Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Tipo de transistor: NPN. Spec info: TO-92M

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Tipo de transistor: NPN. Spec info: TO-92M

Transistor NPN, 0.7A, 140V. Corriente del colector: 0.7A. Tensión colector/emisor Vceo: 140V. Costo): 2.6pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Corriente del colector: 200mA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Función: Salida cromática de TV en color (VID-L). Ganancia máxima de hFE: 140. Ganancia mínima de hFE: 70. Marcado en la caja: C1507 O. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 15W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 7V. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Corriente del colector: 200mA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Función: Salida cromática de TV en color (VID-L). Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 120. Marcado en la caja: C1507 Y. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 15W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 7V. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 3L (AMMO). Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Costo): 1.6pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 110 MHz. Función: amplificador de audio de alta fidelidad. Ganancia máxima de hFE: 600. Ganancia mínima de hFE: 300. Marcado en la caja: C1845. Equivalentes: 2SC1845. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.07V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) KSA992. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.7A, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 0.7A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 170 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.6W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Costo): 50pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: Salida de desviación vertical de TV. Ganancia máxima de hFE: 125. Ganancia mínima de hFE: 60. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) KSA940. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Costo): 50pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: Salida de desviación vertical de TV. Ganancia máxima de hFE: 125. Ganancia mínima de hFE: 40. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) KSA940. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Corriente del colector: 0.05A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92L (9mm magas). Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Costo): 3.5pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 140. Ganancia mínima de hFE: 70. Marcado en la caja: C2310 O. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. RoHS: NINCS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Corriente del colector: 0.05A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92L (9mm magas). Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Costo): 3.5pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 120. Marcado en la caja: C2310 Y. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. RoHS: NINCS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, 30 v. Corriente del colector: 2A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Resistencia B: 10. Resistencia BE: 10. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Resistencia B: 10. Resistencia BE: 10. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: 0501-000367. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Spec info: 9 mm de altura. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.7A, TO-92, TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ), 60V. Corriente del colector: 0.7A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Costo): 60pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: hFE 120...240. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 800V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Costo): 60pF. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 15 MHz. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 10A. Marcado en la caja: KSC5027 (O). Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Costo): 60pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 15 MHz. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(mín.): 0.5us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 0.1A, TO-126, 900V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 0.1A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 900V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Resistencia BE: 10. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Dyn Focus. Pd (disipación de potencia, máx.): 4W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: HV switch. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 8A, 800V. Corriente del colector: 8A. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Resistencia BE: 10. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Alta resolución . Nota: MONITOR. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 7A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399). Corriente del colector: 7A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399). Resistencia BE: 10. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: High Switching 0.1us. Ganancia máxima de hFE: 22. Ganancia mínima de hFE: 8:1. Ic (pulso): 16A. Marcado en la caja: C5386. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio plano triple difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(mín.): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 4.2V. Velocidad: 6V. Spec info: VEBO 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Costo): 80pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: CRT-HA (F). Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: Monitor 68KHz. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Costo): 90pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: CRT-HA (F). Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: Rbe 50 Ohms, monitor 69kHz. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 12A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: CRT-HA (F). Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 24A. Marcado en la caja: C5803. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(mín.): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Spec info: For C-Monitor (85KHz). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.03A, 35V. Corriente del colector: 0.03A. Tensión colector/emisor Vceo: 35V. Costo): 12pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: FM-V/M/O/IF. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: 12149301860. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.03A, 35V. Corriente del colector: 0.03A. Tensión colector/emisor Vceo: 35V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: FM-V/M/O/IF. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: 62137301900

Transistor NPN, 0.05A, 30 v. Corriente del colector: 0.05A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Nota: hFE 350...700. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: 0501-000394