Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Costo): 3pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 14 MHz. Función: conmutación de circuitos. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 8:1. Ic (pulso): 16A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de potencia bipolar. Tf(máx.): 0.7us. Tf(mín.): 0.23us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 9V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, 400V, 8A, TO-220AB. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. Voltaje colector-emisor VCEO: 400V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220AB. Marcado del fabricante: MJE13007G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 400V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 4 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 80W. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: NPN. Potencia: 80W. Frecuencia máxima: 14 MHz. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: para amplificador de audio. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 16A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MJE15031. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, TO-220, 150V, TO-220AB, 150V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Voltaje colector-emisor VCEO: 150V. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 50W. Frecuencia máxima: 30MHz. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: para amplificador de audio. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 16A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MJE15031G

Transistor NPN, 250V, 8A, TO-220. Voltaje colector-emisor VCEO: 250V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 50W. Frecuencia máxima: 30MHz

Transistor NPN, TO-220, 8A, 250V, 8A, TO-220AB, 250V. Vivienda: TO-220. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. Voltaje colector-emisor VCEO: 250V. Corriente del colector: 8A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Marcado del fabricante: MJE15032G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 250V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 30 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 50W. Frecuencia máxima: 30MHz. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MJE15033

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 350V. Costo): 2.5pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementario (par) MJE15035G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220AB, 450V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Costo): 2.5pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 13 MHz. Función: Aplicaciones de fuente de alimentación de modo de conmutación. Ganancia máxima de hFE: 34. Ganancia mínima de hFE: 12:1. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 400us. Tf(mín.): 70us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 9V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220, 5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220. Corriente de colector Ic [A], máx.: 5A. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJE18004G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 450V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 13 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 75W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia NPN

Transistor NPN, 6A, 450V. Corriente del colector: 6A. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 14 MHz. Función: SMPS. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Spec info: SWITCHMODE. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. C(pulg): 1750pF. Costo): 100pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 13MHz. Función: Aplicaciones de fuente de alimentación de modo de conmutación. Ganancia máxima de hFE: 14. Ganancia mínima de hFE: 34. Ic (pulso): 16A. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. RoHS: sí. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -60...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1000V, 8A, TO-220. Voltaje colector-emisor VCEO: 1000V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: NPN. Potencia: 120W

Transistor NPN, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 5A. Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Costo): 80pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 65MHz. Ganancia máxima de hFE: 180. Ganancia mínima de hFE: 45. Pd (disipación de potencia, máx.): 15W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.8V. Velocidad: 8V. Spec info: transistor complementario (par) MJE210. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 4A. Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Resistencia B: transistor de potencia NPN. Resistencia BE: 100V. C(pulg): 4A. Costo): 15W. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 40 MHz. Función: Conmutación de alta velocidad, Audio. Ganancia máxima de hFE: 180. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 8A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 15W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 7V. Spec info: transistor complementario (par) MJE253. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 10A, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJE3055T. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 2 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 75W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Epitaxial-Base . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MJE2955T

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: para amplificadores de audio de alta fidelidad y reguladores de conmutación. Ganancia máxima de hFE: 100. Ganancia mínima de hFE: 20. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Epitaxial-Base . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 8V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MJE3055T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 70. Ganancia mínima de hFE: 20. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Epitaxial-Base . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) MJE2955T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, SOT-32, 500mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SOT-32. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-126. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJE340. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 300V. Disipación máxima Ptot [W]: 20W. Familia de componentes: transistor NPN de alto voltaje. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Frecuencia de corte pies [MHz]: 240. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Velocidad: 3V. Spec info: transistor complementario (par) MJE350

Transistor NPN, 0.5A, TO-126 ( TO-225 ), 500V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 0.5A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126 ( TO-225 ). Tensión colector/emisor Vceo: 500V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Costo): 30pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: NF-L, VID.. Equivalentes: KSE340. Pd (disipación de potencia, máx.): 20.8W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Spec info: transistor complementario (par) MJE350. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Costo): 30pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 30. Nota: carcasa de plastico. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 20.8W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 3V. Spec info: transistor complementario (par) MJE350. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-225, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-225. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-225. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJE340G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 300V. Disipación máxima Ptot [W]: 20W. Familia de componentes: transistor NPN de alto voltaje. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Resistencia BE: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 50. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(mín.): 2us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, 400V, 8A, TO-220. Voltaje colector-emisor VCEO: 400V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Tipo de transistor: Transistor de potencia Darlington. Polaridad: NPN. Tipo: transistor Darlington. Potencia: 100W

Transistor NPN, 1.5A, 60V. Corriente del colector: 1.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Costo): 1000pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-225, 4A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-225. Corriente de colector Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-225. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MJE800G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Disipación máxima Ptot [W]: 40W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor de potencia NPN