Transistor de canal N, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.):...
Transistor de canal N, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Advanced Power MOSFET. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1
Transistor de canal N, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Advanced Power MOSFET. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 60V, 0.15A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD)....
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 60V, 0.15A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: ZVN3306F. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 5 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 6 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 35pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.33W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 60V, 0.15A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: ZVN3306F. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 5 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 6 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 35pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.33W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
Transistor de canal N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. DI (T=25°C): 0.18A. Idss (máx.):...
Transistor de canal N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. DI (T=25°C): 0.18A. Idss (máx.): 0.18A. Resistencia en encendido Rds activado: 10 Ohms. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.7W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Cantidad por caja: 1
Transistor de canal N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. DI (T=25°C): 0.18A. Idss (máx.): 0.18A. Resistencia en encendido Rds activado: 10 Ohms. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.7W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Cantidad por caja: 1
Transistor de canal N, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. DI (T=100°C): 3A...
Transistor de canal N, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 3.8A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.13 Ohms. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 70V. C(pulg): 298pF. Costo): 35pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 10A. IDss (mín.): 0uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 11.5 ns. Td(encendido): 1.9 ns. Tecnología: MOSFET en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
Transistor de canal N, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 3.8A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.13 Ohms. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 70V. C(pulg): 298pF. Costo): 35pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 10A. IDss (mín.): 0uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 11.5 ns. Td(encendido): 1.9 ns. Tecnología: MOSFET en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS