Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Transistor con resistencia de polarización incorporada. Ganancia mínima de hFE: 80. Ic (pulso): 100mA. Marcado en la caja: *08. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Spec info: Serigrafía/código SMD P08/T08. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.15V. Velocidad: 10V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Transistor de conmutación NPN. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Spec info: 130.41594. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 15V

Transistor NPN, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Corriente del colector: 0.2A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 500 MHz. Función: Conmutación de alta velocidad. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Spec info: Serigrafía/código SMD P1J, T1J. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 15V

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 30pF. Costo): 8pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: Conmutación de alta velocidad. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 0.8A. Marcado en la caja: p2X, t2X, W2X. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Spec info: Serigrafía/código SMD P2X, T2X, W2X, transistor complementario (par) PMBT4401. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.75V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 75V. Diodo BE: NINCS. Costo): 19pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Amplificador de propósito general. Spec info: hFE 80...450. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 45V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 75V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Amplificador de propósito general. Spec info: hFE 240...600. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 45V

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Costo): 75pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 300 MHz. Función: Amplificador de propósito general. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 35. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, soldadura de PCB (SMD), SOT-363, 100mA. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-363. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sí. Familia de componentes: par de transistores NPN y PNP. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 6. Marcado del fabricante: D*2. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 180 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 100pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: DTR.. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.2W. Spec info: serigrafía/código CMS XJ. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldadura de PCB, ITO-218, 8A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: ITO-218. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN de alto voltaje. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: S2000N. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 1.5 kV. Frecuencia de corte pies [MHz]: 2 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor NPN, 1500V, 8A, TO-247-T. Voltaje colector-emisor VCEO: 1500V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-247-T. Tipo de transistor: Transistor de potencia. Polaridad: NPN. Aplicaciones: traspuesta. Potencia: 50W. Diodo incorporado: sí

Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247F, 1500V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247F. Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Diodo BE: NINCS. Costo): 9pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, 160V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Costo): 35pF. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: NF/L, HI-FI Audio. Nota: hFE 5000...20000. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Spec info: transistor complementario (par) SAP15P. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, 160V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Costo): 35pF. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: NF/L, HI-FI Audio. Nota: hFE 5000...20000. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Spec info: transistor complementario (par) SAP15P. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, 400V. Corriente del colector: 15A. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 8pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V, SOT23, 4.87k Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Vivienda: SOT23. Voltaje colector-emisor VCEO: 4.87k Ohms. Marcado en la caja: s1D. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.36W. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD S1D. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 5V. Tipo: transistor para aplicaciones de baja potencia. Polaridad: NPN. Potencia: 0.36W. Voltaje de base coleccionista VCBO: 4.87k Ohms. Tipo de montaje: SMD. Ancho de banda MHz: 50MHz. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 25. Corriente máxima 1: 0.5A. Información: 25. Serie: SMBTA. MSL: transistor complementario (par) SMBTA92

Transistor NPN, 1.5A, TO-92, TO-92 (Ammo-Pack), 25V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 (Ammo-Pack). Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Diodo BE: NINCS. Costo): 9pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 120. Marcado en la caja: S8050 C. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Tecnología: Transistor de silicio epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 20V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 20V. Diodo BE: NINCS. Costo): 28pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Operación push-pull clase B. Ganancia máxima de hFE: 135. Ganancia mínima de hFE: 96. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Spec info: Excelente linealidad hFE. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.16V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corriente del colector: 0.1A. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 270 MHz. Función: propósito general. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.45W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación rápida de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 32. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 8A. Marcado en la caja: 13005A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(mín.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 9V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: Conmutación rápida de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 16. Ic (pulso): 16A. Marcado en la caja: 13007A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 350 ns. Tf(mín.): 40 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.2V. Velocidad: 9V

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 50. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: hFE 15...28. Marcado en la caja: ST13009L. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Spec info: ST13009L. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V

Transistor NPN. Diodo BE: NINCS. Costo): 122pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1

Transistor NPN, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 1000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: Transistor de potencia de conmutación rápida de alto voltaje. Ganancia máxima de hFE: 32. Ganancia mínima de hFE: 4. Ic (pulso): 3A. Marcado en la caja: N83003. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.6W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) STN93003. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V

Transistor NPN, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 215pF. Diodo CE: NINCS. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 1000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 130 MHz. Función: Transistor de potencia NPN de conmutación rápida de bajo voltaje. Ganancia máxima de hFE: 350. Ganancia mínima de hFE: 30. Ic (pulso): 10A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.6W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.32V. Velocidad: 7V