Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Corriente del colector: 14A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 64kHz. Función: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Fecha de producción: 2014/17. Ganancia máxima de hFE: 8.5. Ganancia mínima de hFE: 6. Ic (pulso): 21A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 62W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.25us. Tf(mín.): 0.12us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. Velocidad: 9V

Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V. Corriente del colector: 20A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3 ( TO–204AE ). Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Diodo BE: NINCS. Costo): 2.5pF. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 175W. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.6us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 650V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 8V

Transistor NPN, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 400V. Corriente del colector: 50A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3 ( TO–204AE ). Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: hFE 25. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 60A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 250V. Corriente del colector: 60A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3 ( TO–204AE ). Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. Costo): 7pF. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: hFE 75...1000. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Corriente del colector: 30A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3 ( TO-204 ). Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Resistencia B: sí. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): 4pF. Costo): TO-204AA. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): +200°C. Nota: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJ11015. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Corriente del colector: 50A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3 ( TO-204 ). Tensión colector/emisor Vceo: 120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Ganancia máxima de hFE: 18000. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 100A. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. Spec info: transistor complementario (par) MJ11033. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, 50A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Corriente de colector Ic [A], máx.: 50A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-204AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJ11032G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V. Disipación máxima Ptot [W]: 300W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Corriente de colector Ic [A], máx.: 20A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 140V. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN de alto voltaje. Vivienda (norma JEDEC): TO-204AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJ15003G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 140V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 2 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 250W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. Spec info: transistor complementario (par) MJ15004. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 70. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 0.8 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. Spec info: Motorola. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 70. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 0.8 MHz. Ganancia máxima de hFE: 70. Ganancia mínima de hFE: 10. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJ15016. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 6us. Tf(mín.): 4us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, 15A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Corriente de colector Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN de alto voltaje. Vivienda (norma JEDEC): TO-204AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJ15015G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 6 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 180W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 200V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. Spec info: transistor complementario (par) MJ15023. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 350V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: Audio de alta potencia. Ganancia máxima de hFE: 60. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJ15023. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.4V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: Audio de alta potencia. Ganancia máxima de hFE: 60. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJ15025. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.4V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, 16A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Corriente de colector Ic [A], máx.: 16A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN de alto voltaje. Vivienda (norma JEDEC): TO-204AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJ15024G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 250V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 4 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 250W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, 16A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Corriente de colector Ic [A], máx.: 16A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN de alto voltaje. Vivienda (norma JEDEC): TO-204AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJ21194G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 250V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 4 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 250W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3 ( TO-204AA ). Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. Costo): 2pF. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Ganancia máxima de hFE: 75. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJ21195. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.4V

Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Corriente del colector: 30A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 30pF. Costo): 8.5pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, 30A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Corriente de colector Ic [A], máx.: 30A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-204AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJ802G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 90V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 2 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, 8A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: J44H11. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 85 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 20W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), D-PAK, 8A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: J44H11. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 85 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 20W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): DPAK CASE 369C. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Costo): 45pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 85 MHz. Función: Transistores de potencia complementarios. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 16A. Marcado en la caja: 44H11G. Equivalentes: MJD44H11G, MJD44H11J. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJD45H11T4G. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor de silicio epitaxial . Tf (tipo): 140 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): DPAK CASE 369C. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Costo): 45pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 85 MHz. Función: Transistores de potencia complementarios. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 16A. Marcado en la caja: 45H11G. Equivalentes: MJD45H11G, MJD45H11J. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJD45H11T4G. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistor de silicio epitaxial . Tf (tipo): 140 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: S-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 14 MHz. Función: conmutación de circuitos. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 8:1. Ic (pulso): 16A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de potencia bipolar. Tf(máx.): 0.7us. Tf(mín.): 0.23us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 9V