Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ34N

Transistor de canal N, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ34N
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1 - 4 1.19€ 1.44€
5 - 9 1.13€ 1.37€
10 - 24 1.09€ 1.32€
25 - 49 1.07€ 1.29€
50 - 99 1.05€ 1.27€
100 - 249 0.93€ 1.13€
250 - 275 0.89€ 1.08€
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Transistor de canal N, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ34N. Transistor de canal N, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 29A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.04 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 700pF. Costo): 240pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 57 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 100A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 68W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 31 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante Infineon (irf). Cantidad en stock actualizada el 01/07/2025, 13:25.

Documentación técnica

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Transistor de canal N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 35A. DI (...
IRFZ44N
Transistor de canal N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 49A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0175 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1470pF. Costo): 360pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 63us. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low On-Resistance. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 160A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 94W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 44 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V
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