 540pF. Disipación máxima Ptot [W]: 3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor de canal N, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1150pF. Costo): 130pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 415 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 28A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 48W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: Power-MOSFET (F). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 40V, 1mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 40V. Corriente de drenaje Idss [A] @ Ug=0V: 1mA. RoHS: sí. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: P1. Voltaje del punto de interrupción de la fuente de puerta Ugss [V] @ Uds=0V: -1.5V @ +15V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.35W. Familia de componentes: Transistor JFET de canal N. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal N, 80A, 80A, 10uA, 3.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.5m Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 3850pF. Costo): 650pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 320A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 120N4F6. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: STripFET™ VI Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Función: Aplicaciones de conmutación, Automoción. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 6.8A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. DI (T=100°C): 6.8A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.29 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 550V. C(pulg): 940pF. Costo): 100pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 340 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 44A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: B12NM50N. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 60 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: MDmesh Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Función: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. DI (T=100°C): 6.9A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.29 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 550V. C(pulg): 850pF. Costo): 48pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 122 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 44A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: B12NM50ND. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: FDmesh™ II Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Función: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Spec info: MOSFET de potencia FDmesh™ II (con diodo rápido). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. DI (T=100°C): 9A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.115 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 470pF. Costo): 70pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 90 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: SWITCHING APPLICATION. Identificación (diablillo): 52A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: D10NF10. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 32 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: MOSFET de potencia STRipFET™ II de carga de puerta baja. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 5A, 10A, 100uA, 0.53 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 650V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.53 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 540pF. Costo): 44pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 315 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacitancia efectiva ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 10NM60N. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 32 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Cool Mos POWER transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V. DI (T=100°C): 6.93A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ). Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 790pF. Costo): 70pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 290 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 44A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 13NM60N. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 3 ns. Tecnología: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 800V. DI (T=100°C): 1.57A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 50mA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.8 Ohms. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 485pF. Costo): 57pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 384 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Identificación (diablillo): 10A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: D3NK80Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 36ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 75. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 800V. DI (T=100°C): 1.57A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 50mA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.8 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 485pF. Costo): 57pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 384 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Identificación (diablillo): 10A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: D3NK80Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 36ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 2000. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V. DI (T=100°C): 1.9A. DI (T=25°C): 3A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 3A. Resistencia en encendido Rds activado: 2.3 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 310pF. Costo): 49pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 260 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Identificación (diablillo): 12A. Marcado en la caja: D4NK50Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 21 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 2.5A, 4A, 1uA, 4A, 1.76 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 600V. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 4A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 4A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.76 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 510pF. Costo): 47pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Identificación (diablillo): 16A. Marcado en la caja: D4NK60Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 29 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 2.77A, 4.4A, 50uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. DI (T=100°C): 2.77A. DI (T=25°C): 4.4A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252-3. Voltaje Vds(máx.): 525V. C(pulg): 545pF. Costo): 45pF. Tipo de canal: N. Número de canales: 1. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 17.6A. IDss (mín.): 5uA. Marcado en la caja: 5N52K3. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 29 ns. Td(encendido): 9 ns. Tecnología: SuperMESH3™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30V. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Función: Aplicaciones de conmutación, carga de puerta minimizada, IDSS bajo. Spec info: Enhancement type. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 2.8A, 4.4A, 500uA, 1.25 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.4A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.25 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252-3. Voltaje Vds(máx.): 525V. C(pulg): 529pF. Costo): 71pF. Tipo de canal: N. Número de canales: 1. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 17.6A. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: 5N52U. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 23.1 ns. Td(encendido): 11.4 ns. Tecnología: UltraFASTmesh™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30V. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Función: Aplicaciones de conmutación, carga de puerta minimizada. Spec info: Enhancement type. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal N, 3A, 5A, 100uA, 0.84 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.84 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 600V. Costo): 24.6pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 213 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacitancia efectiva ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 20A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 7NM60N. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 26 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: Cool Mos POWER transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. C(pulg): 363pF. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal N, 33A, 53A, 53A, 0.07 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 500V. DI (T=100°C): 33A. DI (T=25°C): 53A. Idss (máx.): 53A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.07 Ohms. Vivienda: ISOTOP ( SOT227B ). Vivienda (según ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). Voltaje Vds(máx.): 500V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: SMPS POWER MOSFET. Identificación (diablillo): 212A. Pd (disipación de potencia, máx.): 460W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Aislamiento eléctrico: 2500V (AC-RMS). Td(encendido): 46 ns. Tecnología: PowerMesh II MOSFET. Tf (tipo): 38 ns. Tr: 70 ns. Temperatura de funcionamiento: -65...150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: ±30V. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí

Transistor de canal N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.37 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 850pF. Costo): 44pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 11NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: MDmesh II POWER MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS