Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 1D. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 300V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 5mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 5mA. RoHS: NINCS. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 3EM. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 25V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 650 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.35W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 25V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Costo): 9pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 350. Ganancia mínima de hFE: 200. Marcado en la caja: Y1. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Tecnología: Transistor de silicio epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: A8A. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: A8E. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: A8K. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.246W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 160V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-218. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. ¿Transistor Darlington?: sí. Material semiconductor: silicio. FT: 55 MHz. Función: par de transistores complementarios. Ganancia mínima de hFE: 5000. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP & NPN. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MPSA42. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 300V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 50 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 80V. Corriente del colector: 500mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Resistencia BE: 10. Costo): 300pF. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Material semiconductor: silicio. FT: 100MHz. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 1A. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 4 v. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MPSA06. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 0.5A, 30 v. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 10000. Ganancia mínima de hFE: 5000. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Tecnología: transistor Darlington. Tf(mín.): 125 MHz. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 10V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corriente del colector: 500mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 125 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 20000. Ganancia mínima de hFE: 10000. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: transistor Darlington. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 10V. Número de terminales: 3. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 45V, 0.2A, TO-92. Voltaje colector-emisor VCEO: 45V. Corriente del colector: 0.2A. Vivienda: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN. Polaridad: NPN. Frecuencia máxima: 100 MHz. Aplicaciones: Audio

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 300V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 (ammo pak). Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Costo): 3pF. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: Amplificador de VÍDEO.. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 25. Equivalentes: KSP42. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 500mV. Velocidad: 6V. Cantidad por caja: 1. Spec info: transistor complementario (par) MPSA92. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.3A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 400V. Corriente del colector: 0.3A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 (ammo pak). Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Costo): 7pF. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: Amplificador de VÍDEO.. Ganancia máxima de hFE: 50. Ganancia mínima de hFE: 40. Equivalentes: KSP44, CMPSA44. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensión de saturación VCE(sat): 400mV. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 750mV. Velocidad: 6V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 5mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 5mA. RoHS: NINCS. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MPSH10. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 25V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 650 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.35W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Costo): 3pF. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Función: hFE 25...40. Cantidad por caja: 1. Spec info: One Watt High Voltage Transistor. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 6pF. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 150000. Ganancia mínima de hFE: 25000. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 12V. Función: High hFE. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 28V. Voltaje colector-emisor VCEO: 28V. Tipo de transistor: transistor NPN. Polaridad: NPN. Aplicaciones: RF-POWER

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: transistor con red de resistencia de polarización. Ganancia máxima de hFE: 100. Ganancia mínima de hFE: 60. Marcado en la caja: 8B. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 338mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistores digitales (BRT). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Número de terminales: 3. Nota: Panasonic NV-SD450. Nota: B1GBCFLL0035. Cantidad por caja: 1. Spec info: serigrafía/código SMD 8B. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN. C(pulg): 9pF. Costo): 3.5pF. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. C(pulg): 9pF. Costo): 6pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Función: amplificador de potencia de audio. Fecha de producción: 201452 201512. Ganancia máxima de hFE: 150. Ganancia mínima de hFE: 45. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) NJW1302. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, 60V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2.5 MHz. Ganancia máxima de hFE: 70. Ganancia mínima de hFE: 20. Nota: hFE 20...70. Nota: transistor complementario (par) NTE219. Temperatura: +200°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 115W. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3.3V. Velocidad: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN. Costo): 135pF. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, SOT-199, SOT-199, 700V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: SOT-199. Vivienda (según ficha técnica): SOT-199. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Hecho para Grundig. Pd (disipación de potencia, máx.): 34W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS