Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 7A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Corriente del colector: 7A. Vivienda: ISOWATT218. Vivienda (según ficha técnica): ISOWATT218. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación rápida de alto voltaje. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: conmutación, amplificador de audio. Ganancia máxima de hFE: 20000. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 15A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) TIP107. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V

Transistor NPN, 2A, 60V. Corriente del colector: 2A. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. Ganancia máxima de hFE: 1000. Ganancia mínima de hFE: 500. Ic (pulso): 4A. Nota: >1000. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 4A, 80V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Costo): 2pF. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Nota: >1000. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Spec info: TO-220. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Corriente de colector Ic [A], máx.: 5A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: TIP120. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Disipación máxima Ptot [W]: 65W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 5A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Corriente de colector Ic [A], máx.: 5A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: TIP122. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Disipación máxima Ptot [W]: 65W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, TO220, 100V. Vivienda: TO220. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Tipo: transistor Darlington. Polaridad: NPN. Potencia: 65W. Voltaje de base coleccionista VCBO: 100V. Tipo de montaje: Montaje mediante orificio pasante en PCB. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 1000. Corriente máxima 1: 5A. Serie: TIP122G

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-220AB, 8A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: TIP132. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Disipación máxima Ptot [W]: 70W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-247, 10A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: TIP142. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. Función: Transistor Darlington de potencia complementaria. Ganancia máxima de hFE: 1000. Ganancia mínima de hFE: 500. Ic (pulso): 20A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) TIP147T. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Darlington monolítico. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, TO-247, 15A, TO-247, 100V. Vivienda: TO-247. Corriente del colector: 15A. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. RoHS: sí. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: amplificador de audio. Ganancia máxima de hFE: 70. Ganancia mínima de hFE: 20. Nota: transistor complementario (par) TIP2955. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. Spec info: Bajo voltaje de saturación colector-emisor. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 70V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 24. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 5A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) TIP32C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, TO-247, 25A, TO-247, 100V. Vivienda: TO-247. Corriente del colector: 25A. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. RoHS: sí. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Transistores de potencia complementarios. Fecha de producción: 1450. Ganancia máxima de hFE: 50. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 50A. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) TIP36C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Diodo BE: NINCS. Costo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-247, 25A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Corriente de colector Ic [A], máx.: 25A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: TIP35CG. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Costo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Transistores de potencia complementarios. Ganancia máxima de hFE: 75. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) TIP42C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 100V, 6A, TO-220. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220. Tipo de transistor: transistor de potencia NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 65W. Frecuencia máxima: 3MHz

Transistor NPN, 1A, TO-220, TO-220, 400V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Función: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Ganancia máxima de hFE: 150. Ganancia mínima de hFE: 30. Ic (pulso): 2A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V

Transistor NPN, 400V, 1A, TO-92. Voltaje colector-emisor VCEO: 400V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 1W

Transistor NPN, 50V, 3A, TO-92. Voltaje colector-emisor VCEO: 50V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN. Polaridad: NPN. Potencia: 0.75W. Frecuencia máxima: 90MHz

Transistor NPN, 18A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Corriente del colector: 18A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PMLH. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Alta velocidad.. Ganancia máxima de hFE: 15. Ganancia mínima de hFE: 4. Ic (pulso): 35A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 85W. Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FI. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Costo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Vbe(sat)1.5V. Ganancia máxima de hFE: 10. Ganancia mínima de hFE: 5. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Spec info: con resistencia de polarización Rbe. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FI. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Costo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Aplicaciones de salida de desviación horizontal de TV en color. Ganancia máxima de hFE: 8:1. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 15A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Spec info: con resistencia de polarización Rbe. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio plano triple difuso . Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 8A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Costo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Aplicaciones de salida de desviación horizontal de TV en color. Ganancia máxima de hFE: 10. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 20A. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Spec info: Vbe(sat) 1.5V. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio plano triple difuso . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 10A, 800V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Costo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 65W. Spec info: TT2206-YD TO-3PML. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V

Transistor NPN, EMT6. Vivienda (según ficha técnica): EMT6. Cantidad por caja: 2. Nota: serigrafía/código SMD H21. Marcado en la caja: H21. Número de terminales: 6. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: *SMD SO6*